총 318개
-
다이오드 특성 실험 및 I-V 특성 측정2025.11.161. 다이오드의 기본 동작 원리 다이오드는 p-type과 n-type 반도체의 접합으로 만들어지며, 접합면 근처에서 barrier voltage가 형성된다. Forward bias에서는 p-type에 양의 전압, n-type에 음의 전압을 인가하여 forward current가 흐르고, reverse bias에서는 반대로 인가하여 매우 작은 leakage current만 흐른다. Si 다이오드의 barrier voltage는 약 0.6V이며, 다이오드는 0.7V drop model 또는 piecewise linear model로 등...2025.11.16
-
BJT IV 특성 실험 레포트2025.05.081. BJT(Bipolar Junction Transistor) BJT(Bipolar Junction Transistor)는 2개의 PN 접합 구조로 되어있으며, n-p-n형, 혹은 p-n-p형이 있다. 총 3개의 전극으로 이루어져 있으며, 각각 Emitter, Base, Collector이다. Emitter는 전류가 흐르게 하도록 전자를 주입하게 되고, Base는 전류의 흐름을 제어하며, Collector는 Transistor에서 증폭된 전류를 받게 된다. 2. BJT의 동작 모드 BJT는 Emitter-Base와 Base-Col...2025.05.08
-
[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
-
BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 특성 실험을 통해 BJT 소자의 특성을 이해하고 확인하였습니다. Early Effect(Base width modulation)로 인해 C-B 접합의 Reverse bias 크기 변화에 따라 Collector 전류가 변화하는 것을 확인하였습니다. 이는 이상적인 트랜지스터 동작에서 벗어나는 것으로, 변화된 Base 폭을 고려하여 Gain 값을 다시 계산할 수 있습니다. Early Effect를 고려한 BJT 전류원 Modeling을 통해 실제 BJT의 동작 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. BJT의 I-V 특성 ...2025.01.12
-
태양전지의 전자기적 특성 평가 결과 보고서2025.01.021. 태양전지의 원리와 특성 태양전지는 태양의 빛 에너지를 전기에너지로 변환시키는 장치입니다. P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 만들어진 태양전지 패널에서 태양광이 흡수되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 이 전하들이 외부 회로로 흘러 전류를 발생시킵니다. 태양전지의 성능은 단락 전류, 개방 전압, 충전 인자(Fill Factor) 등으로 평가할 수 있습니다. 2. 태양전지의 I-V 특성 곡선 태양전지의 I-V 곡선은 태양전지가 생성할 수 있는 최대 전류, 최대 전압 및 최대 전력을 나타냅니다. 단락 전류(Isc)는 회로가 단락된 상...2025.01.02
-
박막 태양전지 구조, 성능 인자 및 스퍼터 증착 기술2025.11.141. 박막 태양전지의 구조 및 각 층의 역할 박막 태양전지는 값싼 유리, 플라스틱, 금속 기판에 광전지 물질의 박막을 증착하여 만든 2세대 태양전지입니다. CZT(S,Se) 박막태양전지는 Mo기판(후면전극), 광흡수층(CZTSSe), 버퍼층(CdS), 투명전극(TCO), 전면전극(Al)으로 구성됩니다. Mo층은 0.5-1 μm, CZT(S,Se)층은 1-2 μm, CdS층은 50-100 nm, ZnO층은 약 50 nm, 투명전극층은 약 0.5 μm, Al 전극은 약 3 μm의 두께를 가집니다. 각 층은 광흡수, 전하 수송, 전극 역...2025.11.14
-
태양광 패널 온도 특성 실험 결과보고서2025.11.141. 태양광 패널의 전기적 특성 태양광 패널의 V-I 특성을 분석한 결과, 전압이 증가함에 따라 전류는 단락전류(0.072A) 수준에서 일정하게 유지되다가 약 8V 부근에서 급격히 감소하는 특성을 보였다. 개방전압은 9.901V이며, 이 지점에서 전류는 거의 흐르지 않는다. 태양광 패널은 8V 이전에서는 정전류원으로, 8V 이후에서는 정전압원으로 동작하는 특성을 나타낸다. 2. 온도에 따른 태양광 패널 성능 변화 실험의 목적은 온도 변화에 따른 태양광 패널의 성능 변화를 분석하는 것이었다. 출력전압, 전류, 전력의 온도 영향을 측정...2025.11.14
-
JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
-
다이오드의 특성 및 기초 응용회로 실험2025.11.121. 다이오드의 전기적 특성 다이오드는 반도체 소자로서 순방향과 역방향 바이어스에 따른 전류-전압 특성을 가집니다. 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고 역방향 바이어스 시 차단되는 정류 특성을 보입니다. 다이오드의 특성곡선은 임계전압(turn-on voltage)을 기준으로 지수함수적 거동을 나타내며, 이는 쇼클리 방정식으로 설명됩니다. 2. 다이오드 응용회로 다이오드는 정류회로, 클리핑회로, 클램핑회로 등 다양한 기초 응용회로에 사용됩니다. 정류회로는 교류를 직류로 변환하며, 클리핑회로는 신호의 특정 부분을 제거하고, 클램핑회로는 ...2025.11.12
-
접합 다이오드의 특성 실험 결과보고서2025.12.131. 다이오드의 I-V 특성 Si 다이오드(1N4148)와 Ge 다이오드(1N60)의 순방향 및 역방향 바이어스 시 전류-전압 특성을 측정하였다. Si 다이오드는 약 0.7V의 문턱전압에서 전류가 급격히 증가하며, Ge 다이오드는 약 0.3V에서 전류가 증가한다. 순방향에서는 저항이 감소하면서 전류가 증가하고, 역방향에서는 매우 높은 저항으로 인해 거의 전류가 흐르지 않는 특성을 보인다. 2. 전위장벽과 공핍층 pn 접합의 접합부에서 p형 영역의 정공과 n형 영역의 전자가 재결합하여 전위장벽이 형성된다. 이로 인해 p측은 음의 전하...2025.12.13
1 / 32
