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반도체 예비보고서2025.05.101. 반도체 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)하고 애자, 유리 같은 부도체의 중간 정도인 물질이다. 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 의해 전도도가 바뀐다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 넣어서 만든다. 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 만드는 데에 쓰인다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하고 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체처럼 동작할 때와 도체처럼 동작할 때 각각 부도체나 도체와 다른 점이 있다. 2. 반도체의 물리적 기초 반도체란 절대 영도에서 ...2025.05.10
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환경보건학개론(기말) ) B. 국내 직업병 사례 한 가지를 선정하여, 1) 사건의 경과(사진 포함), 2) 원인 환경오염 물질 및 피해가 발생한 원리와 기전(mechanism), 3) 피해 현황, 4) 교훈 및 사건 이후의 변화를 조사2025.01.251. 벤젠 노출에 의한 직업병 사례: 반도체 공장 근로자에게 발생한 급성 백혈병 1) 사건의 경과(사진 포함): 2003년 10월 삼성반도체 기흥 공장에 취업한 황유미씨는 입사 2년 만에 급성골수성백혈병 진단을 받았다. 그녀는 휴직 후 골수 이식 수술을 받았지만 결국 2007년 3월 사망하였다. 같은 공장에서 근무하던 다른 근로자들도 백혈병에 걸려 일부가 사망하였다. 2) 원인 환경오염 물질: 주 원인 물질은 벤젠으로 밝혀졌다. 황유미씨는 디퓨전 공정 및 세척 공정을 담당하면서 방독 기능이 없는 천 마스크를 착용하고 있었고, ...2025.01.25
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금오공대 신소재 전자재료1 과제2025.01.271. 활성화 에너지 활성화 에너지는 온도가 증가할수록 작아진다는 것을 알 수 있다. 온도가 증가하면 산소의 농도가 증가하여 활성화 에너지가 감소하는 것으로 나타났다. 2. 양자 효율 양자 효율은 0.15로 계산되었으며, 이를 이용하여 전류 밀도를 구할 수 있다. 전류 밀도는 1049.81 A로 계산되었다. 3. 수소 원자의 에너지 준위 수소 원자의 에너지 준위는 주 양자수 n에 따라 결정되며, 전이 에너지는 원자 번호 Z에 반비례한다. 스펙트럼 라인의 방출된 광자 파장은 Z에 반비례하여 가시광선 스펙트럼보다 훨씬 짧다. 4. 유한 ...2025.01.27
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CdSe 양자점 합성2025.01.131. 양자점 양자점은 양자 현상을 입증하는 훌륭한 자원이다. 양자점을 합성하는 두 가지 새로운 방법이 제시되어 있다. 비교적 낮은 반응 온도에서 진행되는 이러한 반응은 안전하고 학부생 실험실에서 쉽게 수행할 수 있다. 양자점은 밝은 발광, 넓은 들뜸 프로파일, QD의 좁은 방출 스펙트럼 등 눈에 띄는 광학적 특성을 보이는 반도체 나노결정체이다. 이 나노구조들은 영상촬영용 광학 프로브와 같은 응용 프로그램, 대상 태양 전지를 위한 라벨링, 온도 갑지, 감작기와 같이 매우 다양한 방법으로 조사되어 왔다. 2. CdSe 양자점 합성 이 ...2025.01.13
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한양이엔지 업체 조사2025.05.151. 한양이엔지 업체 개요 한양이엔지는 1988년 7월 20일에 설립된 반도체/디스플레이 유틸리티 설비 및 관련 장비 제조 업체입니다. 대표는 김형육과 김덕림이며, 1990년에는 국내 최초로 화학물질 중앙공급장치(CCSS)를 국산화했습니다. 코스닥에 상장되어 있으며, 주요 고객사는 삼성전자와 SK하이닉스입니다. 2. 한양이엔지의 사업 내용 한양이엔지의 주요 사업은 반도체 및 디스플레이 Fab 설비에 필수적인 초고순도(UHP) 특수설비 및 기타 엔지니어링 서비스를 제공하는 것입니다. 주요 사업부는 엔지니어링 사업부와 시스템 사업부로 ...2025.05.15
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전자재료 보고서2025.05.101. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우...2025.05.10
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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반도체에 대해서2025.01.281. 반도체의 개요 반도체는 도체와 절연체의 중간적인 성질을 가지고 있는 물질로, 전자의 이동이 자유롭지 않지만 외부 조건에 따라 전기 전도성이 변화할 수 있다. 반도체 물질에는 실리콘, 게르마늄 등이 있으며, 이들은 전자와 양공이라는 두 종류의 전하 운반자를 가지고 있다. 반도체의 전기적 특성은 이러한 전하 운반자의 움직임에 의해 결정된다. 2. 도체와 반도체의 구분 기준 도체와 반도체를 구분하는 주요 기준은 전도대와 가전자대 사이의 에너지 간격 크기이다. 에너지 간격이 넓은 물질은 절연체, 중간 정도인 물질은 반도체, 에너지 간...2025.01.28
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나노 반도체입자의 분광학적 성질(예비보고서)2025.05.131. 나노 반도체입자의 분광학적 성질 실험을 통해 반도체 나노입자를 합성하고 그 분광학적 성질을 관찰하여 크기와 분광학적 성질 사이의 관계를 알아보고자 한다. 반도체 물질의 에너지 준위와 band gap 개념을 이용하여 나노 크기의 반도체 입자에서 나타나는 양자구속 효과를 설명할 수 있다. 역미셀 구조를 이용하여 나노입자의 크기를 조절할 수 있다. 2. 반도체 물질의 에너지 준위와 band gap 원자 내 전자의 에너지 준위와 분자 내 전자의 에너지 준위를 설명할 수 있다. 고체 물질에서 나타나는 에너지 준위 구조인 valence ...2025.05.13
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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