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항공기개념설계 이륙중량(Take-off Weight) 산출2025.04.271. 항공기 개념 설계 이 보고서는 주어진 미션 프로필과 사양을 바탕으로 항공기의 이륙 중량을 계산하는 과정을 설명합니다. 유사 항공기 데이터를 활용하여 크기 계산을 수행하고, 이를 통해 최종 이륙 중량을 도출합니다. 이 과정에서 프로펠러 효율, 연료 소모율, 양항비 등의 요소를 고려하였습니다. 계산 결과는 유사 항공기와 비교하여 타당성을 검토하였습니다. 2. 이륙 중량 계산 이 보고서에서는 주어진 미션 프로필과 사양을 바탕으로 항공기의 이륙 중량을 계산하는 방법을 설명합니다. 이를 위해 유사 항공기 데이터를 활용하여 크기 계산을 ...2025.04.27
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화 영역에서...2025.01.13
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발달연구설계를 할 때 횡단설계, 종단설계, 계열설계의 장단점 제시2025.05.041. 횡단설계 횡단설계는 일정 기간 동안의 그 집단의 발달 곡선을 도출해낼 수 있는 접근 방법으로써 각 집단을 비교하기에 적합한 연구 방법이다. 이때 각 집단에서 도출된 연구 결과는 그 연령층을 대표할 수 있으며 이들의 다른 조건들이 고정적이라는 전제하에 이러한 횡단 연구를 통하여 얻은 결과를 바탕으로 전체적인 발달의 경향을 추정할 수 있다. 하지만 개개인에 존재하는 개인차 또는 연령에 따른 변화 등을 규명해내기에 한계점이 있으며, 연령 집단 간의 서로의 차이만 확인할 수 있다는 단점이 있다. 2. 종단설계 종단설계는 특정 계층이나...2025.05.04
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[실험설계] 코팅 시간과 회전 속도에 따른 Thin film 특성 분석2025.01.241. Ag NWs와 PEDOT:PSS 코팅 특성 분석 Ag NWs와 PEDOT:PSS를 각각 시간과 rpm을 달리하여 코팅한 뒤 물성을 측정하고, 최적조건으로 PEDOT:PSS/Ag NWs/PEDOT:PSS 3층 적층을 통해 기존 ITO 물성과 비교하였다. 코팅 시간과 rpm에 따른 두께, 투과도, 전기 저항 등의 특성 변화를 분석하였다. 2. Ag NWs와 PEDOT:PSS 3층 적층 구조 분석 PEDOT:PSS/Ag NWs/PEDOT:PSS 순서로 3층 적층 구조를 제작하고, 코팅 시간 및 rpm 변화에 따른 두께, 투과도, 전...2025.01.24
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탄소강과 스테인리스강의 부식 실험 보고서2025.01.041. 부식 부식이란 금속이 화학적으로 표면에서 환경 성분과 반응하여 산화되거나 변질되는 현상을 말한다. 모든 물질은 높은 에너지 준위에서 더 낮은 에너지 준위로 이동하고자 하기 때문에 부식이 발생한다. 부식은 금속이 본래의 산화물 상태로 되돌아가려는 자연적인 현상이다. 2. 탄소강과 스테인리스강의 부식 비교 이번 실험에서는 탄소강(SS400)과 스테인리스강(STS430, STS340)을 염산 용액에 침지하여 농도와 시간에 따른 무게 및 두께 변화를 측정하고 부식 속도를 비교 분석하였다. 실험 결과, 염산 농도가 증가할수록 STS43...2025.01.04
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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(A+) 중앙대 일반물리실험 12주차 실험 결과 보고서2025.05.081. 탄환의 속도 측정 이 실험에서는 탄동진자를 이용하여 탄환의 발사속도를 측정하고, 포물체 운동을 통해 얻은 탄환의 속도와 비교하였다. 실험 결과, 탄동진자를 이용한 속도 측정값과 포물체 운동 분석을 통한 이론값 사이에 오차가 발생하였다. 이는 실험 과정에서 작용하는 비보존력, 즉 공기저항, 마찰력 등으로 인한 에너지 손실 때문인 것으로 분석되었다. 이를 통해 선운동량 보존 법칙과 역학적 에너지 보존 법칙이 실제 실험에서는 완전히 성립하지 않음을 이해할 수 있었다. 1. 탄환의 속도 측정 탄환의 속도 측정은 무기 성능 평가와 안전...2025.05.08
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 고주파 특성 측정 회로 설계 이 프레젠테이션에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. RC 및 RL 회로를 구성하고 오실로스코프의 CH1 단자를 C 또는 L 앞에, CH2 단자를 저항의 양단에 연결하여 입력 전압과 저항 전압, 위상차를 측정합니다. 이를 이상적인 RL 및 RC 회로의 특성과 비교하면 고주파 특성을 알 수 있습니다. 1. 고주파 특성 측정 회로 설계 고주파 특성 측정 회로 설계는 전자 시스템 개발에 있어 매우 중요한 부분입니다. 고주파 신호의 특성을 정확하게...2025.05.03
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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.05.101. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200 mV였고, 10K 저항을 연결한 후 측정한 전압이 100 mV였다. 이를 통해 센서의 Thevenin 등가회로를 구할 수 있으며, Function generator와 저항으로 이를 구현할 때 Function generator의 출력을 100 mV로 설정해야 한다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 2 KHz의 센서 출력을 증폭하여 출력이 1 V인 Inverting Amplifier를 설계하였다....2025.05.10
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