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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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A+ 광통신 - 15. Eye Diagram, Dark current, BER2025.01.041. Eye Diagram Eye Diagram은 광 또는 전기 신호의 누적ㆍ중첩된 전압 파형을 시간축 상에서 나타낸 것으로, 데이터 신호의 품질을 확인할 수 있는 방법입니다. 부호간 간섭이나 잡음에 의해 오염된 수신 신호의 품질을 살펴볼 수 있으며, 시리얼 통신에서 가장 기본적인 측정법입니다. Eye Diagram을 통해 최적의 샘플링 시간, 시간 오차에 대한 민감도, 잡음 여유, 최대 왜곡, 타이밍 지터, 심볼간 간섭 등을 확인할 수 있습니다. 2. Dark current Dark current는 광자가 장치에 들어가지 않는 경...2025.01.04
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12
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Oxidation (반도체)2025.05.081. SiO2 Layer SiO2 레이어는 다음과 같은 용도로 사용됩니다: (1) 도펀트 확산 및 이온 주입 동안 마스크로 사용, (2) 칩 상의 다른 장치 간 전기적 절연 제공, (3) 금속-산화물 반도체 장치에서 게이트 산화물 및 커패시터 유전체로 사용, (4) 실리콘 표면의 패시베이션 제공, (5) 다단계 금속화 구조에서 전기적 절연 제공. 2. SiO2 종류 SiO2에는 세 가지 종류가 있습니다: (1) 자연 산화막 - 실리콘이 공기 중에 노출되면 얇은 자연 산화막이 형성됨, (2) 열 산화막 - 고온에서 실리콘을 산화시켜 ...2025.05.08
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hydrogen insertion into wo3 예비레포트2025.05.051. WO₃의 구조와 특성 WO₃는 모서리가 맞닿아 이루어진 팔면체 구조를 가지고 있다. 중앙의 빈 공간에 금속 원자가 삽입되면 tungsten bronze라고 불리는 화합물이 형성되며, 이 화합물은 금속과 유사한 광택과 색을 가진다. 삽입되는 금속 원자에 따라 다양한 색상을 나타낼 수 있다. 2. 수소의 intercalation WO₃의 구조에 수소가 intercalation되면 HxWO₃가 형성된다. 이 과정에서 WO₃의 전자 구조가 변화하여 색과 전기전도도가 달라진다. 수소가 삽입되면 sub-band가 형성되어 band gap...2025.05.05
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
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