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재료의 전기화학적 성질 에칭실험의 이해2025.05.161. 에칭 에칭은 재료 표면에 콘트라스트를 주는 방법으로, 광학적 에칭, 전기화학적 에칭, 물리적 에칭 등이 있다. 전기화학적 에칭은 시편을 양극으로 하고 상대전극을 음극으로 하여 전위를 가해 표면을 에칭하는 방법이다. 에칭 후 미세조직과 결정 배향에 따라 두께 차이가 발생하여 간섭색으로 관찰할 수 있다. 2. 에칭 용액 저탄소강의 경우 Nital 용액(질산 1~10ml + 에탄올 100ml)을 사용하며, 10~20초 동안 부식시킨다. Al 및 Al 합금의 경우 Kellers Etch 용액(증류수 190ml + 질산 5ml + 염산...2025.05.16
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은 나노입자 합성 및 광특성 분석(결과보고서)2025.05.141. 은 나노입자 합성 Na3C6H5O7는 nitric acid와 반응하며 용액이 중성 또는 약 염기성을 유지하도록 하는 완충제 역할을 한다. 또한 성장하는 나노 입자의 표면에서 은 이온과 결합하여 나노 입자가 응집되는 것을 막아 입자가 너무 커지지 않도록 한다. H2O2는 에칭제 역할로 덜 안정한 은 나노 입자를 순도높은 안정한 나노 입자를 만들기 위해 쓰인다. KBr은 은 나노입자의 성장을 제한한다. 따라서 KBr의 농도가 입자의 크기를 결정한다. NaBH4는 질산은을 환원시키기 위해 사용된다. 질산은이 환원될 때, 은 원자들은...2025.05.14
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나노재료공학 중간레포트2025.05.051. 분자간력 금속결합, 이온결합, 공유결합, 배위결합, van der Waals force, 소수성 상호작용, 수소결합, 용매화력에 대해 조사하였습니다. 금속결합은 금속 원자들 사이의 결합이며, 이온결합은 양이온과 음이온 사이의 정전기적 인력입니다. 공유결합은 비금속 원소들이 전자를 공유하여 결합하는 것이고, 배위결합은 전자를 일방적으로 공유하는 결합입니다. van der Waals force는 무극성 물질 사이의 분산력이며, 소수성 상호작용은 물과 소수성 물질 간의 약한 화합결합입니다. 수소결합은 극성 분자 사이의 강한 상호작용...2025.05.05
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Photolithography 결과보고서2025.05.051. Photolithography 이번 실험은 Photolithography을 통해 baking, Alignment, Exposure와 같은 개념을 알아보고 반도체 8대 공정을 이해하는 실험이었습니다. 실험을 하는 과정에서 기판을 세척하여 이물질을 제거해주는 것이 실험 결과에 지대한 영향을 미친다는 것을 확인할 수 있었으며, 스핀코터의 Rpm조건에 따라 기판에 새겨지는 마크의 차이점을 이해할 수 있었습니다. 이번 실험을 통해 PR에 빛을 비추어 패턴을 형성하는 과정인 Exposure(노광)에도 여러 가지 종류가 있다는 것을 학습할...2025.05.05
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반도체 하드마스크 SOH 레포트2025.05.021. SOH (Spin-on Hardmasks) SOH는 패터닝 공정에서 반도체 미세 패턴 구현을 위한 보조재료입니다. gap을 채우고 평탄화를 강화하여 내에칭성을 강화해야하는 특성을 요구합니다. SOH는 반도체 회로 패턴 형성 시 기존의 CVD 방식이 아닌 spin coating 방식으로 막을 형성하는 미세 패턴 형성 재료로, 미세 선폭의 패턴 정확도를 구현합니다. 2. PR MASK와 HARD MASK 비교 미세패턴을 구현하려면 PR MASK의 폭이 점점 줄어들어야 합니다. PR MASK의 가로에 대한 세로의 비율이 특정 값보다...2025.05.02
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단국대 고분자공학 실험 및 설계1 ps-p2vp Orientation 및 Reconstruction & etching 레포트 [A+]2025.01.231. BCP Phase diagram BCP는 화학적으로 서로 다른 두 개 이상의 고분자 사슬이 공유 결합으로 연결된 구조로 이루어져 있다. 이는 sphere, cylinder, gyroid, and lamellae 등 다양한 형태 및 크기로 자기조립이 가능하며, 각 block의 부피 비율(f), 분자량(N), 플로리-허긴스 상호작용 파라미터(χ) 등의 조건에 영향을 받는다. 2. Solvent-Vapor Annealing Solvent-Vapor Annealing은 BCP 필름의 나노 구조 및 배향을 부여하기 위한 간단하고 효과적...2025.01.23
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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10