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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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BJT IV 특성 실험 레포트2025.05.081. BJT(Bipolar Junction Transistor) BJT(Bipolar Junction Transistor)는 2개의 PN 접합 구조로 되어있으며, n-p-n형, 혹은 p-n-p형이 있다. 총 3개의 전극으로 이루어져 있으며, 각각 Emitter, Base, Collector이다. Emitter는 전류가 흐르게 하도록 전자를 주입하게 되고, Base는 전류의 흐름을 제어하며, Collector는 Transistor에서 증폭된 전류를 받게 된다. 2. BJT의 동작 모드 BJT는 Emitter-Base와 Base-Col...2025.05.08
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit2025.01.131. BJT 자기 바이어스 회로 BJT의 자기 바이어스 회로의 특성을 알아보고 이해하는 실험입니다. NPN형 BJT 자기 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측정하고 그래프를 그려 이해하였습니다. 실험에서 이미터 저항을 변화시키며 전류와 전압을 측정하고 전류이득 β를 계산하였습니다. 키르히호프 법칙을 이용하여 동작점 전류와 전압을 계산하고 실험값과 비교하였습니다. 그래프를 통해 동작점이 활성영역에 있음을 확인하였습니다. 2. BJT 전압분배 바이어스 회로 NPN형과 PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측...2025.01.13
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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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