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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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계측실험[OP-Amp의 작동원리 이해]2025.01.121. 오피앰프(연산증폭기)의 동작원리 이 실험의 목적은 오피앰프(또는 연산증폭기)의 동작원리를 이해하는 것입니다. 실험에 사용되는 도구는 직류전원, 멀티미터, 함수 발생기, 다양한 저항 등입니다. 실험 방법은 반전 증폭기 회로를 구성하고, 입력 전압과 출력 전압을 측정하여 증폭기의 이득과 위상차를 계산하는 것입니다. 이를 통해 오피앰프의 동작 원리를 이해할 수 있습니다. 1. 오피앰프(연산증폭기)의 동작원리 오피앰프(연산증폭기)는 전자회로에서 매우 중요한 역할을 하는 핵심 부품입니다. 오피앰프는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생...2025.01.12
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전압 체배 회로의 동작 원리와 회로 구성2025.01.131. 전압 체배 회로의 동작 원리 실리콘 반파 정류회로의 단점인 DC 전압 제한을 극복하기 위해 전압 체배 회로를 사용한다. 입력 전압의 정 반주기 동안 각 캐패시터가 충전되어 최종적으로 입력 전압의 2배 크기의 DC 전압을 출력할 수 있다. 이때 C3의 정격 전압이 C1, C2보다 높아야 하는 이유는 C3에서 C1과 C2의 충전 전압을 합친 전압을 충전해야 하기 때문이다. 2. 직렬 전압 체배 회로 직렬 전압 체배 회로는 입력 전압의 부 반주기와 정 반주기에 각각 다른 캐패시터가 충전되어 최종적으로 입력 전압의 4배 크기의 DC ...2025.01.13
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 2. BJT의 기본 특성 실험 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다. 3. BJT의 동작...2025.01.15
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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전기회로설계실습 실습5 예비보고서2025.01.201. Oscilloscope와 Function Generator 사용법 실습을 통해 Oscilloscope와 Function Generator의 동작원리를 이해하고 사용방법을 익혔습니다. Function Generator를 사용하여 사인파, 삼각파, 사각파 신호를 출력하고 Oscilloscope로 파형을 관찰하는 방법을 배웠습니다. 또한 Function Generator의 Thevenin 등가회로와 Loading Effect에 대해 학습하였습니다. 1. Oscilloscope와 Function Generator 사용법 Oscillo...2025.01.20
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 Oscillator 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator 회로 설계, Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 영향 분석 등이 포함되어 있습니다. 설계한 Oscillator 회로의 동작 원리와 파형 분석 결과가 자세히 설명되어 있습니다. 1. Oscillator 설계 Oscillator 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 정확한 주파수와 ...2025.01.11
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