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SK하이닉스 2025년 1분기 핵심 실적 분석2025.12.161. SK하이닉스 기업 개요 및 사업구조 SK하이닉스는 1983년 2월 15일 설립되어 1996년 7월 10일 코스피에 상장한 반도체 전문기업입니다. 경기도 이천시에 본사를 두고 있으며, 메모리 반도체와 시스템 반도체를 주력으로 합니다. DRAM, NAND, CIS, 솔루션 부문으로 구성되어 있으며, 글로벌 메모리 반도체 시장에서 삼성전자에 이어 세계 2위의 위상을 유지하고 있습니다. 2. 주요 사업 부문 및 제품 DRAM 부문은 서버용, 모바일용, PC용 DRAM 제품을 생산하며, NAND 부문은 SSD, UFS 등 스토리지 솔루...2025.12.16
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SK하이닉스 HBM 기술 우위와 주가 전망 분석2025.12.171. HBM(고대역폭 메모리) 기술 및 시장 현황 HBM은 AI 및 고성능 컴퓨팅 시대의 필수 메모리로, 전통 DRAM의 용량 확장 한계를 극복하는 3D 적층 구조 기반 메모리다. SK하이닉스는 TSV 기술, 마이크로 범프 신호 전달, 적층 공정에서 압도적 기술력을 보유하며 HBM3E에서 약 70% 시장점유율을 기록 중이다. HBM4 샘플을 세계 최초로 고객사에 납품하며 기술 초격차를 입증했으며, 엔비디아의 GH200과 Blackwell 칩셋에 통합되어 글로벌 데이터센터 표준으로 자리잡았다. 2. AI 반도체 생태계와 메모리 수요 ...2025.12.17
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256단 3D NVRAM 기술 제안: 트랩 기반 비휘발성 메모리2025.12.201. 3D NVRAM 기술 구조 256단 적층 구조의 (8T/8C)/Cell 기반 3D NVRAM 기술로, 8개 트랜지스터와 8개 커패시터로 구성되며 각 커패시터는 개별 Wordline으로 제어된다. 2.0 eV 깊이의 트랩을 갖는 HfO₂/Al₂O₃ 유전체를 사용하며, TSV 기반 BEOL 저온 공정(<400°C)으로 3D 집적된다. DRAM급 속도(5ns)와 Flash급 보존성(7일~수개월)을 결합한 하이브리드 특성을 갖는다. 2. 동작 원리 및 성능 제안된 NVRAM은 커패시터 전하(Q_C)와 트랩 전하(Q_T)를 합산하여 총...2025.12.20