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울산대학교 전기실험예비레포트 5장 망로 전류 및 마디 전압을 이용한 회로해석2025.05.151. 선형 회로 소자 선형 회로 소자인 저항기는 전압이 2배 증가하면 전류도 2배 증가하고, 전압이 2배 감소하면 전류도 2배 감소하는 특성을 가지고 있다. 이러한 선형 특성을 이용하여 회로 해석을 할 수 있다. 2. 망로 전류 방법 망로 전류 방법은 폐회로에 대해 Kirchhoff의 전압 법칙(KVL)을 이용하여 연립 방정식을 세우고 해를 구함으로써 회로의 전류를 구하는 방법이다. 이 방법은 회로가 복잡할 경우 계산 과정을 간소화할 수 있다. 3. 마디 전압 방법 마디 전압 방법은 Kirchhoff의 전류 법칙(KCL)을 이용하여...2025.05.15
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_25 직렬RC회로(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 선형소자와 정현파 선형소자(저항, 커패시터, 인덕터 등)들로만 구성된 회로가 어떤 주파수의 정현파로 구동될 때, 그 회로의 출력 파형들 또한 같은 주파수를 갖는 정현파로 나타남. 정현파 전압과 전류의 관계를 보여주기 위해 교류 파형을 페이저 양으로 표시할 수 있으며, 페이저는 정현파의 크기와 위상을 표현하는 데 사용되는 복소수 형태로 나타낼 수 있다. 2. 페이저 회로에서 페이저를 그래프 형태로 나타내면 여러 파형의 크기와 위상관계를 확인할 수 있다. 복소수의 대수식을 사용하여 정현파에 대한 연산이 가능하며, 임피던스도에 있는...2025.05.13
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Non-Linear OP Amp (파형발생기)-결과보고서2025.05.071. OP Amp의 비선형 동작 특성 OP Amp의 비선형 동작 특성을 이용하는 적분기, 파형 발생기 등의 동작 특성을 이해하고 OP Amp를 이용하여 구형파 및 삼각파를 만들어 보는 실험을 수행했습니다. 실험 결과 시뮬레이션과 실험 결과가 유사하였으나 가변저항의 정확한 조절이 어려워 일부 오차가 발생했습니다. 저항과 커패시터 값을 변화시켜 주파수와 출력 크기를 조절하는 실험을 진행하였고, 대체로 시뮬레이션 결과와 유사한 결과를 얻을 수 있었습니다. 2. 구형파 및 삼각파 발생기 회로 OP Amp를 이용하여 구형파 및 삼각파를 발생...2025.05.07
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Ex22.망로전류를 이용한 회로해석 결과 레포트2025.05.111. 선형회로의 특성 선형회로는 저항기 또는 다른 형태의 저항성 소자들로만 구성된 회로이다. 이 회로는 인과성, 불변성, 직선성이라는 특성을 가진다. 소자의 전압과 전류 특성이 옴의 법칙에 따르는 소자를 선형소자라고 한다. 즉, 소자에 걸리는 전압이 2배 증가되면 그 소자에 흐르는 전류도 2배가 되며, 전압이 1/3로 감소하면 전류도 1/3로 한다. 2. 망로전류 방정식 풀이 그림 22-6을 참조하여 망로 2의 전류 I2를 반 시계 방향으로 가정하여 3개의 망로전류 방정식을 세웠다. 이 방정식을 풀어서 R1, R2, R3, R4, ...2025.05.11
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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] [김ㅇㅇ 교수님] 2022 HW042025.05.031. Si pn 접합 다이오드 상온에서 동작하는 실제의 Si pn 접합 다이오드에서는 접합 면에서의 도핑 분포가 완전한 계단형이 아니다. 따라서 금속학적 접합 근처에서는 전자와 정공 사이에 보상효과가 일어날 수 있다. 이러한 보상효과에 의하여 평형 상태의 공핍층 내에서의 이온화된 도펀트들의 분포가 근사적으로 선형 함수로 주어진다고 가정한다. 2. 체적 전하밀도 체적 전하밀도 Qv를 구하고 그래프로 나타낸다. 3. 전계 전계 E와 최대 전계 Emax를 구하고 그래프로 나타낸다. 4. 전위 전위 V와 내부 전위 Vi를 구하고 그래프로 ...2025.05.03
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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기초 회로 실험 제 22장 망로전류를 이용한 회로해석 (결과레포트)2025.01.211. 선형회로의 특성 선형회로는 인가 전압과 전류가 비례 관계를 갖는 것, 즉 선형방정식으로 표현되는 회로를 말한다. 다시 말해 선형회로는 선형 소자인 저항과 같이 비례성과 가산성을 가지고 구성을 한 회로를 말한다. 2. 망로전류 방정식 도출 및 해석 그림 22-6과 같이 각 망로전류의 크기를 I1, I2, I3라고 설정하고 KVL를 이용하여 연립방정식을 세웠다. 이를 풀면 I1 = -57.89mA, I2 = 15.79 mA, I3 = -5.26mA이다. 이를 통해 각 저항의 전류를 계산하였고, 실험 결과와 비교하였다. 실험값과 이...2025.01.21
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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