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[전자회로실험] 바이어스 해석 결과보고서2025.04.261. 트랜지스터 동작 영역 실험을 통해 트랜지스터의 동작 영역을 파악하였다. 트랜지스터가 능동 영역에서 동작하기 위한 Vbb의 범위를 구하고, 능동 영역에서의 Ic 값을 구하였다. 또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작할 때의 Vce를 구하고 데이터시트 값과 비교하였다. 2. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서 Vb, Vc, Ic 등의 값을 측정하고 계산하였다. 실험값과 이론값, 시뮬레이션 값 사이에 차이가 있었는데, 이는 실험 과정에서의 오류로 인한 것으로 보인다. 3. 저항 분할 바이어스 회로 저항 분할 바이어스 회로에서도...2025.04.26
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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실험 14_캐스코드 증폭기 결과보고서2025.04.281. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가 회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서...2025.04.28
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC회로의 시정수 측정 주어진 시정수를 갖는 RC회로를 만들어 설계하고 충전, 방전하며 전압을 측정하는 실험을 하였다. 완전한 충방전이 일어나도록 하는 전압과 시간 상수를 주기로 갖는 전압을 인가한 상태에서 오실로스코프를 통해 저항과 커패시터의 파형을 확인할 수 있었다. 2. DMM의 내부저항 측정 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 전압을 측정하여 DMM의 내부저항을 계산하였다. DMM의 내부저항이 10MΩ에 근사하게 측정되었으며, 직렬로 큰 저항이 연결된 회로에서 DMM으로 전압을 측정할 경우 실제 전압과 다를 수 있다는 ...2025.04.25
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(A+ 자료) C언어 계산기 전체 코드 및 완벽 정리 보고서2025.04.261. C 언어 계산기 이 자료는 C 언어로 구현된 계산기 프로그램의 전체 코드와 상세한 설명을 제공합니다. 계산기는 덧셈, 뺄셈, 곱셈 연산을 지원하며, 큰 숫자와 소수점 연산도 가능합니다. 코드는 잘 구조화되어 있으며, 각 함수의 역할과 동작 과정이 자세히 설명되어 있습니다. 이 자료를 통해 C 언어 프로그래밍과 알고리즘 설계 능력을 향상시킬 수 있습니다. 1. C 언어 계산기 C 언어 계산기는 프로그래밍 입문자들에게 매우 유용한 도구입니다. 기본적인 산술 연산을 수행할 수 있는 이 계산기는 프로그래밍 개념을 이해하고 연습하는 데...2025.04.26
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_8 회로접지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 회로 전압 측정 회로에서 전압은 두 점 사이의 전위 차이로 정의됩니다. 전압을 측정할 때는 반드시 기준점을 설정해야 하며, 이 기준점을 접지(ground)라고 합니다. 접지에는 대지접지(earth ground), 회로접지(circuit ground) 등 다양한 종류가 있습니다. 실험에서는 회로의 다양한 지점을 기준점으로 설정하고 전압을 측정하여 전압 차를 계산하는 과정을 수행합니다. 2. LTspice 시뮬레이션 LTspice 시뮬레이션을 통해 회로의 동작을 확인합니다. 다양한 지점을 접지로 설정하고 전압을 측정하여 실험 결과...2025.05.13
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실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과보고서2025.04.281. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 실험 16에서 수행한 '정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 수오스 증폭기(common source amplifier) 회로'를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 하였다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전압 이득 측정 실험 절차 3번에서는 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 보기 위해 입력에 ...2025.04.28
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직,병렬 및 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정(정식보고서)2025.04.281. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 간의 선형의 비례 관계를 수학적으로 설명하는 것으로, 이는 V = IR 방정식으로 표현할 수 있다. 회로에는 저항을 병렬, 직렬 또는 이를 섞은 혼합하여 연결할 수 있으며, 직렬연결과 병렬연결 시 등가저항은 각각 Rt = R1 + R2 + ... 와 1/Rp = 1/R1 + 1/R2 + ... 로 계산할 수 있다. 2. 키르히호프 법칙 키르히호프 법칙은 복잡한 회로를 분석하는 경우 이를 단순화시키기 위해 사용되는데, 제 1법칙(분기점 법칙)은 모든 분기점에서 들어오고 나가는 전류의 합...2025.04.28
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서2 (보고서 1등)2025.05.101. 건전지 내부 저항 측정 설계실습 2에서는 건전지의 내부 저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였습니다. 건전지의 내부 저항이 작을수록 좋은 건전지이며, 실습에 사용되는 6V 건전지의 내부 저항은 0~1Ω 사이의 값을 가질 것으로 예상됩니다. 측정 회로는 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 전력 소비를 최소화하였습니다. 2. DC 전원 공급기 출력 전압 측정 DC 전원 공급기의 출력 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하였습니다. Output 1과 Output 2의 (+)단자 사이의 전압은 측정되지 않거나 0V로 측정될 것입...2025.05.10
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