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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08
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Four-point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 실험 (결과)2025.05.121. Four-point probe 방법을 이용한 전기전도도 측정 Four-point probe 방법을 이용하여 무기 박막(Ag)과 유기 박막(PEDOT:PSS + DMSO 5wt%)의 전기전도도를 측정하였다. 무기 박막의 경우 고유 저항은 2.426*10-8Ω·m, 전기 전도도는 0.412*108S/m로 나타났다. 유기 박막의 경우 스핀 코팅 속도에 따라 두께가 달라지며, 이에 따라 면 저항, 고유 저항, 전기 전도도 값이 변화하였다. DMSO 첨가로 인해 유기 박막의 전기 전도도가 크게 향상되었다. 2. 스핀 코팅을 통한 유기 ...2025.05.12
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM)을 이용한 소수성 표면 제조2025.05.141. 자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM) 자기조립형 분자박막(SAM)은 반응기에 따라 phosphonic acid, n-alkanoic acid, organosilane과 같이 다양한 종류가 있는데 organosilane은 그 종류에 따라 다양한 특성을 지닌 표면을 균일하게 만들 수 있는 표면처리 물질로 널리 이용되고 있다. Organosilane은 기판 표면 hydroxyl기와 화학 반응하여 SAM을 형성한다. SAM 말단기의 화학조성에 따라 표면 dipole moment의 차이가 생기고 이...2025.05.14
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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Four point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 (예비)2025.05.121. 전기 전도도 전기 전도도의 의미, 전기 전도도와 고유 저항의 관계를 이해한다. 고유 저항, 저항, 면저항의 차이를 이해한다. 2. 무기 금속과 유기 금속의 차이 무/유기 금속의 차이와 four-point probe법의 기본 원리를 이해한다. 무기금속의 경우 금속 내부의 자유 전자와 외부에서 입사한 광자가 상호작용하여 광택이 나는 반면, 유기 금속의 경우 가시광선 영역의 빛에 대해 높은 광학적 투과도를 가지므로 투명하게 보인다. 3. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 대표적인 전도성 고분자이며 우수한 내열성을 갖고 높은 전기...2025.05.12
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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전자기파 실험 결과 레포트2025.05.041. 전자기파의 특성 실험을 통해 전자기파의 특성을 확인하였다. 금속 물질은 전자기파를 차단하지만 비금속 물질은 통신을 방해하지 않는다. 전자기파의 파장에 따라 투과 정도가 달라지며, 구멍의 크기와 전자기파의 파장 관계도 중요하다. 또한 금속판을 이용하여 전자기파를 원하는 방향으로 보내는 도파로 기능도 확인하였다. 2. 거리에 따른 전자기파 세기 블루투스 통신을 이용하여 거리에 따른 전자기파 세기를 측정하였다. 거리가 증가함에 따라 전자기파 세기가 감소하는 일차함수 형태를 보였으며, 이를 dBm 단위로 환산하면 반비례 함수 형태로 ...2025.05.04
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AMOLED Bottom Emission OLED report (A0)2025.05.121. AMOLED 소자 및 공정실험 AMOLED 소자 제작을 위한 실험으로, Spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 관찰을 목표로 하였다. 실험에서는 ITO 표면 처리, 저분자 물질과 고분자 물질의 비교, Spin coater를 이용한 박막 형성 등의 내용을 다루었다. 2. Surface Treatment Work Function ITO의 Work Function을 낮추기 위해 UV 처리를 하였다. UV 처리를 하지 않으면 화학결합이 많아져 전자를 떼어내기 어려워지지만, UV 처리를 하면 약한 화학결합이 ...2025.05.12
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