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건국대학교 전기전자기초실험2 펄스폭변조회로 결과레포트2025.01.291. 레벨 쉬프트 회로 실험 1에서는 레벨 쉬프트 회로를 구성하고, 입력 전압(함수발생기)과 출력 전압(오실로스코프)을 관찰하였습니다. VDC를 0.5V와 1V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 2. 펄스 폭 변조 회로 실험 2에서는 펄스 폭 변조 회로를 구성하고, 삼각파 입력 전압(Vtri)과 출력 전압(Vout)을 관찰하였습니다. VREF 전압을 0.5V, 1.0V, 1.5V, 2.0V, 2.5V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 3. 펄스 폭 변조 회로 2 실험 3에서는 레벨 쉬프트 회로와 펄스 폭...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 서미스터 결과레포트2025.01.291. 서미스터 LED 회로 실험 1에서는 서미스터와 LED로 구성된 회로를 구성하고, 출력 전압 Vout을 측정하였습니다. 측정된 전압 값을 바탕으로 서미스터의 온도를 추정하였습니다. 오차가 큰 이유는 전압 분배 회로의 분모 값이 소수점으로 차이가 나기 때문입니다. 2. 서미스터 온도 검출 회로 실험 2에서는 연산증폭기 LM358, 서미스터, LED 2개로 구성된 온도 검출 회로를 구성하였습니다. 서미스터의 온도에 따라 RED LED와 BLUE LED가 켜지는 것을 확인하였고, 오실로스코프로 Vout의 파형을 관찰하였습니다. 측정된...2025.01.29
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[A+] 건국대 전기전자기초실험1 9주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 선형 레귤레이터 선형 레귤레이터는 출력전압을 일정하게 유지하는데 사용되는 소자로 가변저항으로 나타낼 수 있다. 선형 레귤레이터는 입력전압보다 낮은 DC 전압을 얻을 목적으로 저항을 회로 안에 넣어 전압을 저하시켜 원하는 전압을 얻는다. 출력전압이 일정해지도록 가변저항을 조절한다. 이때 저항 R에는 (입력전압 – 출력전압)의 전압이 걸려있으며 출력 전류가 흐르기 때문에 전력 손실이 열로 소비된다. 즉, 원하는 전압을 얻음으로써 전력을 소비하는 것이다. 선형 레귤레이터의 양단 전압이 클수록 더 많은 에너지가 소비되고 효율이 나빠진...2025.01.15
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[A+] 건국대 전기전자기초실험1 6주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 중첩의 원리 중첩의 원리는 여러 개의 독립 전원을 포함하고 있는 회로에서, 회로 내의 어떤 점에서의 전류 또는 전압은 각 독립 전원이 단독으로 있을 때의 성분의 대수적인 합과 같다는 것이다. 이때 해당 전원을 제외한 나머지 독립전원들은 전압원이면 단락회로, 전류원이면 개방회로 대체된다. 1개의 전원만 인가된 상태로 응답을 구하는 과정을 반복하면서 각 전원에 의한 방향을 고려하여 중첩함으로써 모든 전원에 의한 응답을 구한다. 2. 테브난 등가회로 테브난의 정리는 회로를 독립적인 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로...2025.01.15
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기1 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 능동 저역 통과 필터 모의실험 1에서는 그림 1-1의 능동 저역 통과 필터 회로를 LTspice로 구현하고, 입력 전압과 출력 전압의 관계를 주파수에 따라 분석하였습니다. 실험 1에서는 실제 회로를 구성하여 동일한 분석을 수행하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하면 차단 주파수 근처에서는 유사한 결과를 보이지만, 차단 주파수에서 멀어질수록 오차가 증가하는 것을 확인할 수 있습니다. 이는 측정 시 발생하는 노이즈와 소자 연결의 오차, 유효숫자 등의 영향으로 판단됩니다. 2. 능동 고역 통과 필터 모의실험 2에서는 그림 2-1...2025.01.29
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6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험5_결과보고서_3배전압곱셉기,MC34063A승압강압회로2025.05.101. 3배 전압 곱셉기 세배 전압 곱셈기에서 첫 번째 정반파가 인가될 때(파랑), C3커패시터에 Vm 만큼 충전이 된다. 그 다음 부 반파가 인가될 때(보라)는 인가전압 Vm과 C3 커패시터에 충전되어있던 Vm이 합쳐져 2Vm의 전압이 C4를 거치며 2Vm만큼 전압을 충전하게 된다. 그리고 두 번째 주기의 정 반파가 인가될 때(빨강), C4 의 2Vm과 인가전압 Vm의 합 3Vm이 C3커패시터에서 –Vm만큼 전압강하가 되어 C5 커패시터에는 2Vm이 충전되게 된다. 따라서 A노드와 B노드의 전위 차를 비교하게 되면 3Vm이 나타남을...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험9_결과보고서_common base,emitter follower2025.05.101. Common Base 증폭회로 전기전자기초실험2 일반실험9 결과보고서에서 Common Base 증폭회로의 동작을 다루고 있습니다. 이론적 계산과 모의실험, 실험 결과를 비교 분석하여 Common Base 증폭회로의 특성을 설명하고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 전압이득 및 전류 값 도출, OrCAD Capture와 PSpice를 이용한 실험 회로도 및 모의실험 결과, 실험 결과와의 비교 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter Follower 증폭회로 전기전자기초실험2 일반실험9 결과보고서에서 Emit...2025.05.10
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