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MOSCAP 이중층 구조 기술기획 및 웨이퍼 분할 전략2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 Metal-SiO₂-Al₂O₃-HfAlO-HfBO-Al₂O₃-SiO₂-Si로 구성된 이중 트랩층 MOSCAP 구조. SiO₂ top 1.0nm, Al₂O₃ top blocking 1.0nm, HfAlO 1.0nm, HfBO 3.8nm, Al₂O₃ mid blocking 1.0nm, SiO₂ tunnel 2.5nm의 다층 박막 구조로 설계되어 있으며, 이는 메모리 소자의 성능 향상을 목표로 함. 2. Program/Erase 동작 조건 Program 동작은 +5V/Si=0V의 FN 주입 기반으로 100~4...2025.12.20
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반도체 메모리 구조 및 성능 비교 연구2025.12.201. MOS 캐패시터 단일 게이트 MOS 구조로 동작하는 메모리 소자입니다. 용량성 동작 원리를 기반으로 하며, 읽기/쓰기 속도는 나노초에서 마이크로초 범위이고, 전력 소비가 낮은 특징이 있습니다. 보유 시간은 마이크로초 수준으로 짧으며, 비휘발성이 아닙니다. 주로 아날로그 응용 분야에 사용됩니다. 2. DRAM 셀 1T-1C(1 트랜지스터-1 캐패시터) 구조로 구성된 메모리입니다. 전하 저장 및 리프레시 동작 원리를 사용하며, 읽기 속도는 약 10나노초, 쓰기 속도도 10나노초 수준입니다. 전력 소비는 중간 정도이고, 보유 시간은...2025.12.20
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DRWM 기반 Charge-Trap 비휘발성 메모리 확장 기술2025.12.201. DRWM(Dynamic Read-Write Memory) 구조 DRWM은 HfO₂/HZO/Al₂O₃ 절연층 스택과 금속 게이트로 구성된 메모리 셀이다. 등가회로는 캐패시터(C₁, C₂)와 누설 저항(R_leak), 트랩 저장용 저항(R_trap)으로 모델링된다. DRWM은 저전압 트랩 기반 전하 저장을 활용하여 DRAM의 빠른 속도와 Flash의 비휘발성을 결합한 새로운 개념의 메모리로 제안되었다. 2. 트랩 깊이(Et) 제어 및 데이터 보유 트랩 형성은 산소공공, 금속 도핑(La, Ti, Al), 결함층 삽입(Al₂O₃, S...2025.12.20