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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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트랜지스터 결과보고서2025.01.051. 트랜지스터 스위칭 기능 트랜지스터 스위칭 회로는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 스위칭할 수 있는 회로로 많이 사용되고 있다. 이 회로에서 트랜지스터의 콜렉터는 전류를 흡입하는 기능이므로 전류를 출력할 수 없다. 사용법은 제어하고 싶은 것의 플러스쪽을 전원에 연결하고 마이너스쪽을 트랜지스터의 콜렉터에 연결한 후, 베이스 전류를 ON/OFF하면 부하의 전류를 ON/OFF할 수 있다. 2. 트랜지스터 스위칭 동작원리 트랜지스터의 이미터와 컬렉터 간을 도통 상태로 하려면 베이스 전류 IB가 흐르게 하면 된다. 이를 반대로 생각...2025.01.05
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물리화학실험 basic electronics 실험보고서2025.05.051. 다이오드 다이오드는 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로 한쪽에는 낮은 저항을, 다른쪽에는 높은 저항을 둬 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게하는 물질이다. 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다. 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다. 실험 결과 게르마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, 실리콘 다이오드는 0.5~0.7V정도에서 전류값이 갑자기 증가하는 것을 보였는데, 이는 각자의 문턱저항을 의미한다. 문턱저항 이상에서는 전류가 ...2025.05.05
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+ 3주차 예비보고서2025.01.031. R/L/C 회로 이 실험에서는 R/L/C로 구성된 회로를 구현하고 Impedance의 phase 개념을 측정함으로써 Passive component(R,L,C)에 대한 기본적인 이해를 목표로 합니다. 각 소자의 조합에 따른 등가 회로의 이해와 Diode의 동작 원리 및 Application 적용도 다룹니다. 2. 저항기(Resistor) 저항기는 전류의 흐름을 제한하거나 조절하는 데 사용되며, 이때 전류의 흐름을 제한하는 정도를 나타내는 물리적인 속성을 Resistance라고 합니다. 옴의 법칙에 따르면 전압, 전류, 저항 간...2025.01.03
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홀효과 실험 결과 보고서2025.01.031. 홀 효과 홀 효과(Hall Effect)는 도체가 자기장 속에 놓여있을 때 그 자기장에 직각 방향으로 전류가 흐르면, 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차(홀 전압)가 발생하는 현상입니다. 1879년 에드윈 허버트 홀(1855-1938)에 의해 발견되었으며, 홀 전압의 크기는 전하 밀도에 의존하기 때문에 반도체에서의 전압이 순수한 금속 도체에서보다 더 큽니다. 오늘날 전자 공학에서 홀 효과는 자기장의 세기와 방향을 측정하는 데에 이용됩니다. 2. 실험 원리 이 실험에서는 n-도핑 게르마늄 반도체를 사용하여 홀 효과를 조...2025.01.03
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제너 다이오드 응용회로 예비레포트2024.12.311. 제너 다이오드의 전류-전압 특성 제너 다이오드의 전류-전압 특성 결과를 보면 6V 근처에서 제너 항복이 발생하여 전압이 5.6V로 유지되는 것을 볼 수 있다. 인가 전압에 따른 전류를 나타낸 그래프와 달리 3V 이상의 전압이 인가되었을 때부터 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 증가하는 모습을 보이고 있다. 제너 다이오드의 특성에 따라 제너 항복이 발생하면 전압은 거의 일정한 값으로 유지되고 전류만 급격하게 증가한다. 2. 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로의 특성 제너 다이오드를 통해 정전압 회로를 구성하고 인가 전압을 10V...2024.12.31
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A+받은 다이오드 클램퍼 결과레포트2025.05.101. 다이오드 클램퍼 실험을 통해 다이오드 및 커패시터를 이용한 클램퍼 회로를 구성하고, 출력 파형을 관찰하였다. 양의 클램퍼 회로에서 저항값을 변화시키며 출력 파형을 관찰하였고, 시정수가 작은 경우 커패시터가 일정한 직류 전압값에 수렴하지 않고 정현파의 형태를 나타내는 것을 확인하였다. 저항값이 증가하면서 시정수가 커짐에 따라 출력 파형이 입력 전압을 기준으로 양의 반주기에서 약 1V의 DC 성분이 더해진 형태로 나타나며, 음의 반주기에서 다이오드의 도통 전압에 수렴하는 것을 확인하였다. 음의 클램퍼 회로에서는 저항값이 큰 경우에...2025.05.10
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
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