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Oxidation (반도체)2025.05.081. SiO2 Layer SiO2 레이어는 다음과 같은 용도로 사용됩니다: (1) 도펀트 확산 및 이온 주입 동안 마스크로 사용, (2) 칩 상의 다른 장치 간 전기적 절연 제공, (3) 금속-산화물 반도체 장치에서 게이트 산화물 및 커패시터 유전체로 사용, (4) 실리콘 표면의 패시베이션 제공, (5) 다단계 금속화 구조에서 전기적 절연 제공. 2. SiO2 종류 SiO2에는 세 가지 종류가 있습니다: (1) 자연 산화막 - 실리콘이 공기 중에 노출되면 얇은 자연 산화막이 형성됨, (2) 열 산화막 - 고온에서 실리콘을 산화시켜 ...2025.05.08
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PN 접합 제조 공정 기술 요약2025.11.181. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...2025.11.18
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반도체 공정 전체 프로세스 가이드2025.12.191. 웨이퍼 제조 반도체 공정의 첫 단계로 모래(SiO2)에서 시작하여 순도 99.99999%의 고순도 실리콘을 만드는 과정입니다. 모래와 탄소를 반응시켜 규소를 추출하고, 실란가스를 거쳐 폴리실리콘으로 정제합니다. CZ법을 이용해 단결정 잉곳을 성장시킨 후, 슬라이싱, 연마, 세척 등의 가공을 거쳐 최종 웨이퍼를 완성합니다. 이 과정에서 RCA 세정, CMP 등 정밀한 공정이 필요합니다. 2. 산화 및 포토 공정 웨이퍼 위에 절연층을 형성하고 회로 패턴을 새기는 공정입니다. 건식산화로 얇은 게이트 산화막을, 습식산화로 두꺼운 보호...2025.12.19
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[환경공학실험] 토양의 물리화학적 특성2025.01.131. 토양 유기물 함량 측정법 토양의 유기물 함량을 측정하는 습식산화방법과 건식연소법의 특징과 장단점을 비교하였다. 습식산화방법은 중크롬산 등 유독성 화합물을 사용하여 위험하지만 토양 내 유기탄소를 직접 측정할 수 있다. 건식연소법은 안전하지만 토양 내 무기탄소의 영향을 받을 수 있어 별도의 전처리가 필요하다. 2. 토양 수분 함량 및 유기물 함량 측정 실험을 통해 근권 토양과 비근권 토양의 수분 함량과 유기물 함량을 측정하였다. 근권 토양의 수분 함량 평균은 15.93%, 유기물 함량 평균은 5.167%로 비근권 토양보다 높게 나...2025.01.13
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황산화물 중화적정법 실험 보고서2025.12.121. 황산화물(SOx) 황과 산소의 화합물로 이산화황(SO2), 삼산화황(SO3), 아황산(H2SO3), 황산(H2SO4) 등이 있으며 황산염도 포함된다. 주요 대기오염물질로서 산성비의 원인이 되고 기체 자체로 호흡기 질환을 유발한다. 산성비는 식물의 엽록소를 파괴하여 잎을 누렇게 변하게 하거나 말라죽게 하며, 사람을 비롯한 생물에게 큰 피해를 준다. 2. 중화적정법 시료를 과산화수소수에 흡수시켜 황산화물을 황산으로 만든 후 수산화나트륨 용액으로 적정하는 방법이다. 시료 20L를 흡수액에 통과시키고 250ml로 묽게 하여 분석용 시...2025.12.12
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포토리소그래피와 식각 공정을 이용한 미세 패턴 형성2025.11.171. 포토리소그래피(Photolithography) 웨이퍼에 감광제(Photoresist)를 코팅하고 UV 빛을 조사하여 패턴을 형성하는 공정입니다. 본 실험에서는 양성 감광제 AZ1512를 사용하여 클리닝, PR 도핑, 소프트 베이킹, UV 노광, 현상, 하드 베이킹 단계를 거쳤습니다. 양성 감광제는 빛을 받은 부분의 폴리머 분자간 결합이 약해져 현상액에 의해 제거되므로 노광된 부분이 마스크와 동일한 패턴으로 형성됩니다. 해상도는 Rayleigh 관계식에 의해 결정되며, 파장이 짧고 개구수(NA)가 클수록 미세한 패턴을 만들 수 ...2025.11.17
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칼슘 알지네이트 제조 실험2025.12.141. 알긴산(Alginate) 알긴산은 해양의 갈조류에서 얻을 수 있는 천연 고분자로, mannuronic acid(M)와 guluronic acid(G)로 이루어진 직쇄 공중합체이다. 주로 수용성인 알긴산 나트륨 형태로 이용되며, 생분해성, 무독성, 높은 점도, 방사성 등의 특징을 가진다. 가장 중요한 특징은 칼슘 등의 다가 금속이온과 강하게 결합하여 겔화하는 성질로, 금속염과 가교결합을 형성하여 겔화된다. 2. 칼슘 알지네이트 섬유 알긴산 섬유는 습식방사 방법으로 제조되며, 약 10%의 칼슘을 함유하여 난연성을 가진다. 칼슘이온...2025.12.14
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금속 담지 촉매 제조 및 특성 분석2025.11.141. 촉매의 구성 요소 촉매는 활성물질(active phase), 증진제(promoter), 지지체(support)의 세 가지 요소로 구성된다. 활성물질은 반응물의 흡착점과 표면반응의 활성점을 구성하며 금속, 금속산화물, 산과 염기로 분류된다. 증진제는 활성물질의 기능을 증진하고 지지체는 활성물질의 분산도를 높이고 열적, 기계적 안정성을 제공한다. 지지체는 열적 안정성, 물리화학적 안정성, 넓은 표면적, 기공성, 안전성과 경제성을 갖춰야 한다. 2. 금속 담지 촉매 제조 방법 담지 촉매 제조는 함침법, 이온 교환법, 침전법으로 구분...2025.11.14
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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과산화수소의 산화환원 적정 분석2025.11.131. 산화환원 적정(Redox Titration) 산화환원 적정은 산화제와 환원제 사이의 전자 이동을 이용하여 물질의 농도를 결정하는 분석 방법입니다. 과산화수소 분석에서는 산화제 또는 환원제로 작용하는 표준 용액을 사용하여 시료의 정확한 농도를 측정합니다. 이 방법은 화학 실험실에서 널리 사용되는 정량 분석 기법입니다. 2. 과산화수소(Hydrogen Peroxide, H₂O₂) 과산화수소는 산화제이자 환원제로 작용할 수 있는 양성 산화환원 물질입니다. 산성 용액에서는 산화제로, 염기성 용액에서는 환원제로 작용합니다. 소독, 표백...2025.11.13
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