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[기초전자실험 with pspice] 13 커패시터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 커패시터 커패시터는 전하를 저장(충전)하는 기능을 가진 부품이다. 커패시터는 유전체를 가운데 두고 양쪽에 전극(도체판)이 놓여 있는 구조로 만들어져 있다. 커패시터에 전압이 인가되면 [+]와 [-]의 전하들이 유전체를 사이에 두고 전극에 대전되어 충전이 이루어진다. 커패시터의 충전 용량을 커패시턴스라고 하며, [F]을 단위로 사용한다. 커패시터에는 전해 커패시터, 세라믹 커패시터, 탄탈 커패시터, 마일러 커패시터 등 다양한 종류가 있다. 커패시터를 직렬 또는 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 변화하며, 커패시터에 교류전압을 인...2025.04.28
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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Ex16. 키르히호프 전압법칙(단일전원) 결과 레포트2025.05.111. 키르히호프 전압법칙 실험을 통해 직렬 연결된 저항기에 걸리는 전압강하의 합과 인가전압 사이의 관계를 확인하였다. 키르히호프 전압법칙에 따르면 폐회로 내의 전압강하의 합은 인가전압과 같으며, 폐회로 내의 전압의 대수적인 합은 0이 된다. 실험 결과는 이러한 이론을 뒷받침하였다. 2. 직렬 연결 저항기 직렬로 연결된 저항기의 경우, 저항값이 증가할수록 해당 저항기에 걸리는 전압도 증가한다. 따라서 각 저항기에 걸리는 전압을 모두 더하면 인가전압과 같아진다. 3. 오차율 분석 실험 과정에서 발생한 오차율은 측정 기기의 오차, 측정 ...2025.05.11
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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Schottky Contact2025.05.081. Schottky Contact의 정성적 설명 n형 반도체에 대한 Schottky Contact의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. Homo-Junction과 Hetero-Junction의 개념을 설명하고, MS-Junction인 Schottky-Junction의 특성인 Rectifying 특성과 Ohmic 특성을 설명하였습니다. 또한 Metal과 Semiconductor의 접합에 따른 Energy Band Diagram을 통해 Schottky Barrier Height와 Built-In Potential의 개념을 설명하였...2025.05.08
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디스플레이소자공학 필기본 및 과제수행본 (기본용어, LCD, OLED, 기타디스플레이)2025.05.111. LCD의 계조 전압 설정 LCD의 계조 전압이 균일한 등간격으로 설정되어있지 않고, 비균등 (non linear)하게 설정되는 이유는 normally white mode에서의 액정의 V-T curve 특성 때문입니다. 전압을 인가하지 않았을 때 white인 경우 즉, V-T curve 에서 우측으로 갈수록 (전압이 인가될수록) black값을 가집니다. 인가전압이 V_th보다 클 때 액정배열이 바뀌기 시작하는데, 인가전압당 투과율이 균등하지 않으므로 계조전압이 비 균등하게 설정됩니다. 2. 계조 (Gray Scale) 계조 (G...2025.05.11
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 8장 연습문제 풀이2025.01.021. 공통소스 JFET 증폭기의 전압이득 공통소스 JFET 증폭기의 전압이득을 계산하기 위해 먼저 트랜스컨덕턴스 gm을 계산하고, 이를 이용하여 출력전압을 구한다. 출력전압은 입력전압에 비해 위상이 반전된다. 2. 공통 드레인 JFET 증폭기의 전압이득 공통 드레인 JFET 증폭기의 전압이득을 구하기 위해 교류소스저항 rs를 계산하고, 이를 이용하여 출력전압을 구한다. 출력전압은 입력전압과 동상이다. 3. 공통소스 MOSFET 교류증폭기의 전압이득 공통소스 MOSFET 교류증폭기의 전압이득을 구하기 위해 먼저 트랜스컨덕턴스 gm을 ...2025.01.02
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설비 설계 보고서(OVR,OVGR)2025.05.111. 정한시(59)특성 실험 정정된 값 이상의 전압이 인가되었을 때 전압의 크기와 관계없이 정해진 시간에 즉시 동작하는 특성을 실험하였다. 실험 결과 입력 전압값의 크기와 상관없이 설정된 시간(0.1초, 5초, 10초)에 즉시 동작하는 것을 확인하였다. 2. 한시(59)특성 실험 OP LEVEL 3.5로 한시(59) 특성을 실험하였다. 실험값을 통해 한시특성 동작 식을 이용하여 M 값을 구하고, 실험하지 않은 전압값의 동작특성 시간을 산출하였다. HIMAP의 데이터값과 M의 값으로 산출한 동작시간 오차는 최대 0.04%로 거의 없다...2025.05.11
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