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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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그래핀(graphene)이란?2025.04.281. 그래핀의 소개 그래핀은 육각형 격자 구조로 배열된 탄소 원자의 단일 층으로, 2D 물질로 간주됩니다. 그래핀은 높은 전도성, 강도, 가벼움, 넓은 표면적, 생체적합성 등의 장점을 가지고 있지만, 제한된 확장성, 가공의 어려움, 밴드갭 부족, 비용 등의 단점도 있습니다. 2. 그래핀의 합성 방법 그래핀은 기계적 박리, 화학 기상 증착(CVD), 에피택셜 성장, 환원그래핀옥사이드(rGO) 등의 방법으로 합성할 수 있습니다. 각 방법은 장단점이 있으며, 그래핀 샘플의 품질을 특성화하고 측정하는 방법으로 라만 분광법과 투과 전자 현미...2025.04.28
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범죄 수사에서 등장하는 과학적 기법에 대한 조사 연구2025.01.181. 지문의 분류 지문은 마루와 계곡이 교대로 배치된 모양으로 이루어져 있는데 각 개인은 자신만의 지문을 가지고 있다. 지문의 마루 부분들은 평행하게 배치되어 있고 때로는 끊어지거나 두 갈래로 나누어지기도 한다. 지문 전체적으로는 마루들의 배치는 특이성이라고 부르는 수많은 특별한 형상들을 이루는데, 크게 말굽문(loop), 삼각문(delta) 그리고 와상문(whorl) 3가지 형상으로 구분된다. 2. 지문 증거의 형태 수사 현장에서 물체에 남은 지문들은 지문이 남겨진 표면이나 잔류 지문의 오염에 의해 자연스럽게 눈으로 볼 수도 있지...2025.01.18
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ALD 공정 기술 및 응용2025.11.161. ALD (Atomic Layer Deposition) 공정 개요 ALD는 다양한 기재 위에 금속 전구체와 반응 가스를 교차적으로 주입하여 자가 제한 표면 반응(Self-limiting surface reaction)에 의해 박막을 층별로 성장시키는 진공기상증착 방법입니다. 복잡한 3차원 구조 기재 위에서도 매우 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있으며, 기체상 반응이 없고 순차적 단계로 진행됩니다. 장점으로는 입자와 핀홀이 없고 정밀한 두께 제어, 저온 공정, 우수한 박막 품질을 제공합니다. 2. ALD의 장단점 및 특성 ALD의...2025.11.16
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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AMOLED Tooling Process & 막 두께 측정 report (A+)2025.05.121. 진공 (Vacuum) 진공은 밀폐된 공간에서 주변의 압력보다 낮은 압력으로 유지되는 상태를 말한다. 진공 조건의 장점으로는 깨끗한 환경 조성, 낮은 분자 밀도, 분자 간 충돌 거리 확장, 반응 속도 가속화, 힘 가하기 등이 있다. 이번 실험에서 사용한 진공 챔버의 진공 범위는 10^-6 ~ 10^-7 Torr 정도이다. 2. Compressibility factor Compressibility factor는 실제 기체의 상태 방정식을 나타내는 계수로, 압력, 기체 밀도, 기체 상수, 몰질량, 절대온도 등의 관계를 나타낸다. 이...2025.05.12
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반도체 8대 공정(전공정, 후공정)의 이해2025.01.021. 반도체 제조 공정 반도체 제조 과정은 약 700~800개의 단위 공정을 거치며, 주요 공정으로 노광, 증착, 식각, 세정, 공정제어, 패키징 등 8대 공정이 있다. 노광 공정에서는 감광제를 이용해 회로를 그리고, 증착 공정에서는 박막을 쌓아 올리며, 식각 공정에서는 불필요한 부분을 제거한다. 세정 공정은 오염물을 제거하고, 공정제어는 공정 변수를 조절하여 원하는 상태를 유지한다. 마지막으로 패키징 공정에서는 반도체 칩을 보호하고 전기적 특성을 검사한다. 2. 반도체 장비 및 소재 반도체 제조에는 다양한 장비와 소재가 사용된다....2025.01.02
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MEMS 개론 기말과제2025.01.161. MEMS 공정 MEMS 공정에는 패턴 정의, 첨가 공정(성층, 증착), 제거 공정(식각) 등이 있다. Bulk micromachining은 실리콘 기판 자체를 가공하여 원하는 구조체를 만드는 것이고, Surface micromachining은 실리콘 기판을 손상시키지 않고 표면의 얇은 막으로 구조체를 만드는 것이다. 이러한 MEMS 공정을 통해 작은 스케일의 특징을 파악할 수 있다. 2. Soft baking과 Hard baking Soft baking은 감광액 내 용매를 약 5% 제거하여 감광액의 밀도를 높이고 웨이퍼와의 접...2025.01.16
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나노재료공학 기말레포트2025.11.121. 깁스 함수와 화학반응 깁스 함수(ΔG = ΔH-TΔS)는 일정한 온도와 압력에서 계로부터 얻을 수 있는 일과 자발성을 나타낸다. ΔG가 0보다 작으면 화학반응은 자발적이고, 0보다 크면 자발적이지 않으며, 0이면 평형 상태에 있다. 이는 화학반응의 진행 방향과 가능성을 결정하는 중요한 열역학적 지표이다. 2. 박막 제조 기술 균일한 박막을 제조하는 방법으로는 자기조립(Self-Assembly), LB법, 층별적층법(LBL), 리소그래피, CVD 등이 있다. LB법은 양친매성 분자를 이용하여 매우 얇고 균일한 막을 제작하며, L...2025.11.12
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