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[전자공학응용실험]7주차_5차실험_실험 15 다단 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기의 개념과 등가회로를 설명하고, 다단 증폭기의 전압 이득 계산 방법을 제시하였습니다. 또한 작은 부하 저항을 구동하기 위한 2단 및 3단 증폭기 구성 방법을 설명하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 특성 공통 소스 증폭기, 소스 팔로워 증폭기, 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 특성을 정리하였습니다. 이를 바탕으로 다단 증폭기 설계 시 고려해야 할 사항을 설명하였습니다. 3. 2단 증폭기 설계 공통 소스 증폭기와 소스 팔로워를 연결한 2단 증폭기 회로를 제시하고, 이 회로의...2025.01.29
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전자회로설계실습 9번 결과보고서2025.01.201. 피드백 증폭기 피드백 증폭기란 출력의 일부를 입력 측으로 피드백하여 그 특성을 개선하는 증폭기이다. 일반적으로 Negative 피드백이 널리 쓰이고, Negative 피드백을 걸어줌으로써 증폭도는 다소 작아지지만 주파수 특성을 개선하고 파형의 일그러짐이나 잡음을 감소시키고, 안정한 동작을 시킬 수 있다는 장점이 있다. 따라서 피드백 증폭기는 전자공학에서 중요하게 쓰이고 이에 대한 특성을 아는 것이 중요하다. 2. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기에서 부하저항에만 변화를 주었을 때와 전원...2025.01.20
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실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 예비보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 증폭기의 전압 이득과 대역폭의 곱이 일정한 관계가 있음을 이해하고자 한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 게이트-소스 커패시턴스와 게이트...2025.04.28
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아날로그 및 디지털회로 설계 실습 실습5_전압제어 발진기_결과보고서2025.01.211. 전압제어 발진기 전압제어 발진기란 입력 제어 전압의 크기에 따라 출력되는 신호의 주파수가 변하는 주파수 가변 신호 발생 회로를 말한다. 전압제어 발진기의 설계방법에는 여러 가지가 있지만 이번 전압제어 발진기 회로는 크게 3가지로 구성되는데 Op amp를 이용한 적분기, 스위치 역할을 하는 BJT, 비교기 역할을 하는 슈미트 회로로 구성된다. 이번 설계실습에서는 슈미트 회로와 적분기 회로를 이용한 전압제어 발진기 회로를 만들어보았다. 제어 전압 Vc값을 조절하면서 출력 주파수 값을 측정하였고 그 결과 Vc가 0.5V~2V인 구간...2025.01.21
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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홍익대학교 집적회로 최종 프로젝트2025.05.151. 1비트 전가산기 논리회로 분석 및 변환 NAND 게이트, NOR 게이트, 인버터만 사용할 수 있는 Microwind 프로그램의 특성상 회로도를 NAND 게이트, NOR 게이트, 인버터로 구성된 회로도로 변경하였다. Cout을 구성하는 2개의 AND 게이트와 1개의 OR 게이트를 3개의 NAND 게이트로 변경하였고, XOR 게이트를 2개의 NAND 게이트, 1개의 NOR 게이트, 2개의 인버터로 변경하였다. 최종적으로 7개의 NAND 게이트, 4개의 인버터, 2개의 NOR 게이트로 구성된 1비트 전가산기 회로를 설계하였다. 2....2025.05.15
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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[전자회로응용] Non-interting Op Amp 결과레포트 (만점)2025.01.281. Non-inverting Op Amp 실험 주제는 Non-inverting Op Amp입니다. 실험 목표는 다음과 같습니다: ① Non-inverting OP amp의 동작원리를 설명하라. ② Bode plotter를 이용하여 'TL074CN'소자의 unit-gain frequency와 upper corner frequency를 확인하고 전압이득과의 관계를 설명하시오. ③ Oscilloscope를 이용하여 입출력 전압 swing을 확인하고 전압이득을 이론 계산 값과 비교하라. 예상 결과로는 Op amp는 DC amp이므로 DC...2025.01.28
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