1. MOSFET 트랜지스터 특성 및 동작 영역 MOSFET의 Cutoff, Saturation, Linear(Triode) 영역의 특성을 분석했다. VGS-VTH=VDS 지점이 Saturation과 Linear 영역의 경계이며, VDS=VDD인 영역이 Cutoff 영역이다. HSPICE 시뮬레이션을 통해 V2 전압 변화에 따른 각 영역으로의 진입 시점을 확인했다. 트랜지스터 M1에서 V2=0.498V일 때 Saturation 영역으로, V2=0.817V일 때 Linear 영역으로 진입함을 확인했다. 2. Transconductan...