총 89개
-
D램과 낸드플래시 반도체의 공통점과 차이점2025.04.301. D램과 낸드플래시 반도체의 차이 D램은 전원이 꺼지면 저장했던 정보가 사라지는 휘발성 메모리이지만, 낸드는 전원이 꺼져도 정보가 남아있는 비휘발성 메모리이다. 또한 데이터 처리 속도도 D램이 더 빠르다. 두 제품이 상호 보완적인 역할을 한다. 2. 새로운 메모리 개발 시도 D램과 낸드플래시의 장점만 뽑아 새로운 메모리를 선보이려는 시도들이 과거부터 있었다. 이는 두 제품의 단점을 보완하고자 하는 노력으로 볼 수 있다. 1. D램과 낸드플래시 반도체의 차이 D램(Dynamic Random Access Memory)과 낸드플래시(...2025.04.30
-
차세대 메모리 반도체 STT-MRAM 조사 과제2025.01.291. MRAM MRAM은 magnetic random access memory의 약자로, 강자성체 간의 자기 저항 효과를 이용하였다. 또한 양자역학적 효과를 이용한 기억 소자로 소자로 전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 소자로서, 소비 전력이 적고 높은 온도 범위에서 동작이 가능하며 Flash가 갖는 비휘발성 이외에, 기존의 DRAM 급의 빠른 응답속도 등의 특성을 갖는다. MRAM은 자성층의 자화 방향에 따라서, 정보를 저장한다. 0과 1의 정보는 자기 저항값의 차이를 이용해 구분한다. 정보...2025.01.29
-
어는점 내림 예비&결과2025.05.111. 어는점 내림 현상 실험을 통해 어는점 내림 현상을 확인하고, 용액의 총괄성이 어떻게 적용되는지 확인한다. 비휘발성 용질이 녹아 있는 용액의 어는점은 순수한 용매보다 낮아지는데, 이는 용액의 증기압이 용매의 증기압보다 낮기 때문이다. 용액의 농도가 진해지면 용액의 3중점이 내려가고, 이로 인해 고체와 액체의 평형 온도가 낮아져 어는점도 낮아진다. 비휘발성 용질을 녹인 묽은 용액의 경우, 용액의 어는점은 용질 입자수에 비례해 낮아진다. 이러한 어는점 내림 현상은 실생활에서도 많이 활용되고 있다. 2. 어는점 내림 실험 실험에서는 ...2025.05.11
-
액체의 분자량 측정(Victor Meyer)2025.01.131. 이상기체 이상기체는 이상기체법칙을 따르는 기체로 구성분자들이 모두 동일하며 분자의 부피가 0이고, 분자간 상호작용이 없는 가상적인 기체이다. 실제의 기체들은 충분히 낮은 압력과 높은 온도에서 이상기체와 거의 유사한 성질을 나타낸다. 2. 기체 상수 기체 상수는 1mol의 이상기체(理想氣體)의 압력 · 부피 · 절대온도를 각기 라 했을 때 보일-샤를의 법칙에 의해 성립하는 PV=RT에서 상수 R을 의미한다. 기체상수는 아보가드로의 법칙에 의하여 등온 · 등압 하에서 그 종류에 관계없이 항상 일정한 값을 가진다. 3. 아보가드로의...2025.01.13
-
The Importance of Memory Semiconductors in Human Life: Exploring Their Significance and Applications2025.05.011. 메모리 반도체 메모리 반도체는 현대 전자 기기의 필수적인 구성 요소입니다. 개인용 컴퓨터와 스마트폰, 게임 콘솔과 자동차에 이르기까지 메모리 반도체는 정보를 저장하고 검색하는 데 중요한 역할을 합니다. 이 에세이에서는 메모리 반도체의 중요성, 응용 분야, 미래 발전 방향을 탐구합니다. 2. 메모리 반도체의 중요성 메모리 반도체는 현대 기술의 필수적인 부분입니다. 이를 통해 전자 기기가 방대한 양의 데이터를 빠르고 효율적으로 저장하고 검색할 수 있습니다. 메모리 반도체 없이는 오늘날 우리가 의존하는 많은 기술이 존재하지 않을 것...2025.05.01
-
