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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트2025.05.101. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성) 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR로 표현된다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류를 직류로 변환하는데 쓰인다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 2. 키르히호프(K...2025.05.10
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전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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제너다이오드 회로의 특성 실험2025.05.111. 제너다이오드의 특성 제너 다이오드는 항복영역에서 동작하도록 제조된 다이오드로, 도핑 농도를 조절하여 2V에서 200V 사이의 제너 전압을 조정할 수 있다. 제너 다이오드는 항복영역에서 동작할 때 전류가 변해도 전압 변화가 작아 전압 조절 역할을 할 수 있다. 2. 제너 전압 조정기 제너 전압 조정기는 부하 저항 양단의 전압을 일정하게 유지시키기 위해 사용된다. 제너 다이오드가 항복영역에서 동작하도록 하고, 직렬 저항을 통해 전류를 제한하여 출력 전압을 일정하게 유지시킨다. 3. 제너 이탈점 제너 이탈점은 최소 전원 전압과 최대...2025.05.11
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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Diode의 전기적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험을 통해 다이오드의 정방향 Bias 특성, 다양한 회로적 모델링, Avalanche Breakdown과 Zener Breakdown의 차이, Zener Diode의 동작 특성 등을 이해하고 다이오드와 Zener Diode의 전압-전류 특성을 파악하였다. 2. 다이오드의 용도 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 '체크 밸브' 역할을 하며, 정류기로 사용되어 AC를 DC로 변환하는 데 활용된다. 또한 다이오드는 온도 센서나 기준 전압 발생기로도 사용될 수 있다. 3. Zener Diode의 특...2025.01.12
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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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