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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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반도체 예비보고서2025.05.101. 반도체 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)하고 애자, 유리 같은 부도체의 중간 정도인 물질이다. 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 의해 전도도가 바뀐다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 넣어서 만든다. 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 만드는 데에 쓰인다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하고 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체처럼 동작할 때와 도체처럼 동작할 때 각각 부도체나 도체와 다른 점이 있다. 2. 반도체의 물리적 기초 반도체란 절대 영도에서 ...2025.05.10
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물리학실험- 옴의 법칙2025.05.011. 옴의 법칙 이번 실험을 통해, 전자회로에 쓰이는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는가를 확인하고 옴의 법칙의 의미를 이해할 수 있었다. 다이오드에 대하여 옴의 법칙이 성립하는가를 확인하고, 옴의 법칙을 확인하기 위한 측정조건을 검토하였다. 2. 탄소 저항 탄소 저항기에서 저항 값을 표시할 때는 색깔 코드를 사용한다. 네 줄로 이루어져 있는데, 왼쪽부터 A~D라 한다. A는 1째 자리에 올 유효숫자, B는 2째 자리에 올 유효숫자, C는 앞의 두 자리숫자 뒤에 붙일 0의 수이고, 마지막으로 D는 허용 오차를 의미한다. 3. 다이오드...2025.05.01
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 예비레포트2025.05.031. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 이 실험의 목적은 전압과 전류 사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작 원리를 이해하는 것입니다. 실험에서는 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 측정하고, 이를 통해 다이오드의 동작 원리를 설명합니다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 이 실험의 목적은 특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결했을 때의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용 회로를 해석할 수 있는 능력을 개발하는 것입니다. 실험에서는 직렬 및 병렬로 연결...2025.05.03
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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태양광 예비보고서2025.01.051. 태양전지의 동작원리 태양전지는 실리콘 다이오드의 PN 접합과 유사한 구조를 가지고 있으며, N-type 반도체 표면에 빛이 조사되면 전류를 생산하게 된다. 태양전지의 개방전압은 실리콘 다이오드의 순방향 전압보다 약간 낮은 0.5V~0.6V 사이의 값을 가진다. 태양전지를 직렬로 연결하면 개방전압이 증가하고, 병렬로 연결하면 단락전류가 증가한다. 2. 태양전지의 전기적 특성 태양전지의 전압-전류 특성곡선은 전류원 영역과 전압원 영역으로 구분된다. 전류원 영역에서는 전압이 증가해도 전류가 일정하게 유지되며, 전압원 영역에서는 전압...2025.01.05
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