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교류및전자회로실험 실험10-2 트랜지스터 증폭회로2 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 이 실험에서는 common-collector 형태의 emitter follower 회로와 Darlington amplifier를 구현하고 그 동작을 확인하여 트랜지스터 증폭회로에 대한 이해를 높였습니다. 이를 통해 입력 임피던스, 출력 임피던스, buffer의 개념을 심화하였습니다. 2. emitter follower 회로 emitter follower 회로는 신호의 크기를 증폭하지는 않지만, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가져 신호원의 교류신호가 부하에 그대로 전달되도록 하는 역할을 합니다. ...2025.01.17
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성)2025.01.291. 증폭기의 주파수 응답 특성 이번 실험에서는 증폭기의 주파수 응답 특성을 이해하기 위해 다양한 주파수 조건에서 증폭기의 이득 변화를 측정하고 분석하였습니다. 주파수가 낮을 때는 이득이 일정하게 유지되지만, 특정 주파수를 넘어가면 이득이 급격히 감소하는 현상을 관찰할 수 있었습니다. 이를 통해 증폭기의 대역폭을 결정하는 3dB 주파수의 중요성을 확인할 수 있었으며, 대역폭이 제한되는 원인이 회로 내부의 기생 요소나 소자의 대역폭 한계 등 다양한 요인에 의해 발생한다는 점도 인식하게 되었습니다. 2. 3dB 주파수 계산값과 측정값의...2025.01.29
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 증폭기의 대역폭 개념과 이득-대역폭 곱의 관계를 이해할 수 있었습니다. 측정 결과와 예상 결과 간의 차이는 장비 오차와 회로 손실 등으로 인한 것으로 분석되었습니다. 또한 3dB 주파수를 증가시키기 위해서는 전압 이득이 천천히 감소하고 midband 영역이 넓어야 한다는 것을 알 수 있었습니다. 1. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 기본적인 ...2025.01.15
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예비보고서6 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고 분석하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 회로 파라미터 계산, 증폭기 이득 분석, 바이어스 전압 및 전류 설계, 비선형 왜곡 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 설계 시 고려...2025.05.14
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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서강대학교 22년도 전자회로실험 2주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. OP AMP 기본 원리 이번 실험은 OP AMP의 원리를 이용한 증폭기, 미분기, 적분기 등을 설계하고 동작을 확인하는 실험이었습니다. 실험 결과 이론적인 계산값과 5% 이내의 오차를 보이며 회로가 의도한 대로 동작하는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 OP AMP를 이용해 원하는 전압이득을 가진 증폭기, 미분기, 적분기 등을 설계할 수 있다는 것을 알 수 있었습니다. 오차 요인으로는 passive 소자의 허용오차, OP AMP의 offset voltage 및 비이상적인 특성, 측정 장비의 오차, 전자파 및 물리적 접촉에...2025.01.12
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대학물리및실험2_실험4_R-C 회로실험2025.01.151. 축전기 축전기는 전자회로에서 전하를 충전하거나 방전하는 역할을 한다. 보통 2장의 서로 절연된 금속판 또는 도체판을 전극으로 하고 그 사이에 절연체 또는 유전체를 넣는다. 이상적인 평행판 축전기의 경우, 축전기의 전기용량 C의 크기는 전극의 면적 A에 비례하고, 전극 사이의 거리 d에 반비례한다. 전극 사이의 유전체의 유전율을 ε(엡실론)이라고 하면, 전기용량 C는 가 된다. 따라서 전극의 표면적이 클수록, 간격이 좁을수록, 또 유전체의 유전율이 클수록 전기용량이 커진다. 2. 시상수 축전기에 직류전압을 가하면 전하가 완전히 ...2025.01.15
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홍익대학교 전자회로(2) 최종 프로젝트 보고서2025.04.261. 2-stage OP-Amp 설계 2-stage OP-Amp 회로를 설계하였으며, 모든 트랜지스터가 Saturation 영역에서 동작하도록 하였다. 또한 OP-Amp의 Small-Signal Gain이 50dB 이상, Gain*Bandwidth가 100MHz 이상, Phase Margin이 45도 이상이 되도록 설계하였다. 이를 위해 각 트랜지스터의 크기와 바이어스 전류를 조절하였으며, Compensation Capacitor를 추가하여 Phase Margin을 확보하였다. 2. Unity-gain Buffer 설계 Unity-...2025.04.26
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아날로그 및 디지털회로 설계 실습 실습7_논리함수와 게이트_결과보고서2025.01.211. 논리게이트 논리회로는 모든 전자회로의 기초라고 할 수 있다. 따라서 논리게이트들을 조합하여 다른 논리게이트를 만들거나, 하나의 논리게이트로 다른 논리게이트들을 표현하는 설계능력과 리게이트의 동작 특성을 올바르게 이해하는 것이 매우 중요하다. 2. NAND, NOR, XOR 게이트 AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR 게이트의 진리표와 등가회로를 작성하고 두 입력의 모든 경우에 대해 출력 전압의 값을 측정하였다. 3. NAND 게이트 등가회로 NAND 게이트만 사용하여 AND, OR, NOT 게이트...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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