총 5개
-
QGIS 초보탈출 가이드_4편2025.05.081. TIN 보간 TIN 보간을 사용하여 DEM(Digital Elevation Model)을 제작하는 방법을 설명합니다. 등고선 및 표고점 데이터를 이용하여 TIN 보간을 수행하고, 결과물인 DEM을 생성하는 과정을 다룹니다. 2. IDW 보간 IDW(Inverse Distance Weighted) 보간 기법을 사용하여 공간 데이터를 보간하는 방법을 설명합니다. 예시 데이터인 해수온 온도값을 이용하여 IDW 보간을 수행하고, 거리 계수 설정에 따른 결과물의 변화를 확인합니다. 3. 열지도(커널밀도추정) 열지도(커널밀도추정) 기능을...2025.05.08
-
면저항 결과 보고서2025.05.101. 면저항 면저항의 개념을 알고, 직접 면저항을 측정해 봄으로써 면저항을 측정하는 이유와 면저항을 줄일 수 있는 방법을 연구하였습니다. 면저항은 단위면적당 저항으로, 4-point probe 방법을 이용하여 측정할 수 있습니다. 비저항과 전기전도율 등 면저항과 관련된 개념들을 이해하고 실험을 통해 ITO, FTO, 실리콘 웨이퍼의 면저항 특성을 분석하였습니다. 2. ITO (Indium Tin Oxide) ITO는 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 첨가하여 전기전도성을 높인 투명 전도막입니다. 고전도율이며 가시광선 영역...2025.05.10
-
AMD 실험 결과보고서 Optical property of PEDOT_PSS, PDY2025.05.041. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 conductive polymer재료로서, 높은 일함수(보통 5.1eV)와 좋은 Hole affinity을 가지고 있어 정전기 방지막의 재료로 사용된다. 소형 디스플레이에서 사용하는 Bottom emission OLED의 경우 HIL방향으로 빛이 나오고 PEDOT:PSS는 가시광선 투과율이 높기 때문에 HIL로 사용하기 적합하다. HIL의 경우 ITO와 물리적, 화학적으로 궁합이 맞아야 하는데, PEDOT:PSS와 ITO 모두 친수성이기 때문에 접합력이 좋고, ITO로부터 Hole주입도 원...2025.05.04
-
인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
-
AMOLED 소자 및 공정실험 캡스톤 디자인2025.05.121. 진공의 기본적 이론 진공이란 물질이 전혀 존재하지 않는 공간을 의미하지만, 실제로는 이렇게 만들기가 어렵기 때문에 1/1000㎜Hg 정도 이하의 저압을 가리킨다. 진공단위에서는 토르(Torr)가 많이 쓰인다. 진공의 필요성으로는 극 청정의 환경제공, 압력차에 의한 힘의 발생, 입자의 장거리 이동가능, 안정된 플라즈마 유지, 증발 및 승화작용, 생화학 반응 억제, 단열효과 등이 있다. 2. OLED 구조 OLED (Organic Light Emitting Diode)는 양극과 음극 사이에 기능성 박막 형태의 유기물층이 삽입된 구...2025.05.12