차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료2025.05.021. 기존 메모리 반도체 DRAM과 NAND FLASH 메모리 반도체의 구조와 동작 원리, 그리고 한계에 대해 설명하고 있습니다. 2. 차세대 메모리 반도체 MRAM, PRAM, RRAM 등 기존 메모리 반도체의 단점을 보완한 다양한 차세대 메모리 반도체에 대해 소개하고 있습니다. 3. MRAM MRAM의 구조와 동작 원리, 그리고 기존 MRAM의 문제점과 이를 해결하기 위한 STT-MRAM과 SOT-MRAM 기술에 대해 설명하고 있습니다. 4. PRAM PRAM의 구조와 동작 원리, 그리고 핵심 물질인 칼코게나이드계 물질의 특성에...2025.05.02
-
컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징, 그리고 NAND Flash Memory의 장단점2025.01.081. 컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징 컴퓨터 주기억 장치에는 SRAM, DRAM, NAND Flash Memory, NOR Flash Memory 등이 있습니다. SRAM은 높은 속도와 낮은 전력 소비를 가지고 있으며, DRAM은 대용량 메모리를 저렴하게 구성할 수 있습니다. NAND Flash Memory는 비휘발성 메모리로서 대용량 저장이 가능하고, NOR Flash Memory는 읽기 속도가 빠르고 안정적인 데이터 보호가 가능합니다. 각각의 주기억장치는 서로 다른 특징과 장단점을 가지고 있어, 사용자의 요구 사항에 따라 적절...2025.01.08
-
Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND2025.04.261. Memory의 종류 메모리에는 RAM, ROM, 자기 표면 기억장치, 반도체 기억장치 등 다양한 종류가 있다. RAM은 전원이 유지되는 동안만 사용 가능한 휘발성 메모리로 CPU의 연산이나 응용프로그램 로딩, 데이터 일시 저장 등에 이용된다. ROM은 전원 차단 이후에도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리로 BIOS, OS, 펌웨어 저장에 사용된다. 2. 반도체 기억장치의 구조와 동작 반도체 기억장치는 실제 정보가 저장되는 메모리 셀과 주소, 데이터, 제어 신호를 처리하는 주변 회로로 구성된다. 데이터 쓰기 시 주소 레지스터에서...2025.04.26
-
숭실대학교 화학2 및 실험 어는점 내림과 분자량 결정 보고서2025.05.151. 어는점 내림 측정과 분자량 결정 이 보고서는 용액의 총괄성을 이해하고 순수한 용매와 비휘발성, 비전해질 용질을 녹인 용액의 어는점을 측정하여 어는점 내림을 이용해 용질의 분자량을 결정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 실험에서는 라우르산과 벤조산을 사용하여 어는점 내림 현상을 관찰하고 벤조산의 분자량을 계산하였습니다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 오차율을 구하고 오차 원인을 분석하였습니다. 1. 어는점 내림 측정과 분자량 결정 어는점 내림 측정은 용액의 분자량을 결정하는 중요한 방법 중 하나입니다. 용질의 농도가 증가할수록...2025.05.15
-
물리화학실험 끓는점 오름법에 의한 분자량 측정 A+ 결과레포트2025.01.131. 끓는점 오름법에 의한 분자량 측정 이 실험의 목적은 끓는점 오름법을 이용하여 비휘발성 용질의 분자량을 결정하는 것입니다. 끓는점 오름은 용매의 성질과 용액의 농도에 따라 달라지며, 이를 이용하여 용질의 분자량을 계산할 수 있습니다. 실험에서는 아세톤을 용매로 사용하고 나프탈렌과 미지 시료인 벤조산을 용질로 사용하여 끓는점 오름을 측정하고 분자량을 계산하였습니다. 실험 과정에서 다양한 오차 요인이 발생하였으며, 이에 대한 고찰과 더 알고 싶은 점들을 정리하였습니다. 1. 끓는점 오름법에 의한 분자량 측정 끓는점 오름법은 용매에 ...2025.01.13
1 / 9
