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A+받은 정류회로 결과레포트2025.05.101. 반파 정류회로 실험을 통해 다이오드 1개를 이용한 반파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기에서 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에서 다이오드의 도통 전압을 뺀 값이 된다. 또한 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하여 오차를 계산하였다. 2. 전파 정류회로 실험을 통해 다이오드 2개를 이용한 전파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기와 음의 반주기에서 각각 다른 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에...2025.05.10
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일반물리실험2 정류회로 결과보고서2025.01.171. 정류회로 실험에서는 오실로스코프를 이용하여 정류회로 실험기기 회로상의 여러 지점의 전압 파형을 측정하고 이 파형의 전압진폭, 주기, 진동수를 해석하면서 교류가 직류로 변화되어지는 과정을 살펴보았다. 그리고 그 과정에서 정류회로를 구성하는 회로소자인 다이오드와 콘덴서(커패시터, 축전기)의 역할을 이해하였다. 2. 오실로스코프 사용법 실험에서는 오실로스코프의 여러 스위치와 조절기들을 조작해 봄으로써 자연스럽게 오실로스코프의 사용법을 익히도록 하였다. 3. 변압기 변압부는 변압부의 입력과 출력 코일의 감은 수에 비례하여 입력 전원의...2025.01.17
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Semiconductor Device and Design - 32025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 게르마늄보다 밴드갭이 크고(1.12eV vs 0.66eV), 최대 동작 온도가 높아(~150°C vs ~100°C) 집적회로(IC) 제작에 더 적합합니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 산화막 형성이 쉽고 화학적으로 안정적이며, 실리콘이 더 풍부하고 가격도 10배 정도 저렴하기 때문에 실리콘이 IC 재료로 선호되게 되었습니다. 2. N Type and P Type 반도체 물질에 불순물을 첨가하면 n형과 p형 반도체가...2025.05.10
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중앙대학교 일반물리실험(2) A+, 보고서 점수 1등 - < 정류회로 실험 >2025.05.161. 정류회로 실험 실험을 통해서 교류전류를 다이오드의 정류작용과 콘덴서의 충•방전작용을 이용하여 직류전류로 바꿀 수 있다는 것을 확인했고, 주기가 측정가능한 교류전류와 주기가 측정불가한 직류전류의 차이를 확인할 수 있었다. 또한 실험을 진행하면서 다이오드의 정류작용과 콘덴서의 충•방전작용의 영향에 따른 그래프의 여러가지 모양들을 확인할 수 있었다. 실험을 통해 오실로스코프 장치에 있는 많은 다이얼들의 역할과 장치를 사용할 때 주의해야하는 점을 알 수 있었으며, 결과적으로 오실로스코프의 사용법을 익힐 수 있었다. 1. 정류회로 실험...2025.05.16
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아주대학교 물리학실험2 정류회로(A+)2025.01.231. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 회로입니다. 이 실험에서는 반파정류회로, 전파정류회로, 필터회로 등 다양한 정류회로를 구성하고 그 특성을 분석했습니다. 실험 결과를 통해 다이오드의 역할, 권선비에 따른 전압 변환, 주파수 변화에 따른 출력 전압 변화 등을 이해할 수 있었습니다. 2. 변압기 변압기의 입력 전압과 출력 전압을 측정하여 권선비를 계산했습니다. 실험 결과 두 2차 코일의 권선비가 모두 0.496으로 같았습니다. 이를 통해 변압기의 설계와 성능을 예측할 수 있음을 알게 되었습니다. 3. 다이오드...2025.01.23
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사이리스터 결과보고서2025.01.081. 사이리스터 단상 브릿지 회로 사이리스터는 다이오드와 유사하게 전류를 흐르게 하고 차단할 수 있지만, 더 큰 면적과 낮은 전압 강하, 빠른 스위칭 속도를 가지고 있어 대전력이 필요한 곳에 유용하게 사용됩니다. 단상 브릿지 회로에서 사이리스터를 사용하면 유도성 부하의 경우 출력 전압이 음의 값을 가지게 되는데, 이는 인덕터에 축적된 자기 에너지가 방출되면서 전류가 계속 흐르기 때문입니다. 반면 저항성 부하의 경우 입력 전압이 음이 되면 모든 사이리스터가 켜질 수 없어 출력 전압이 0이 됩니다. 환류 다이오드가 추가되면 유도성 부하...2025.01.08
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08
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[전기회로설계실습] 설계 실습 13. 발전기 원리 실험2025.05.131. 코일의 인덕턴스 측정 RL회로를 이용하여 인덕터의 인덕턴스를 측정하는 실험을 진행하였다. Oscilloscope의 curosr기능을 사용하여 저항전압이 입력전압의 63%가 되는 time constant(시정수)를 측정하였다. RL회로의 time constant tau = L over R이고, R = 10.098 [kΩ]+ 0.129[kΩ](코일 내부 저항 값)을 활용하여 L= tau R로 코일의 인덕턴스를 구한다. 그 결과 L = 116.688 [mH]이다. 2. 코일의 전압 생성 확인 Faraday's Law는 어떤 폐회로에...2025.05.13
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 3주차2025.05.041. 함수 발생기와 오실로스코프 실험의 목적은 함수 발생기와 오실로스코프를 사용할 줄 아는 것이다. 실험을 통해 커패시터, 인덕터, 다이오드를 포함한 회로의 파형이 어떻게 달라지는지 파악할 수 있었다. 2. 커패시터 커패시터는 회로에서 전기 용량을 전기적인 위치에너지로 저장하는 장치이다. 두 판의 표면과 유전체, 측 절연체가 맞닿은 부분에 전하가 저장되며, 두 개의 도체와 유전체의 표면에 모이는 전하량은 부호가 다른 같은 양의 전하이다. 이로 인해 전기적인 인력이 발생하고, 이 인력에 의해 전하들이 모이게 되어 에너지가 저장된다. ...2025.05.04
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