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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
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중앙대 전자회로설계실습 결과5.BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 이 프레젠테이션은 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 결과물로, BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)와 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 사용한 구동(스위치) 회로를 설계하고 구현한 내용을 다루고 있습니다. 실험 과정에서 LED 구동 회로를 구현하고 측정하였으며, 회로의 동작 특성과 소비 전력 등을 분석하였습니다. 실험 결과에서 약 20%를 넘는 오차율이 발생했는데, 이는 설계 과정에서 사용한 저항값과 실제 실험에서 사용한 저항값의 차이, 다이오드 불량 등...2025.01.27
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A+받은 BJT(바이폴라 정션 트랜지스터) 결과레포트2025.05.101. NPN 트랜지스터 실험 NPN 트랜지스터의 동작을 살펴보았다. 실험 회로를 구성하고 가변저항을 조정하여 트랜지스터의 각 단자에 인가된 전압 및 전류를 확인하였다. Emitter-Base 사이의 전압이 이상적인 도통전압 0.7V와 다른 이유를 실제 NP 다이오드의 V-I 곡선을 통해 설명하였다. Emitter에 흐르는 전류와 Base, Collector로 나뉘는 전류를 측정하여 전류 이득을 계산하였다. 가변저항 값을 변경하여 Emitter 전류의 변화에 따른 전류 이득의 변화를 확인하였다. 또한 Emitter 전압의 극성을 반대...2025.05.10
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MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계2025.05.101. MOSFET의 정의 MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 엔모스펫, 피모스펫, 씨모스펫 3가지로 분류할 수 있으며, 특히 CMOS는 전력 소모가 매우 적어 컴퓨터의 중앙처리 장치와 같은 로직 소자나 메모리 소자에 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET의 구조 MOSFET은 드레인, 소스, 게이트, 바디로 구성되어 있으며, P형 반도체 기판 위에 N형 반도체 2개를 연...2025.05.10
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전기전자기초실험2 5주차 트랜지스터1(예비+결과레포트)2025.01.241. 트랜지스터의 종류 트랜지스터에는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)가 있습니다. BJT는 전류 제어 방식으로 작동하며 NPN과 PNP 두 가지 유형이 있습니다. FET는 전압으로 제어되며 JFET(Junction FET)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 등이 있습니다. MOSFET은 전력 제어에 유리하고 빠른 스위칭 속도로 다양한 전자기기에 활용됩니다. 2. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 차이 NPN 트랜...2025.01.24
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소오스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구성하고, 실험회로 2에서는 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구성하였습니다. 각 회로에서 MOSFET의 동작 영역을 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 실제 전압 이득을 측정하고, 부하 저항 RL을 변경하여 그 영향을 확인하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는...2025.01.15
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였고, 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로의 동작 특성 실험회로 1에서 주어진 바이어스 조건은 능동 영역으로 동작함을 알...2025.01.15
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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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