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건국대 물및실2 휘스톤 브릿지 A+ 결과 레포트2025.01.212025.01.21
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기계재료 스트레인 게이지 실험 결과 레포트2025.01.231. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 전기식으로 측정하는 전기식 스트레인게이지와 기계식으로 측정하는 기계식 스트레인게이지의 2종류로 구분할 수 있다. 전기식 스트레인게이지는 구조체가 변형을 일으킬 때에 부착된 스트레인게이지의 전기적 저항이 변하여 이로부터 변형률을 측정하는 것이며, 기계식 스트레인게이지는 두 점 사이의 미소한 거리변화를 기계적으로 측정하여 구조체의 변형률을 측정하는 것이다. 스트레인게이지의 개발로 인하여 구조체의 변형 상태를 정밀하게 측정할 수 있게 되었으며, 이 변형률에 의하여 응력을 알 수 있다. 2. 휘스톤 ...2025.01.23
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건국대 물및실2 휘스톤 브릿지 A+ 예비 레포트2025.01.211. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙입니다. 전압(V)과 전류(I), 저항(R)의 관계는 V = IR로 나타낼 수 있습니다. 옴의 법칙이 성립하는 상황에서 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고 저항(R)에 반비례합니다. 2. 저항 저항은 전류가 흐를 때 이 전류의 흐름을 방해하는 요소입니다. 저항은 저항의 길이에 비례하고 단면적에 반비례하며, 비저항이라는 상수로 나타낼 수 있습니다. 3. 전압 강하 전압 강하란 전기회로에서 전원에서 공급된 전압에 의해 전류가 이동하면서 회로의 저항 또는 임...2025.01.21
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[건국대]물리학및실험2 A+레포트(자필토의)-6휘스톤브릿지2025.04.282025.04.28
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건국대 물및실2 10주차 휘스톤 브릿지를 이용한 전기저항 측정 결과레포트2025.01.181. 휘스톤 브릿지 휘스톤 브릿지는 저항 R1과 R2를 연결하고, 점 a와 b사이를 검류계 G로 연결하여 두 점 사이의 전위차를 알아볼 수 있게 한 장치입니다. 이 휘스톤 브릿지는 R1과 R2 및 R3를 적당히 조절하여 검류계(G)에 전류가 흐르지 않게 하여 평형조건을 찾는 영점법(null-comparison method)을 사용합니다. 검류계에 있는 스위치를 닫았을 때 검류계의 지침이 0이 된다는 것은 a와 b사이에 전류가 흐르지 않는다는 것을 말하며, a와 b점은 등전위점이 되었다는 뜻입니다. 이것은 R1/R2 = R3/R4라는...2025.01.18
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물리학및실험 휘스톤 브릿지 예비+결과레포트2025.05.041. 휘스톤 브릿지 휘스톤 브릿지는 저항 R1, R2, Rk와 Rx를 연결하고, 점 a와 b사이를 검류계 G로 연결하여 두 점 사이의 전위차를 알아볼 수 있게 한 장치입니다. 이 브릿지는 R1, R2 및 Rk를 조절하여 검류계에 전류가 흐르지 않게 하는 영점법을 사용합니다. 검류계의 지침이 0이 되면 a와 b 사이에 전류가 흐르지 않는 등전위점이 되며, Ik*Rk = I1*R1 및 Ix*Rx = I2*R2가 성립됩니다. 이를 통해 Rx = Rk * (R2/R1)의 식으로 미지의 저항 Rx를 측정할 수 있습니다. 2. 슬라이드 가변저...2025.05.04
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스트레인 측정 (Strain gage measurement) 결과 레포트2025.05.091. 스트레인 게이지의 측정원리 스트레인 게이지는 측정물의 변형되는 상태와 양을 측정하기 위한 도구로, 측정물 표면에 부착되어 측정하고자 하는 대상의 물리적인 변형률(strain)을 휘스톤 브릿지 방식으로 전기적인 신호로 바꾸어 측정물의 변형량을 측정하는 센서이다. 측정할 대상의 표면에 접착한 후 대상에 하중을 가하면 측정물이 변형을 일으키게 되는데, 변형을 일으킬 때 단면적과 길이 등에 따라 내부저항 값이 달라지는 점을 이용한 것이다. 이렇게 변화하는 물리현상을 이용하여 스트레인을 측정하며, 그 크기로부터 강도나 안정성의 확인을 ...2025.05.09
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Electrical Conduction in Solids2025.05.081. 도체와 반도체의 저항 온도 의존성 이번 실험의 목적은 도체와 반도체의 저항이 온도에 관한 함수임을 관찰하고, 나타나는 특성이 고체의 띠이론으로 설명되는 것을 이해하는 것이었다. 이론적으로 도체의 경우에는 온도에 비례하여 선형적인 형태로 도체의 저항이 증가하고 반도체의 경우에는 온도에 대하여 온도가 증가함에 따라 지수함수적으로 저항이 감소한다. 실험 결과에서도 이러한 이론적인 특징이 잘 나타났으며, 도체의 경우 온도 증가에 따른 저항 증가, 반도체의 경우 온도 증가에 따른 저항 감소 경향을 확인할 수 있었다. 이는 도체의 경우 ...2025.05.08
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중앙대학교 분배 법칙 및 휘스톤 브릿지 결과 보고서2025.01.291. 전압 분배 실험을 통해 각 노드에 걸리는 전압이 저항의 변화에 따라 어떻게 분배되는지 이해하였다. 저항의 직렬 및 병렬 연결에 따른 합성저항을 이해하였다. 전압 분배 법칙을 통해 폐회로에서 전체 전압과 각 저항 양단의 전압을 구할 수 있음을 확인하였다. 2. 전류 분배 폐회로에서 전체 전류와 각 저항에 흐르는 전류를 옴의 법칙을 이용하여 구할 수 있음을 확인하였다. 접속된 저항의 수만큼 전류가 나누어진다는 전류 분배 법칙을 이해하였다. 3. 휘스톤 브릿지 휘스톤 브릿지 회로를 통해 미지의 저항을 측정하는 과정을 이해하였다. 모...2025.01.29
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휘스톤 브릿지 보고서2025.05.101. 휘스톤 브릿지 휘스톤 브릿지는 검류계에 전류가 흐르지 않을 때 R1 * R4 = R2 * R3 식을 만족하는 특성을 이용하여 미지저항을 측정할 수 있는 회로입니다. 이번 실험에서는 미지저항을 100Ω, 300Ω, 500Ω으로 변경하며 기지저항과의 관계를 확인하였고, 대부분의 실험에서 10% 이하의 오차율을 보여 실험이 올바르게 진행되었음을 확인할 수 있었습니다. 2. 미지저항 측정 실험에서는 미지저항을 저항띠를 이용하여 읽고, 검류계가 0을 가리키는 지점의 양쪽 길이 L1, L2를 측정하여 미지저항 = L1 / L2 * 기지저...2025.05.10
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