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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+6주차 결과보고서2025.01.121. 삼각파/사각파 발생기 실험 1에서는 삼각파/사각파 발생기 회로를 구현하고 측정 결과를 분석했습니다. 이론값과 실험값 사이에 약간의 오차가 있었지만, PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교했을 때 오차가 감소했습니다. 오차의 주요 원인은 실험에 사용한 소자 값의 한계와 수동 측정 방식에 있었습니다. 2. 555 타이머 기반 LED 점멸기 - 비안정 모드 실험 2에서는 555 타이머를 이용한 LED 점멸기 회로를 비안정 모드로 구현하고 측정 결과를 분석했습니다. 이론값과 실험값 사이에 약간의 오차가 있었지만, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.12
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Offset Voltage OP-Amp의 입력단자를 접지시키면 이상적인 경우 출력전압은 0V가 되어야 하지만, 실제 OP-Amp에는 Offset Voltage가 존재하여 출력전압이 0V가 아니다. Offset Voltage를 측정하는 방법으로는 Open Loop Gain을 이용하는 것이 부정확하므로, 실제 회로를 구성하여 출력전압을 측정하고 이를 이용하여 Offset Voltage를 계산하는 방법을 사용한다. Offset Voltage 데이터시트에는 최소값이 없는 이유는 Offset Voltage가 작을수록 좋기 때문이며, 일...2025.01.11
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전자회로설계실습 9번 예비보고서2025.01.201. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 전원 전압원을 12V로 고정하고 입력저항 및 부하저항을 1kΩ, 피드백 저항을 계산하여 설정하였다. 입력 전압을 0V에서 +6V까지 변화시키며 부하저항 양단의 출력전압 변화를 관찰하였다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 변경하여 동일한 실험을 반복하였다. 두 경우의 transfer characteristic curve를 비교 분석한 결과, 입력저항과 부하저항은 feedback amplifier gain에 영향을 주지 않아 동일한 결과가 나타났다. 또한 전원 전압원을 0V에...2025.01.20
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이미터 공통 증폭기 예비보고2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 바이폴라 트랜지스터 증폭기 중에서 전력 이득이 크고 가장 널리 사용되는 회로이다. 이 보고서에서는 이미터 공통 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하고자 한다. 이론적 배경으로 전압 증폭기 모델과 이미터 공통 증폭기의 특성을 설명하고, 실험을 통해 동작점 측정, 전압 이득 및 입출력 저항 측정, 출력 파형 왜곡 현상 관찰 등을 수행하였다. 실험 결과를 이론값 및 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교 분석하였다. 1. 이미터 공통 증폭기 이미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 회로...2025.01.02
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 5. 전압제어 발진기2025.04.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC의 datasheet를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 슈미츠 회로의 특성을 이해하고 PSPICE를 이용하여 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 출력 파형의 특성을 확인하였습니다. 2. 전압제어 발진기의 설계 전압제어 발진기를 설계하고 출력 파형을 관찰하였습니다. 입력 전압 Vc의 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 확인하였고, 이를 그래프로 나타내었습니다. 또한 중심 주파수가 2kHz가 되도록 회로의 C1 값을 설계하였습니다. 3. 슈미츠 회로의 저항비와 Capa...2025.04.29
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기초전자회로및실험2 -ALUs(Arithmetic logic units)를 이용한 n-bit 계산기 설계2025.05.101. 입력 입력은 기본적으로 10의자리 스위치와 1의 자리 스위치를 이용하여 각각 구현합니다. 스위치로 입력한 10진수의 값을 Decimal to Binary (74147) 소자를 이용해서 2진수로 변환하고, 이를 4bit adder(74283) 2개를 이용하여 구현한 8bit BCD to Binary를 통해 binary로 변환시켜 2진수 표현 입력 스위치에는 풀업 저항을 사용합니다. 2. 감가산기 계산기의 집적도를 고려하여 가산기와 감산기를 동시에 설계합니다. AND, OR, XOR 와 같은 기본 소자들로 FULL ADDER를 구...2025.05.10
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용...2025.04.28
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실험 05_BJT 바이어스 회로 결과보고서2025.04.281. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 보고 1. 실험회로 1에서 V_BB 값이 4V, R_BB 저항값이 2kΩ, R_C는 v_o의 DC 값이 8V가 되도록 하는 저항값으로 둔다...2025.04.28
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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