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체육 현장에서 나타나는 다양한 운동역학적 특성2025.01.061. 동작의 최적화 운동역학은 프로 스포츠 선수들의 동작을 최적화하는 데 핵심적인 역할을 합니다. 효율적인 움직임으로 인해 기록 단축과 향상된 동작을 통해 경기 결과에 큰 차이를 가져올 수 있습니다. 축구의 경우 정확하고 효율적인 슈팅, 드리블, 패스, 방어 동작은 선수들의 움직임과 힘의 효과적인 전달이 필요합니다. 2. 효율적인 훈련과 기술 개발 운동역학은 선수들의 운동 패턴과 체형을 고려한 정밀한 분석을 통해 더욱 효율적인 훈련 방법을 개발하여 운동능력을 극대화하는 것을 목적으로 합니다. 3D 운동 분석, 바이오메카닉스 등의 첨...2025.01.06
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경제학적 논리 적용을 통한 수영 동작의 효용 극대화2025.01.131. 무차별곡선 무차별곡선은 두 재화(X,Y)에 대한 소비 조합을 나타내는 곡선으로, 동일한 효용 수준을 나타낸다. 무차별곡선은 일반적으로 우하향하는 볼록한 형태를 가지며, 한계대체율이 체감하는 특징이 있다. 2. 예산선 예산선은 경제 주체의 주어진 예산 하에서 소비할 수 있는 모든 점들을 나타내는 집합이다. 예산선과 무차별곡선이 접하는 점이 소비자 균형점이 되며, 이 지점에서 효용이 극대화된다. 3. 수영 동작과 무차별곡선 접목 수영 동작인 발차기(X재)와 팔젓기(Y재)를 무차별곡선 개념에 접목하여 분석하였다. 예산선은 개인의 운...2025.01.13
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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아주대 전자회로실험 설계3 결과보고서2025.05.091. 최대 출력전압 및 주파수 측정 최대 출력전압(Vpp)은 43.014kHz에서 2.0884Vpp로 나타났습니다. 2. 3dB 감소 주파수 측정 최대 peak 값보다 3dB 감소(0.707) 하는 주파수는 40.918kHz와 45kHz로 측정되었습니다. 3. Center frequency 및 Center frequency gain 측정 Center frequency는 43.014kHz이며 gain은 1.044로 1에 가깝게 나왔습니다. 4. 3dB bandwidth 및 20dB bandwidth 측정 3dB bandwidth는 4...2025.05.09
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서강대학교 23년도 마이크로프로세서응용실험 5주차 Lab05 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 마이크로프로세서 이 자료는 마이크로프로세서응용실험 5주차 실험 보고서로, 프로그램의 흐름을 변경하는 branch 명령어의 동작을 이해하고, branch with link 명령어의 특징을 알아보며, conditional execution을 위한 suffix의 종류와 의미를 알아보는 내용을 다루고 있습니다. 또한 jump table을 이용한 분기 방식과 loop unrolling을 통한 성능 향상 방법 등을 실험하고 분석하고 있습니다. 2. 어셈블리 프로그래밍 이 자료는 ARM 아키텍처의 어셈블리 프로그래밍 기법을 다루고 있습니다...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화 영역에서...2025.01.13
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