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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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Four point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 (예비)2025.05.121. 전기 전도도 전기 전도도의 의미, 전기 전도도와 고유 저항의 관계를 이해한다. 고유 저항, 저항, 면저항의 차이를 이해한다. 2. 무기 금속과 유기 금속의 차이 무/유기 금속의 차이와 four-point probe법의 기본 원리를 이해한다. 무기금속의 경우 금속 내부의 자유 전자와 외부에서 입사한 광자가 상호작용하여 광택이 나는 반면, 유기 금속의 경우 가시광선 영역의 빛에 대해 높은 광학적 투과도를 가지므로 투명하게 보인다. 3. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 대표적인 전도성 고분자이며 우수한 내열성을 갖고 높은 전기...2025.05.12
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PEDOT:PSS 유기 및 은 무기 박막 전기전도도 측정2025.11.181. 전기전도도 및 비저항 전기전도도(electrical conductivity, σ)는 물질이 전하를 운반할 수 있는 정도를 나타내는 물리량이며, 비저항(resistivity, ρ)은 물질이 전류 흐름에 얼마나 세게 맞서는지 측정한 물리량입니다. 저항(R)은 전기의 흐름을 방해하는 정도를 나타내며, 면저항(sheet resistance, Rs)은 막의 단위 두께당 비저항을 표시합니다. 비저항과 전도도는 반비례 관계로, 비저항이 낮을수록 전기 손실을 최소화할 수 있습니다. Pouillet's law에 따르면 저항은 비저항이 클수록,...2025.11.18
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PEDOT:PSS 유기 및 은 무기 박막의 전기전도도 측정2025.11.181. 유기 박막 전기전도도 측정 PEDOT:PSS DMSO 5wt% 용액을 사용하여 스핀 코팅으로 유기 박막을 제조했다. 회전 속도(2000~5000 rpm)를 달리하여 서로 다른 두께의 박막 4개를 제작했다. 4-point probe measurement system을 이용해 면저항을 측정하고, 비저항과 전기전도도를 계산했다. 결과적으로 박막의 두께가 얇아질수록 면저항이 증가하고 전기전도도는 감소하는 경향을 보였다. 4000rpm에서 가장 높은 전기전도도(468.1 S/cm)를 나타냈다. 2. 무기 박막 전기전도도 측정 열증착기를...2025.11.18
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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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PN 접합 제조 공정 기술 요약2025.11.181. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...2025.11.18
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탄소나노튜브의 구조와 성질2025.01.181. 탄소나노튜브의 구조 탄소나노튜브(Carbon Nanotube; CNT)는 탄소로 이루어진 물질로, 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브 형태를 이루고 있다. 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작은 영역의 물질이다. 탄소나노튜브는 단중벽, 이중벽, 다중벽, 다발형 등 구조에 따라 다양한 형태로 존재한다. 2. 탄소나노튜브의 전기적 성질 탄소나노튜브는 양자거동을 보이며 획기적인 전도성(ballistic conductance)을 가진다. 금속성 탄소나노튜브의 저항은 매우 낮으며, 안정된 전류밀도를 보인다...2025.01.18
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[박막공학실험]이온스퍼터링과 탄소코팅2025.05.021. 진공증착법 진공증착법은 진공 중에서 박막을 만들려는 대상 물질을 가열하여 증발시키고, 그 증기를 기판 위에 부착시키는 방법이다. 진공증착은 장치 구성이 간단하고 많은 물질에 쉽게 적용할 수 있으며 물성 연구에 적합하지만, 접착력이 약하고 재현성이 나쁜 단점이 있다. 2. 이온스퍼터링 이온스퍼터링은 고에너지 이온을 음극 물질에 충돌시켜 원자를 떼어내고, 그 원자들이 기판에 증착되어 박막을 형성하는 방법이다. 스퍼터링법은 진공증착과 달리 증착 물질에 직접 운동량을 전달하여 증착이 이루어진다. 3. FE-SEM 전계방사형 전자현미경...2025.05.02
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