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전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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공통 이미터 증폭기 설계 및 실험2025.11.171. 공통 이미터(Common-Emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 이미터가 신호 접지에 있는 증폭기로, 입력 포트는 베이스와 이미터 사이, 출력 포트는 컬렉터와 이미터 사이에 위치한다. 중간 정도의 입력 저항, 큰 전압 이득, 큰 전류 이득, 큰 출력 저항을 특징으로 하며 다단 증폭기의 중간 증폭단으로 주로 사용된다. 부하 저항 증가 시 증폭도가 증가하고, 바이어스 저항 변화에 따라 트랜지스터의 동작점이 포화 또는 차단 영역으로 이동하여 출력 파형에 왜곡이 발생한다. 2. 회로 설계 및 부품 선정 공통 이미터 회로 설계에서 트...2025.11.17
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CB 및 CC 증폭기 특성 실험 보고서2025.11.181. 공통 베이스(CB) 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 이미터에 입력을 받아 컬렉터에서 출력을 내보내는 회로입니다. 고주파 증폭회로에 주로 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가집니다. 전압이득은 크지만 전류이득은 1보다 작습니다. DC해석과 AC해석을 통해 전압이득, 교류 입력 임피던스, 교류 출력 임피던스를 측정할 수 있습니다. 2. 공통 컬렉터(CC) 증폭기 및 이미터 폴로어 공통 컬렉터 또는 이미터 폴로어 증폭기는 베이스에 입력을 받아 이미터에서 출력을 내보냅니다. 높은 입력 임피던스와 작은...2025.11.18
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전자회로실험2 복합구조 - BJT와 JFET 다중증폭단2025.11.171. BJT와 JFET의 기본동작원리 BJT는 전류로 전류를 제어하는 쌍극성 소자로 자유전자와 정공이 모두 전도에 참여하며, NPN과 PNP 구조가 있다. JFET는 전압(전계)으로 전류를 제어하는 단극성 소자로 N채널과 P채널이 있다. BJT는 Base/Emitter/Collector 단자를 가지고 JFET는 Gate/Source/Drain 단자를 가진다. 두 소자 모두 빠른 스피드, 큰 전류용량, 높은 입력임피던스, 낮은 온도민감도의 장점을 가진다. 2. 교류결합 다중증폭단 시스템 높은 주파수 신호 증폭에 사용되며, 증폭단 간에...2025.11.17
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달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로 실험2025.11.171. 달링턴 회로 2개 이상의 트랜지스터를 직결하여 사용하는 복합 회로로, pnp 또는 npn형 트랜지스터 2개를 조합시켜 1개의 등가 트랜지스터로 만드는 접속 방법이다. 전류 증폭률은 2개 트랜지스터의 곱으로 되어 매우 커진다. 직결형 컬렉터 접지 회로로도 불리며, 특성이 개선되어 고감도의 직류 증폭기, 고입력 저항 증폭기, 전력 증폭기 등에 사용된다. 2. 캐스코드 회로 초단에 이미터 접지 증폭 회로, 다음 단에 베이스 접지 증폭 회로를 종속으로 접속한 증폭 회로이다. 출력 임피던스가 커질 뿐만 아니라 높은 이득을 갖는 증폭기로...2025.11.17
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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달링톤, 캐스코드 및 캐스코드 증폭기 실험2025.11.161. 달링톤(Darlington) 회로 달링톤 회로는 전류 증폭을 위한 고성능 바이폴라 트랜지스터 회로로, 두 개의 바이폴라 트랜지스터를 직접 연결하여 구성된다. 첫 번째 트랜지스터 Q1에서 증폭된 전류가 Q2의 베이스로 연결되어 다시 증폭되므로, 전체 전류이득은 두 트랜지스터의 이득을 곱한 형태인 βD = β1×β2가 된다. 이 회로의 주요 목적은 전류를 효과적으로 증폭하는 것이며, 전압이득은 Emitter Follower와 유사하여 1에 가까운 값을 가진다. 2. 캐스코드(Cascode) 회로 캐스코드 회로는 고주파에서 사용되는...2025.11.16
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공통 이미터 증폭기 및 주파수 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) 공통 이미터 증폭기는 BJT 트랜지스터를 이용한 기본 증폭 회로로, 입력 신호는 베이스-에미터 접합으로 주입되고 출력은 콜렉터-에미터 접합에서 취합니다. 이 회로는 입력과 출력 신호 사이에 180도의 위상 차이를 가지며, 직류 바이어스 회로를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정합니다. 실험에서는 전압 분배 바이어스 방식을 사용하여 각 단자의 전압과 전류를 측정하고, 베타값과 임피던스를 계산하여 회로의 특성을 분석했습니다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 전압이득은...2025.11.18
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