총 27개
-
실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
-
[A+인증] 회로실험 레포트 모음2025.01.231. 트랜지스터 특성 곡선 측정 이번 실험에서는 NPN형 트랜지스터에서 베이스의 전류에 따라 컬렉터의 전류가 달라짐을 관찰했습니다. 또한, 베이스에 걸리는 전류에 따른 컬렉터와 에미터 사이에 걸린 전류를 나타내는 특성 곡선을 도출했습니다. 실험 결과를 통해 트랜지스터의 증폭 작용은 베이스 전류에 의해 결정된다는 것을 알 수 있었습니다. 다만 일부 오차가 발생한 원인으로는 가변 저항 조정의 어려움, 도선 저항, 발열 현상 등을 들 수 있습니다. 1. 트랜지스터 특성 곡선 측정 트랜지스터 특성 곡선 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한...2025.01.23
-
전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
-
BJT의 특성 및 바이어스 실험 결과보고서2025.11.181. BJT(쌍극성 트랜지스터) 특성 측정 본 실험에서는 2SC3198GR, 2SC3198Y, 2N2222 등 3개의 BJT 트랜지스터를 대상으로 단자 번호, 형태, 반도체 재료를 파악하고 DMM을 이용하여 다이오드 스케일과 저항 스케일로 측정했습니다. 각 트랜지스터의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자를 식별하고 실리콘 재료의 npn형 트랜지스터임을 확인했습니다. 측정 결과 트랜지스터마다 내부 저항이 다르게 나타났으며, 이는 실험에서 요구하는 측정값 획득에 영향을 미쳤습니다. 2. BJT 바이어스 특성 분석 실험 결과 VBE가 증가할수...2025.11.18
-
전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
-
한국기술교육대학교 전자회로실습 CH8. 공통이미터회로 직류바이어스 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 특성곡선 이상적인 트랜지스터의 특성곡선과 실제 트랜지스터의 특성곡선을 설명하고, 트랜지스터의 사용 목적에 따른 구분을 다룹니다. 또한 특성곡선과 직류부하선의 관계를 설명하고, 직류부하선의 변화에 따른 영향을 분석합니다. 2. 트랜지스터의 동작모드 트랜지스터의 스위치 모드 동작을 설명하고, 베이스 전류에 따른 이미터-컬렉터 전압과 컬렉터 전류의 관계를 정리합니다. 또한 트랜지스터의 세 가지 동작모드(차단, 활성, 포화)를 설명합니다. 3. 실험 방법 및 결과 실험 장비 및 재료를 소개하고, 트랜지스터 특성곡선 실험 방...2025.05.05
-
BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
-
울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
-
전자공학실험 8장 공통 베이스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 적기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 g_m R_C로 표현할 수 있으며, 입력 임피던스는 1/g_m으로 구할 수 있다. 공통 베이스 증폭기는 임피던스가 수십 ohm 정도로 매우 작으므로, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 2. 공통 베이스 증폭기 회로 분석 실험회로...2025.01.13
-
쌍극성 접합 트랜지스터 특성 실험2025.11.171. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 구조 및 동작원리 BJT는 2개의 p-n 접합으로 구성되며 p-n-p형 또는 n-p-n형으로 분류된다. 이미터, 베이스, 컬렉터 3개의 전극을 가지고 있다. 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스되고 베이스-컬렉터 접합은 역방향 바이어스된다. 베이스 영역이 얇을수록 베이스 전류는 작아지고, 이미터에서 주입된 전자들이 베이스를 통과하여 컬렉터로 수집된다. 이 과정에서 전자와 정공의 이동으로 인해 세 개의 전류(IE, IB, IC)가 발생한다. 2. 트랜지스터 동작 영역(차단, 포화, 활성 영역) 차...2025.11.17
1 / 3
