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[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
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건국대 물및실2 옴의 법칙 A+ 결과 레포트2025.01.211. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 확인하고, 직렬 및 병렬 연결된 회로에서 전압, 전류를 측정하여 등가저항을 계산하였다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 오차 발생 원인을 분석하였다. 오차 발생 원인으로는 실제 저항 값의 차이, 측정 방법의 오차 등이 있었다. 1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명하는 기본적인 물리 법칙입니다. 이 법칙은 1827년 조지 옴에 의해 발견되었으며, 전기 공학 및 전자 공학 분야에서 매우 중요한 역할을 합니다. 옴의 법칙에 따르면 전압(V)은 전류(I)와 ...2025.01.21
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 3주차 결과레포트2025.05.101. R회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-1에서는 20옴 저항 6개를 직, 병렬로 연결하여 등가저항을 구현하고 두 가지 방법으로 등가저항을 측정하였다. 직접 측정 방법으로는 13.2옴, 전압-전류 비 방법으로는 13.16옴을 얻었으며, 이론값 13.33옴과 비교하여 오차율 0.98%와 1.28%를 보였다. 오차의 원인으로는 측정 장비의 한계와 저항 자체의 오차 등이 지적되었다. 2. C회로 구현 및 등가회로 구현 실험 1-2에서는 100옴 저항과 220pF 커패시터 6개를 직, 병렬로 연결하여 RC 회로를 구현하고 주파수에 따른...2025.05.10
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서22025.01.171. PWM 제어회로 PWM 제어회로를 구성하고 톱니파형과 출력 파형을 확인하였다. PWM 제어회로는 출력 전압과 기준 전압을 비교하여 생긴 오차를 오차 증폭기로 증폭하고, 이 증폭된 전압은 비교기에서 톱니파와 비교되어 오차에 상응한 구형파 펄스를 생성한다. 오실로스코프를 통해 톱니파형과 이에 대한 구형파를 관찰할 수 있었다. 2. Buck Converter Buck Converter 회로를 구성하고 입력 전압을 변경하며 출력 전압을 확인하였다. 하지만 이상적인 출력 전압이 나오지 않았는데, 그 이유로는 가변저항 값의 부정확성, 소...2025.01.17
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 10 (AC) 영문2025.05.031. IEEE 윤리 강령 IEEE 윤리 강령에 따라 보고서를 작성했음을 서약했습니다. 이 강령은 IEEE 회원들이 기술이 전 세계의 삶의 질에 미치는 중요성을 인정하고, 전문직에 대한 개인적 의무를 수락하면서 최고의 윤리적이고 전문적인 행동을 약속하는 것입니다. 2. R-L-C 직렬-병렬 회로 실험에서는 R-L-C 직렬-병렬 회로에서 전체 임피던스, 저항 1과 코일을 통과하는 전류, 저항 2와 커패시터를 통과하는 전류를 계산하고 측정했습니다. 계산 결과와 측정 결과를 비교하여 KCL(전류 연속 법칙)이 AC 회로에서도 성립함을 확인...2025.05.03
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[전기회로설계실습] 설계 실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답2025.05.131. RL회로 설계 및 과도응답 분석 본 실험은 주어진 시정수를 갖는 간단한 RL회로를 설계하고 이를 측정하여 과도응답을 확인하는데 의의가 있다. RL회로의 시정수는 인덕턴스값을 저항값으로 나누어 구할 수 있고, 인덕터 전압이 입력 전압의 0.368배가 될 때까지의 걸린 시간을 확인하는 것으로 실험적 측정이 가능하다. Oscilloscope에서는 1.05%의 적은 오차율로 성공적인 실험이 이루어졌고, 마찬가지로 시뮬레이션 결과 또한 0.5%의 적은 오차율로 성공적인 실험이 이루어졌다고 판단된다. 2. RL회로와 RC회로의 차이 분석...2025.05.13
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Ex23.평형 브리지 회로 결과 레포트2025.05.111. 평형 브리지 회로 평형 브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 구하고, 이를 이용하여 미지의 저항을 측정하는 실험을 수행했습니다. 실험 결과 분석을 통해 서로 마주보는 두 저항의 곱이 같다는 평형 브리지 회로의 특성을 확인할 수 있었습니다. 또한 오차율 발생 원인과 정밀도를 높이는 요소들에 대해 고찰하였습니다. 2. 저항 측정 평형 브리지 회로를 이용하여 미지의 저항을 측정하는 방법에 대해 설명했습니다. 저항 측정의 정밀도를 결정하는 요소로 R1과 R2의 값 균등성, 표준 가변저항 사용, 고감도 검류계 사용, 고정밀 저항기 사용...2025.05.11
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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[중앙대전전][전기회로설계실습][결과보고서]-4.Thevenin 등가회로설계2025.05.151. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서는 전기회로설계실습의 4번 실습 결과에 대한 내용입니다. 실험에서는 브릿지 회로를 활용하여 Thevenin 등가회로를 설계하고, 이에 따른 전압과 전류를 측정하여 실습계획서에서 예측한 값들과 비교하였습니다. 실험 결과, 비교적 오차가 1% 미만으로 측정되어 실험이 성공적으로 진행되었다고 판단하였습니다. 이를 통해 1학기 회로이론 시간에 배운 Thevenin 등가회로 이론을 실제로 구현하고 이해할 수 있었다고 언급하고 있습니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 ...2025.05.15
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