총 30개
-
[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
-
P-N 접합의 접촉전위와 전류 특성2025.11.181. 접촉전위(Contact Potential) P-N 접합에서 P측의 정공과 N측의 전자가 확산되면서 접합부에 전기장이 형성된다. 이로 인해 발생하는 평형 상태의 전위차를 접촉전위 V0라 하며, 이는 이동 전하의 확산을 방해하는 내재적 전위 장벽 역할을 한다. 접촉전위는 V0 = (kT/q)ln(NaNd/ni²) 식으로 표현되며, 여기서 Na는 P측 수용체, Nd는 N측 공여체, ni는 본질 반도체의 캐리어 농도이다. 2. 공간전하 영역(Space Charge Region) 접합부에서 캐리어가 고갈되는 영역을 천이영역(transi...2025.11.18
-
전자회로실험 예비 1주차2025.05.161. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만든다. P형 반도체는 acceptor doping으로, N형 반도체는 donor doping으로 만들어진다. P형에서는 정공(hole)이 majority carrier이고, N형에서는 전자(electron)가 majority carrier이다. 정공과 전자가 접합을 가로질러 확산하면서 diffusion current를 형성하고, 이에 따라 depletion region과 E-field가 생성된다. P형 영역은 anode, N형 영역은 cathode...2025.05.16
-
[생리학 보고서] 물질이동의 능동적 운반2025.01.281. 물질이동의 능동적 운반 물질이동 방법에는 단순확산과 능동수송이 있습니다. 단순확산은 농도경사를 따라 물질이 이동하는 방식이며, 능동수송은 펌프, 농도경사, 압력차 등에 의해 물질이 능동적으로 이동하는 방식입니다. 능동수송에는 운반단백질(carrier protein)이 필요하며, 이 운반단백질은 ATP에 의해 제공되는 에너지로 작동됩니다. ATP는 다양한 생명활동에 직접 사용되는 에너지를 저장하는 물질로, ATPase 효소에 의해 ADP와 무기인산으로 가수분해되면서 약 7.3Kcal의 에너지를 방출합니다. 이 방출된 에너지는 기...2025.01.28
-
A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
-
응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
-
반도체의 원리(P-N Junction)2025.11.161. P-N Junction P-N Junction은 반도체 소자의 기본 구조로, P형 반도체와 N형 반도체가 접합된 부분입니다. P형은 양공(정공)이 주요 캐리어이고 N형은 전자가 주요 캐리어입니다. 접합 부분에서 확산과 드리프트 현상이 발생하여 내부 전기장이 형성되고, 이는 다이오드의 정류 특성을 만듭니다. P-N Junction은 다이오드, 트랜지스터, 태양전지 등 다양한 반도체 소자의 핵심 요소입니다. 2. 반도체 도핑(Doping) 도핑은 순수한 반도체에 불순물을 첨가하여 전기적 성질을 변화시키는 공정입니다. P형 반도체는...2025.11.16
-
Si 태양전지 화공실험 레포트2025.11.131. Si 태양전지 구조 및 공정 실리콘 태양전지는 여러 개의 Solar Cell을 연결하여 PV Module을 구성한다. 태양전지의 기본 구조는 n형과 p형 반도체가 접합된 형태로, 각 끝에 전극이 부착되어 있다. 웨이퍼는 반도체의 기본 재료이며 단결정, 멀티결정, 폴리결정, 마이크로결정 등의 종류가 있다. Si 반도체 공정은 웨이퍼 준비, P-N 접합 형성, 산화막 제거, 반사방지 코팅, 금속화, 마무리 단계를 거친다. 각 단계에서 화학적 처리와 열처리 공정이 포함되어 있다. 2. P-N 접합 원리 P-N 접합은 홀 농도가 높은...2025.11.13
-
Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
-
다이오드 특성 실험 예비보고서2025.11.171. PN 접합 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합시킨 다이오드의 구조와 동작 원리를 설명합니다. 접합면에서 자유전자와 정공의 확산으로 인해 공핍층이 형성되며, 이는 양이온과 음이온으로 이루어진 전하 공백 영역입니다. 순방향 바이어스 시 N형에 음극, P형에 양극을 연결하여 전류가 흐르게 하고, 역방향 바이어스 시 극성을 반대로 연결하여 공핍층을 확대시킵니다. 역방향에서도 소수캐리어에 의한 미소 전류가 흐르게 됩니다. 2. 다이오드 특성곡선 및 문턱전압 실리콘(Si) 다이오드의 문턱전압은 약 0.65V이고 게르마늄(Ge) 다이오드는...2025.11.17
1 / 3
