총 60개
-
지스트2024.09.131. 트랜지스터의 구조와 동작 1.1. NPN, PNP접합 NPN 접합은 두 개의 N형 반도체 사이에 아주 얇은 P형 반도체를 끼운 샌드위치 구조이다. 이렇게 N과 P와 N의 세 부분으로 이루어진 NPN 접합은 하나의 단결정에 제작된다. 이 세 개의 전극을 에미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 하며 기호로 E, B, C로 나타낸다. PNP 접합은 NPN 접합과 반대로 P형 반도체 사이에 아주 얇은 N형 반도체가 끼워진 구조이다. 역시 이 세 부분이 하나의 단결정에 제작되어 있다. PNP 접합...2024.09.13
-
전자공학과 독후감2024.09.231. 소개 책 [청소년을 위한 공학이야기]은 우리나라의 경제 발전과 공학 기술의 발달이 어떠한 관계가 있었는지를 소개하고 있다. 첫째, 책은 우리나라가 가장 가난했던 시기에 시작하여 오늘날이 되기까지 새롭게 나타난 기술들을 소개하고, 그 기술이 우리나라에 정착하여 미친 영향들을 보여주고 있다. 특히 "황금알을 낳는 거위, 미래를 걷는 전자 산업"에서 소개한 사건이 우리나라에 가장 큰 역할을 했다고 설명하고 있다. 1947년 12월 23일 미국의 벨연구소에서 트랜지스터가 탄생되었고, 이를 통해 진공관보다 속도가 빠르고 에너지 소모...2024.09.23
-
캐스코드2024.09.131. 실험 개요 1.1. 실험 목적 '1.1. 실험 목적'은 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로의 직류와 교류 전압을 계산하고 측정하는 것이다. 이 실험을 통해 달링턴 BJT의 전류이득과 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 확인할 수 있다.달링턴 BJT는 하나의 BJT의 입력저항보다 더 큰 입력저항을 가지고 전류이득이 크기 때문에 많이 사용된다. 달링턴 회로의 전체 전류이득은 두 BJT의 개별 전류이득의 곱으로 나타낼 수 있다. 캐스코드 증폭기는 공통 소스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 ...2024.09.13
-
그래핀 양자점2024.09.131. 그래핀 개요 1.1. 그래핀의 특성 그래핀은 탄소 원자들이 육각형 격자 모양으로 서로 연결되어 2차원 평면 구조를 이루는 고분자 탄소 동소체이다. 그래핀 하나는 2차원 구조이지만 실제로 쓰이는 그래핀은 많은 그래핀들이 차곡차곡 쌓인 형태로 존재한다. 그래핀의 밴드 구조(band structure) 때문에, 매우 높은 고유의 전자이동도(Electron Mobility)를 가진다. 이는 구리(Cu)보다 100배 이상 전기가 잘 통하고, 반도체에 주로 사용되는 단결정 실리콘(Si)보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있다...2024.09.13
-
pt면접2024.09.271. 반도체 기초 1.1. 반도체의 정의 및 특성 반도체는 전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그 전기저항률이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물의 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 구분된다. 진성 반도체는 순도가 매우 높은 4족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 진성 반도체는 평상시에는 부도체와 같이 전자의 이동이 어려우나, 전기, 빛, 열 등의 자극을 받으면 공유결합을 하고 있던 소수의 전자가 튀어나와 자유전자가 되어 전류를 흐르게 한...2024.09.27
-
이학전자실험2024.09.281. 트랜지스터의 동작 원리와 특성 1.1. 트랜지스터의 기본 구조 트랜지스터의 기본 구조는 다음과 같다. 트랜지스터는 크게 npn 트랜지스터와 pnp 트랜지스터의 두 종류가 있다. npn 트랜지스터는 n형 반도체, p형 반도체, n형 반도체가 차례로 접합된 구조이고, pnp 트랜지스터는 p형 반도체, n형 반도체, p형 반도체가 차례로 접합된 구조이다. 트랜지스터는 3개의 단자로 구성되어 있는데, 베이스(base), 컬렉터(collector), 이미터(emitter)가 그것이다. npn 트랜지스터에서 p형 반도체가 베이스 단...2024.09.28
-
기초회로실험2024.09.251. 기초회로 실험 1.1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류가 흐르는 도선에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명한 법칙이다. 옴의 법칙에 따르면 전류 I는 전압 V와 비례하고 저항 R과 반비례한다. 즉, V=IR의 관계가 성립한다. 이러한 옴의 법칙은 일반적인 도선에서 잘 성립하지만, 반도체나 초전도체와 같은 특수한 물질에서는 적용되지 않는다. 전압과 전류 사이의 관계가 복잡해지기 때문이다. 대표적인 예로 다이오드가 있는데, 다이오드는 순방향 바이어스에서는 옴의 법칙을 잘 따르지만 역방향 바이어스에서는 전류가 거의 흐르지 않는...2024.09.25
-
핵심이 보이는 전자회로실험 bjt2024.11.081. 트랜지스터와 반도체 소자의 발전 1.1. 진공관과 트랜지스터의 발명 진공관은 전자를 방출하고 흐르게 하는 기본적인 전자 소자였다. 1883년, 토마스 에디슨은 백열전구 내부에 전자가 이동하는 현상을 발견했는데, 이를 "에디슨 효과"라고 불렀다. 이후 1904년, 영국의 물리학자 존 앰브로스 플레밍은 에디슨 효과를 응용하여 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 2극관(다이오드)을 발명했다. 이로써 진공관 기술이 시작되었다. 1907년, 미국의 리처드 딕손 데포레스트는 플레밍의 2극관에 제3의 전극인 그리드를 추가하여 3극관(트라...2024.11.08
-
도체,절연체,반도체2024.11.141. 전기의 기초 1.1. 물질의 구조와 전기의 발생 모든 물질은 분자로 구성되어 있고 분자는 원자(atom)의 집합으로 이루어져 있다. 원자는 양(+)전기를 가진 원자핵과 그 주위를 회전하는 음(-)전기를 가진 전자(electron)로 구성되어 있다. 원자핵 내에는 전자와 같은 수의 양(+)전기를 가진 양성자(proton)와 전기를 띠지 않는 중성자(neutron)로 구성되어 있다. 그리고 원자의 모형은 마치 태양 주위를 지구와 같은 행성들이 돌고 있는 것과 비슷하며, 원자핵을 중심으로 몇 개의 전자가 각각 적당한 궤도 위에서 ...2024.11.14
-
전자공학과 면접2024.12.121. 반도체와 전자공학 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체(P형 반도체 or N형 반도체)로 나뉘어진다. 진성 반도체란 도체와 부도체 사이의 중간적 성질을 갖는 물질로서 최외각에 4개의 가전자를 갖는 4가 원소들이다. 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)과 같은 순도가 매우 높은 반도체를 진성반도체라 한다. 진성반도체는 평상시에 부도체와 ...2024.12.12
3 / 6
