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[A+] 전자회로설계실습 10차 예비보고서2025.05.101. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. 설계 과정에서 OrCAD PSPICE를 사용하여 회로를 설계하고 시뮬레이션을 수행하였으며, 피드백 factor (β)와 피드백 저항 (R)의 변화에 따른 영향을 분석하였습니다. 1. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)...2025.05.10
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 신호발생기2025.05.101. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기를 이용하여 신호 발생기를 설계, 제작, 측정하고 그 동작을 확인하는 실습을 수행했습니다. 실습에서는 Wien bridge 회로의 관계식을 도출하고, 1.63 kHz에서 발진하는 회로를 설계했습니다. 또한 발진 조건을 만족하는 저항값을 찾고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT 분석을 수행했습니다. 마지막으로 다이오드를 사용하여 Wien bridge 발진기를 안정화하는 회로를 설계하고, 다이오드의 역할에 대해 설명했습니다. 1. Wien bridge RC 발진...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 11. 카운터설계 A+2025.01.291. 4진 비동기 카운터 4진 비동기 카운터의 동작을 설명하고, 1MHz의 구형파를 입력했을 때 Q1 신호의 주파수는 500kHz, Q2 신호의 주파수는 250kHz임을 확인하였다. 입력 신호, Q1 신호, Q2 신호의 파형을 그림으로 나타내었다. 2. 8진 비동기 카운터 버튼 스위치를 입력으로 사용하여 8진 비동기 카운터를 설계하였다. Q1, Q2, Q3 출력 신호에 LED를 연결하여 카운터의 상태를 확인할 수 있도록 하였다. 3. 10진 비동기 카운터 16진 비동기 카운터와 리셋 회로를 이용하여 10진 비동기 카운터를 설계하였다...2025.01.29
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RC & Circuit Simulator 실험 보고서2025.01.221. 축전기(Capacitor) 축전기는 특정한 정전 용량(커패시턴스, Capacitance)을 갖는 회로 소자로, 주로 두 개의 도체판으로 구성되어 있고 사이 공간은 얇은 절연체로 채워져 있다. 커패시턴스는 도체판의 면적을 넓히거나 두 판 사이의 간격을 작게 함으로써 증가한다. 도체판 표면에 전하가 저장되는데, 두 표면에 모이는 전하의 양은 같지만 부호는 반대이다. 2. 용량성 리액턴스(Capacitive reactance) 축전기에서의 전류 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 수치로, X_C = -1/wC 로 나타낼 수 있으며 주파...2025.01.22
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 위상 제어 루프(PLL)2025.05.101. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어루프(PLL)는 전압제어 발진기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 입출력의 위상 차이를 이용하여 전압제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템이라고 할 수 있습니다. PLL의 경우 위상 검출기, 루프 필터, 가변 발진기 이 3가지로 구성되어 있으며, 통신 분야에서 폭 넓게 사용됩니다. 2. 위상 검출기 XOR를 이용한 위상 검출기의 경우 V1과 V2의 위상 차이가 변화에 따른 Vout전압의 평균값 특성은 이론부와 같이 주기적인 파형의 주기를 갖습니다. XOR를 이용한 위상 검출기는 대부분 ...2025.05.10
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 2주차 결과레포트2025.05.101. DAQ 실습 myDAQ의 Function Generator, Oscilloscope 기능을 사용하여 Sine 파형, Square 파형, 전압, 전류, 저항, 다이오드 등을 측정하였다. 실험 결과를 통해 각 파형의 특성과 전압, 전류 측정 방법을 확인하였다. 2. PSPICE 시뮬레이션 OrCAD 프로그램을 사용하여 OP 시뮬레이션, DC 시뮬레이션, Parametric 시뮬레이션, Transient 시뮬레이션, FFT 시뮬레이션, AC 시뮬레이션, VPULSE 시뮬레이션 등을 수행하였다. 이를 통해 회로 구성 방법과 각 소자의...2025.05.10
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