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P-N 접합의 접촉전위와 전류 특성2025.11.181. 접촉전위(Contact Potential) P-N 접합에서 P측의 정공과 N측의 전자가 확산되면서 접합부에 전기장이 형성된다. 이로 인해 발생하는 평형 상태의 전위차를 접촉전위 V0라 하며, 이는 이동 전하의 확산을 방해하는 내재적 전위 장벽 역할을 한다. 접촉전위는 V0 = (kT/q)ln(NaNd/ni²) 식으로 표현되며, 여기서 Na는 P측 수용체, Nd는 N측 공여체, ni는 본질 반도체의 캐리어 농도이다. 2. 공간전하 영역(Space Charge Region) 접합부에서 캐리어가 고갈되는 영역을 천이영역(transi...2025.11.18
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PBV 바디 기술 특허전략 분석 보고서2025.11.131. 이종소재 차체 접합 기술 PBV 바디 기술은 경량화를 위해 강재와 알루미늄, 복합소재 등 이종소재를 접합하는 기술을 포함한다. 스폿용접, 레이저용접, 마찰교반용접, 아크용접, 하이브리드용접 등 다양한 용접 방법과 Self Piercing Rivet, Clinching, Flow Drill Screw 등 기계적 체결 방법, 그리고 구조용 접착제를 활용한 접합 기술이 개발되고 있다. 특히 이종소재 접합 시 접합 강도 개선, 접합부 연성 향상, 계면반응층 제어 등이 핵심 기술 과제이다. 2. 전기자동차 플랫폼 구조 스케이트보드 형태...2025.11.13
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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데이터 수집 및 처리(DAQ 시스템)_예비보고서2025.04.301. DAQ 시스템 DAQ(Data Acquisition)란 DAQ하드웨어를 이용해 하중, 압력, 습도, 가속도, 변위, 토크 등의 아날로그 물리량의 데이터를 수집하고 이를 디지털화하여 계측, 제어 및 분석하는 것을 말한다. DAQ 시스템은 센서, 신호 컨디셔닝, DAQ 하드웨어로 구성된다. 센서는 물리량을 전기 신호로 변환하고, 신호 컨디셔닝은 센서 신호를 DAQ 보드가 처리할 수 있는 신호로 변환한다. DAQ 하드웨어는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 컴퓨터에 전달한다. 2. 교정(Calibration) 교정은 특정 조건...2025.04.30
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방실접합부, 전도장애로 인한 부정맥2025.04.281. 방실리듬 (AV junctional rhythm) 동심방결절의 심박조율 기능이 약화되거나 전도계의 장애로 인해 전기자극의 빈도가 감소될 때 방실접합부(심방심실이음부, AV junction)가 동심방결절을 대신하여 박동조율기(pacemaker)로서의 역할을 하여 발생한 리듬. 심박출량 감소와 심근조직관류 저하와 관련된 증상이 발생할 수 있으며, 약물 독성, 저산소혈증, 고칼륨혈증, 미주신경 긴장도 증가, 방실결절 손상, 심근경색, 심부전 등에 의해 발생할 수 있다. 심전도 상 심장박동수는 40~60회/분 정도이며, 보통 P파가 ...2025.04.28
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광전자소자: p-n 접합의 특성과 응용2025.11.181. p-n 접합의 I-V 특성과 응용 p-n 접합의 I-V 특성은 4개 사분면으로 구분됩니다. 1사분면은 순방향 바이어스로 LED와 레이저에 사용되며, 3사분면은 역방향 바이어스로 포토디텍터에 적용됩니다. 4사분면은 바이어스 없이 태양전지처럼 작동하여 역방향 전류를 흐르게 합니다. 각 영역의 바이어스 방향과 전류 흐름의 차이를 이해하는 것이 광전자소자 설계의 기초입니다. 2. 태양전지의 성능 지표: Fill Factor Fill Factor(ImVm/IscVoc)는 태양전지 성능의 중요한 지표입니다. 이는 p-n 접합에 저장된 제...2025.11.18
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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덴드리머, PAMAM, 생체접합, Michael reaction, 첨가반응 관련 레포트(화학)2025.05.111. 덴드리머 덴드리머는 분자의 사슬이 일정한 규칙에 따라 중심에서 바깥 방향으로 규칙적으로 3차원으로 퍼진 형태의 분자이다. 덴드리머는 중심이 비어 있고 외부는 다양한 화학단위와 반응할 수 있는 반응기가 존재한다. 덴드리머가 자라는 단계를 '세대'라고 하는데, 일정하게 반복되는 단위구조가 추가될 때마다 한 세대가 증가하는 것으로 나타낸다. 이런 합성과정에서 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌과 같은 고분자와는 달리 덴드리머는 분자량이나 표면 작용기를 완벽하게 조절할 수 있다는 장점이 있다. 2. PAMAM (Poly(amidoamine))...2025.05.11
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태양전지와 풍력발전 실험 보고서2025.11.181. 태양전지의 광전효과 및 발전 원리 p-n 반도체로 구성된 태양전지에 햇빛이 입사되면 광자의 에너지가 band-gap보다 클 때 광전효과를 통해 전자가 valence band에서 conduction band로 여기된다. 공핍층에서 생성된 전자-정공 쌍이 전위차(광기전력)를 만들어 전류가 흐르게 된다. 태양전지 모듈의 출력은 입사 광자 수, 입사각, 거리 등 다양한 요인에 영향을 받으며, 저항 변화에 따라 최대전력점(MPP)이 결정된다. 2. 풍력발전의 유도기전력 원리 풍력발전은 바람에 의해 회전한 블레이드가 증속 기어를 통해 발...2025.11.18
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