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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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RLC 직렬회로 결과보고서2025.01.121. RLC 직렬회로 이번 실험은 RLC 직렬회로를 이용하여 공진주파수를 측정해보고, 차단주파수, 대역폭, 양호도 등을 측정해보는 실험이었습니다. 주파수를 바꾸어가며 전압이 최대가 되는 지점을 찾고 공진주파수를 측정하였습니다. 공진주파수란 임피던스 Z가 최소가 되며 전류 I가 최대로 증가하는 지점을 의미합니다. 커패시터와 인덕터의 리액턴스 특성으로 인해 어느 한 지점에서 교차하게 되며, 이때 공진주파수가 발생합니다. 또한 공진주파수일 때 파형은 동상형태의 파형이 나오며, 공진주파수보다 낮으면 출력파형이 앞서고 공진주파수보다 크면 출...2025.01.12
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기초전자실험 REPORT 옴의 법칙2025.05.061. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본적인 법칙입니다. 전압은 전류와 저항에 비례하고, 전류는 전압에 비례하지만 저항에 반비례합니다. 또한 저항은 전압에 비례하지만 전류에 반비례합니다. 이러한 관계를 수식으로 표현하면 V = IR, I = V/R, R = V/I 입니다. 실험을 통해 이러한 옴의 법칙을 확인하고 이해할 수 있습니다. 2. 전압-전류 그래프 옴의 법칙에 따르면 전압과 전류는 선형적인 관계를 가집니다. 이를 그래프로 표현하면 기울기가 1/R인 직선이 됩니다. 이 기울기는 컨덕턴스를 ...2025.05.06
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A+ / 회로망 정리 실험보고서2025.05.131. 중첩의 원리 중첩정리(Superposition Theorem)는 옴의 법칙을 전원이 여러 개인 회로에도 적용한다. 회로망에 중첩정리를 적용하기 위해서는, 특정한 조건들이 만족되어야 한다. 1. 모든 부품들은 선형(linear)이어야 하는데 이는 전류가 인가 전압에 비례한다는 것을 의미한다. 2. 모든 부품들은 양 방향성이어야 한다. 이는 전압원의 극성이 반대가 되어도 전류의 값이 동일하다는 것을 의미한다. 3. 수동소자(Passive component)들이 사용될 수 있다. 수동소자는 증폭이나 정류를 하지 못하는 저항, 커패시...2025.05.13
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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일반물리학실험 옴의법칙 결과레포트2025.05.151. 옴의 법칙 옴의 법칙(Ohm's law)은 도체의 두 지점사이에 나타나는 전위차(전압)에 의해 흐르는 전류가 일정한 법칙에 따르는 것을 말한다. 두 지점 사이의 도체에 일정한 전위차가 존재할 때, 도체의 저항(resistance)의 크기와 전류의 크기는 반비례한다. 2. 전류밀도 전류는 스칼라량으로 정의 되어 있지만 전류 밀도는 벡터량이다. 따라서 어떤 면을 통과하는 전류의 양을 생각할 때 면의 크기 뿐 아니라 면의 방향과의 상관관계를 쉽게 표시할 수 있다. 3. 내부저항 내부저항은 주목하고 있는 계에 대하여 임의의 2단자간에...2025.05.15
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아주대학교 물리학실험2 실험 15 옴의 법칙(A+)2025.01.231. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명하는 기본적인 법칙이다. 옴의 법칙을 만족하는 물질을 옴성 물질, 옴의 법칙을 만족하지 않는 물질을 비옴성 물질이라고 한다. 옴성 물질은 전압과 전류 사이의 관계가 선형적이며 저항이 일정하게 유지되지만, 비옴성 물질은 전압과 전류 사이의 관계가 선형적이지 않고 저항이 일정하지 않다. 대표적인 비옴성 물질로는 다이오드, 트랜지스터 등이 있다. 2. 탄소저항 실험 1에서는 회로에 탄소저항을 연결하여 표시저항과 실제 저항 측정값을 비교하였다. 33Ω과 100Ω...2025.01.23
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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전자공학실험 2장 PN 정류회로 A+ 결과보고서2025.01.151. 반파 정류회로 실험회로 1([그림 2-12])에서, v_s에 피크 값이 5V이고 주파수가 100Hz인 정현파를 인가한다. 부하 저항 R에 10kΩ을 연결하고, 입력 v_s와 출력 V_O의 파형을 측정해서 [그림 2-22]에 기록하였다. [그림 2-22]의 파형으로부터 출력 V_O의 평균값(root mean square)을 구하였다. 실험 중 오류를 발견했는데, 실험회로 1에 대해 사인파를 가해줄 때 waveform generator의 Amp를 10V가 아닌 5V로 설정해줬음을 깨닫게 되었다. 따라서 V_m값 또한 원래 나와야 ...2025.01.15
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