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전자회로설계 및 실습6_설계 실습6. Common Emitter Amplifier 설계_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig = 1 Ω, RL = 2 kΩ, VCC = 12 V인 경우, β = 100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 kΩ단위이고 amplifier gain(Av)이 -100 V/V인 emitter 저항사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 설계 과정에서 Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain Gv 식을 사용하여 RC를 결정하고, Rin, IC, IB, IE, VC, VE, VB, RE, ...2025.01.22
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 6 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.011. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 Early effect를 무시한 상태에서 overall voltage gain 식을 이용하여 부하 저항 RL에 최대 전력이 전달되도록 RC를 결정하는 방법, gm을 구하는 방법, 바이어스 전압 및 전류를 계산하는 방법, 입력 저항 Rin을 구하는 방법, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 그리고 입력 저항 추가를 통한 선형성...2025.05.01
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 10 Oscillator 설계2025.05.011. Oscillator 설계 이 보고서는 전자회로설계실습 과목에서 Oscillator 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 주어진 조건에 따라 Oscillator 회로를 OrCAD PSPICE를 사용하여 설계하고, 설계한 회로의 동작 원리와 파형을 분석하였습니다. 또한 Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 변화에 따른 Oscillator 회로의 특성 변화를 확인하였습니다. 2. Op-amp 기반 Oscillator 회로 이 보고서에서 다루는 Oscillator 회로는 Op-amp를 사용하여 구현되...2025.05.01
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.291. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50 Ω, Rc = 5 kΩ, Vcc = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Ic가 kΩ단위이고 amplifier gain(Vout/Vin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect 무시, 최대전력 전달을 위한 부하저항 결정, 증폭기 이득 계산, 바이어스 전압 및 저항 값 도출 등의 내용이 포함되어 있...2025.04.29
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서6: Common Emitter Amplifier 설계2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier를 설계하였다. 직류 전압에서의 회로에서 Vb, Vc, Ve를 측정한 후 Ic, Ie, Av를 구한 후 simulation 값과 비교하였다. 최대 오차율은 2.27%로 성공적인 실험이었다. 100kHz, 20 mVpp의 주파수를 넣은 실험에서도 같은 과정을 반복하였다. 오차율은 최대 3.21%로 만족스런 실험이었다. 2. BJT 동작 원리 EBJ는 forward bias, CBJ는 reverse bias에 두어 BJT를 active m...2025.05.14
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전자회로 설계 및 실습 예비보고서 3: Voltage Regulator 설계2025.05.141. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 2. 직류전압 공급기 설계 5 kΩ의 부하(R_L)에 걸리는 직류전압의 최대치(V_P)가 4.4 V이며, ripple(V_r)이 0.9 V 이하가 되도록 교류입력전원의 크기를 결정하고 커패시터(C)의 크기를 설계한다. 다이오드의 저항은 0.7 kΩ으로 가정한다. 3. PSPICE 시뮬레이션 PSPICE로 회로를 그리고 분석하여 부하에 걸리는 파형을 제출한다. 최대 전압 V...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비3. Voltage Regulatior 설계 A+2025.01.271. Voltage Regulator 설계 이 프레젠테이션은 전자회로설계실습의 예비 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 사용된 수식과 계산 과정을 상세히 설명하고 있으며, PSPICE를 활용한 회로 분석 결과도 포함되어 있습니다. 주요 내용으로는 브리지 방식 정류회로의 동작 원리, 부하 전압 및 리플 전압 계산, 교류 입력 전원 크기 및 주파수 결정 등이 있습니다. 1. Voltage Regulator 설계 전압 레귤레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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전자회로설계실습 6번 예비보고서2025.01.201. Common Emitter Amplifier 설계 이 문서는 NPN BJT를 사용하여 emitter 저항이 있는 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하저항 결정, 바이어스 전압 계산, 입력저항 산출, PSPICE 시뮬레이션 결과 분석, 측정 및 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 설계 이 문서에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifi...2025.01.20
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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