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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+2025.05.011. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 만족하는 탄소저항과 만족하지 않는 다이오드의 특성을 확인하였다. 탄소저항은 전압과 전류의 관계가 선형적인 옴의 법칙을 만족하지만, 다이오드는 전압이 양일 때만 전류가 흐르는 비선형적인 특성을 보였다. 다이오드의 경우 문턱전압 이상에서 전류가 급격히 증가하는 지수함수 형태의 전압-전류 특성을 확인할 수 있었다. 2. 탄소저항 측정 실험 1에서 탄소저항의 표시 저항값과 측정값을 비교하였다. 33Ω 저항의 경우 측정값이 31Ω으로 약 6.06%의 오차가 있었고, 100Ω 저항의 경우 측정값이 83...2025.05.01
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A+받은 정류회로 결과레포트2025.05.101. 반파 정류회로 실험을 통해 다이오드 1개를 이용한 반파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기에서 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에서 다이오드의 도통 전압을 뺀 값이 된다. 또한 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하여 오차를 계산하였다. 2. 전파 정류회로 실험을 통해 다이오드 2개를 이용한 전파 정류회로의 동작을 확인하였다. 입력전압의 양의 반주기와 음의 반주기에서 각각 다른 다이오드가 도통되어 정류가 이루어지며, 출력전압의 peak값은 입력전압의 peak값에...2025.05.10
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옴의 법칙 실험하기2025.05.091. 옴의 법칙 옴의 법칙(Ohm's law)은 전기회로 내의 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이의 관계를 나타내는 법칙으로, 전압의 크기를 V, 전류의 세기를 I, 전기저항을 R이라 할 때, V = IR의 관계가 성립한다는 법칙이다. 이번 실험에서는 옴의 법칙을 여러 방면으로 측정하고 검증해 보았으며, 옴의 법칙이 실제로 거의 정확하게 들어맞는 경향이 있으나 정확한 선형을 따르지는 않았다. 이를 통해 옴의 법칙에 대해 조금 더 이해할 수 있었다. 2. 전압, 전류, 저항의 관계 옴의 법칙에 따르면 전압(V), 전류(I), 저...2025.05.09
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
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옴의 법칙 실험 결과보고서2024.12.311. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지, 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지를 확인하였다. 탄소저항의 경우 표시저항과 실험을 통해 얻은 저항 값의 오차율이 약 1.667%와 5.4%로 옴의 법칙을 만족하는 것으로 나타났다. 반면 다이오드의 경우 전압-전류 그래프가 직선이 아니며 역방향 전압에서 전류가 흐르지 않는 등 옴의 법칙을 만족하지 않는 것으로 확인되었다. 다이오드는 순방향 전압이 가해질 때 전류가 급격히 증가하며 각 다이오드마다 동작 전압이 다른 것으로 나타났다. 1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에...2024.12.31
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실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 특성 구하기 MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]과 [그림 16-2]의 회로를 구성하여 실험을 진행한다. [그림 16-1]의 회로를 통해 문턱전압 |V_thp|를 구하고, [그림 16-2]의 회로를 통해 μ_p C_ox W/L를 구할 수 있다. 2. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 공통 소스 증폭기에서 부하로 트랜지스터를 사용하는 능동 부하 회로를 구성할 수 있다. [그림 16-3]과 [그림 16-4]는 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기의 개념도와 회로도를 보여준다. 3. 정전류원과 전류 거울을...2025.04.27
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교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
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