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중첩의 원리와 테브난/노턴 정리 예비보고서2025.01.131. 중첩의 원리 중첩의 원리란 다중 전원이 있는 선형 회로 소자만으로 구성된 선형 회로망에서 모든 전원이 동시에 인가 될 경우 회로망에서의 전류 및 전압의 반응은 각 전원이 개별적으로 작용할 경우의 반응의 합과 같다는 것이다. 중첩의 원리를 사용하면 다중 전원을 가진 선형 회로에서 쉽게 전압 및 전류를 구할 수 있다. 2. 테브난 정리 테브난 등가 회로는 전원을 포함한 선형 회로를 하나의 비종속 전압 전원과 이와 직렬로 연결된 하나의 저항으로 구성된 회로로 표현한 것이다. 테브난 등가 회로로 표현하기 위해서는 내부에 비종속 전원이...2025.01.13
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전자공학응용실험 ch20 차동증폭기 기초실험 예비레포트2025.05.051. 차동 증폭기 기초 실험 차동 증폭 회로는 출력이 단일한 단일 증폭 회로에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스 및 커플링 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱 하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링 할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀 더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. ...2025.05.05
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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실험 23_연산 증폭기 응용 회로 1 예비보고서2025.04.281. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 연산 증폭기의 전압 이득이 무한대라고 가정하면 가상 단락의 개념을 이용하여 입력 전압이 출력 전압과 같다는 것을 보여준다. 하지만 실제 연산 증폭기의 전압 이득이 무한대가 아닌 A_0의 값일 경우 전체 전압 이득은 식 (23.2)와 같이 표현할 수 있다. A_0가 크면 클수록 이상적인 값으로부터의 오차가 줄어든다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 연산 증폭기의 전압 이득이 A_0의 값일 경우 전체 전압 이득은 식 (23.2)와 같이 표현할 수 있다. 역시 A_0가 크면 클수록 이상적인 값으로부터의...2025.04.28
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전기회로설계실습 예비보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.01.171. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 매우 작을 것으로 예상되며, 시간이 지날수록 점점 증가할 것이다. 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비를 최소화하였으며, 내부저항을 0.05Ω으로 가정하여 10Ω 저항에서의 소비전력을 계산하였다. 2. DC Power Supply 출력 특성 DC Power Supply의 Output 1의 출력전압을 1V, 최대출력전류를 10mA로 조정한 상태에서 10Ω 저항을 연결하면 최대전류인 10mA를 넘어...2025.01.17
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 9 (AC) 영문2025.05.031. IEEE 윤리 강령 IEEE 윤리 강령에 따라 보고서를 작성했음을 서약합니다. IEEE 윤리 강령은 기술이 전 세계의 삶의 질에 영향을 미치는 중요성을 인정하고, 전문직에 대한 개인적 의무를 수락하며, 가장 높은 윤리적 및 전문적 행동을 약속하고 있습니다. 2. 병렬 정현파 회로 병렬 R-L-C 회로에서 계산된 값과 측정된 값을 비교하였습니다. 계산 결과와 측정 결과가 잘 일치하는 것을 확인할 수 있습니다. 또한 회로에 10옴의 감지 저항을 연결했을 때의 영향을 분석하였습니다. 3. 병렬 회로 임피던스 병렬 R-L-C 회로의 ...2025.05.03
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전자공학실험 21장 차동 증폭기 심화 실험 A+ 결과보고서2025.01.151. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 실험 절차를 통해 차동 증폭기의 설계 및 동작 원리, 공통 모드 전압 이득, 차동 모드 전압 이득, 공통 모드 제거비(CMRR) 등을 확인하였다. 실험 결과 분석을 통해 MOSFET의 mismatch로 인한 영향, 공통 모드 제거비 향상 방안 등을 고찰하였다. 2. 능동 부하 트랜지스터를 이용한 능동 부하의 경우 저항 부하에 비해 공정에 대한 변화량이 적고, 정확한 저항을 ...2025.01.15
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전기회로설계 및 실습_설계 실습1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계_결과보고서2025.01.211. 저항 측정 2-wire 측정법과 4-wire 측정법을 통해 저항을 측정하는 방법을 설계하고 실습을 통해 확인했습니다. 10 kΩ 저항을 측정한 결과 2-wire 측정법에서는 0.9%의 오차가 있었지만, 4-wire 측정법에서는 1% 이하의 오차를 보였습니다. 또한 저항 값이 낮은 경우 4-wire 측정법이 더 정확한 것을 확인했습니다. 2. 전압 측정 건전지의 양단에 연결하여 전압을 측정한 결과 6.48V를 얻었고, 극성을 반대로 연결하면 -6.48V가 나왔습니다. DMM으로 측정한 전압 값은 4.504V로 오차가 0.09%였...2025.01.21
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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