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회로이론및실험1 16장 미분기와 적분기 회로 A+ 결과보고서2025.01.131. 적분기 실험 결과를 통해 커패시터가 충전과 방전을 반복한다는 것을 알 수 있다. 구형파를 입력 전압으로 주었으므로 구형파가 high일 때 충전이 되고, low일 때 방전이 된다는 사실을 알 수 있다. 시정수는 RC로 결정되므로, 커패시터의 값이 커질수록 시정수 또한 커진다는 사실 또한 확인할 수 있었다. PSPICE를 통해 전류를 측정했고 이를 통해 실험을 통해 나온 출력전압의 값이 전류의 적분형태라는 것을 확인할 수 있었다. 2. 미분기 실험 결과를 통해 구형파가 상승할 경우 인덕터에 순간적으로 많은 전하가 이동하게 되어 인...2025.01.13
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축전기의 충전과 방전 보고서2025.01.281. 축전기 충전 및 방전 현상 실험을 통해 축전기의 충전 및 방전 현상이 지수함수 형태로 변화하는 것을 확인하였습니다. 충전 시 전압은 V=V_max(1-e^(-t/tau))의 식을, 방전 시 전압은 V=V_0 e^(-t/tau)의 식을 따르는 것으로 나타났습니다. 또한 시간상수 tau와 반감기 T의 관계식 T=tau ln2가 성립함을 확인하였습니다. 2. 시간상수의 의미 시간상수 tau는 RC회로에서 전압이 변하는 속도를 나타내는 상수입니다. 시간상수가 크면 충전 및 방전 시간이 길어지고, 작으면 시간이 짧아집니다. 따라서 시간...2025.01.28
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전기회로설계실습 실습8 결과보고서2025.01.201. RL 회로의 과도응답 이 보고서는 RL 회로의 과도응답을 실험적으로 분석한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 RL 회로의 설계, 입력 사각파와 각 소자의 전압 파형 측정, 시정수 τ의 측정 및 이론값과의 비교, 입력 전압 크기 변화에 따른 저항 전압 파형 변화 등입니다. 실험 결과와 이론적 분석을 통해 RL 회로의 과도응답 특성을 이해할 수 있습니다. 2. 인덕터의 특성 이 보고서에서는 인덕터의 중요한 특성인 DC 성분의 전압 통과 능력에 대해 설명하고 있습니다. 인덕터에 인가되는 사각파 입력 전압에서 DC 성분은 인덕터가...2025.01.20
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[2024-1학기 국민대학교 자동차융합실험] 전기모터실험(A+)2025.01.241. DC 모터의 전압별 속도 측정 실험 이번 실험의 첫번째 목적은 모터에 인가되는 전압의 크기가 증가함에 따라 모터의 회전속도가 증가함을 확인하는 것이었다. 모터에 인가되는 전압을 2V부터 2V씩 12V까지 증가시켰더니 출력 진동수도 그에 따라 증가함을 실험결과로 확인할 수 있었다. 즉, 인가 전압과 출력 진동수가 비례관계에 있음을 실험을 통해 확인했다. 또한 실험의 두번째 목적은 모터에 인가되는 전압의 크기에 따라 모터 회전속도가 증가함에 따른 소비전력 측정이다. 계산 결과를 통해 모터에 인가되는 전압이 증가함에 따라 모터의 소...2025.01.24
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[한양대 기계공학부] 동역학제어실험 실험9 비반전 증폭기의 주파수 응답특성 A+ 자료2025.04.261. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 출력전압의 일부를 반전 입력에 되돌려주는 형태를 가지고 있다. 이때, 입력단자 (+)와 (-)에 흘러들어가는 전류는 0이고 V+와 V-의 전압은 같다. 이를 통해 옴의 법칙을 이용하여 Vs와 VIN을 나타낼 수 있으며, 증폭이득 G는 1 + RF/R1로 계산된다. 2. Op-amp의 특성 Op-amp의 동작에서 고려해야할 가장 중요한 두 가지 특성은 GBW(Gain-BandWidth, 이득-대역폭 곱)와 SR(Slew Rate, 슬루 레이트)이다. GBW는 타당한 이득을 어느 주파수까지 보장하는지...2025.04.26
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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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Amperometric sensor for hydrogen peroxide_예비보고서2025.05.111. PBS (Phosphate Buffered Saline) PBS는 pH 7.4에서 8mM 인산염과 150mM NaCl, 3mM KCl, 2mM 의 식염수 용액으로 구성된 완충액이다. 10배 농축된 10X PBS 용액을 물로 희석하여 1X PBS 용액을 제조한다. 냉장 보관 시 침전이 발생할 수 있으므로 상온에 보관한다. 2. 전기화학 전기화학은 전기 에너지와 화학적 변화와의 관계를 연구하는 화학의 한 분야이다. 산화-환원 반응에 따라 전자가 한 원자에서 다른 원자로 이동하며, 전극과 물질 사이의 전자 관리가 핵심이다. 전류, ...2025.05.11
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12
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기초전자실험 4장_반파 및 전파 정류_결과레포트2025.04.301. 반파 정류 반파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고 측정하였다. 반파 정류 회로에서 다이오드 양단에 걸리는 최대 전압은 인가된 정현파 신호의 피크 값과 동일하다. 반파 정류 신호의 직류 값은 피크 값 Vm의 31.8%이다. 실험 결과 이론값과 측정값이 약 13% 차이가 났다. 2. 전파 정류 전파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고 측정하였다. 전파 정류 신호의 직류 값은 피크 값 Vm의 63.6%이다. 브리지 방식 전파 정류 회로와 중앙-탭 변압기 구조의 전파 정류 회로를 구성하여 실험하였다. 실험 결과 이론값과 측정...2025.04.30
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