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Diffusion (반도체)2025.05.081. Diffusion (반도체) Diffusion(원자의 무작위 점프에 의한 이동)은 반도체에 도펀트와 불순물을 주입하는 데 사용됩니다. 이는 원자적 접근과 현상론적 접근의 두 가지 측면이 있습니다. 원자적 접근은 확산되는 물질의 원자적 특성과 호스트 격자를 다루며, 현상론적 접근은 연속체로 고체를 대체하고 결합 확산으로 원자 플럭스를 설명합니다. 불순물 도핑의 이유는 저항률 제어, 낮은 접촉 저항, 게이트 불순물 농도 제어, 스위칭 속도, 얕은 접합 깊이 등입니다. 도핑 방법에는 결정 성장 중 도핑, 고상 확산, 기상 확산 등이...2025.05.08
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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