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소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험2024.10.061. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 1.1. 실험 개요 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험의 목적은 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고, 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석하는 것이다. 이를 통해 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작 특성과 증폭기 설계 시 고려해야 할 요소들을 파악할 수 있다. 특히 이번 실험에서는 JFET 대신 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 중점적으로 다루고자 한다. MOSFET...2024.10.06
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전자회로실험 실험16 17예비보고서2024.10.071. 전류원 및 전류 거울 1.1. 실험 개요 이 실험은 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하는 것을 목적으로 한다. 정전류원 및 전류 거울은 아날로그 회로에서 매우 중요한 회로 요소이며, 특히 전류 거울은 저전압 증폭기와 전류 공급 회로 등 다양한 분야에서 활용된다. 따라서 이들의 특성을 정확히 이해하고 실험을 통해 직접 구현하는 것은 아날로그 회로 설계 능력을 ...2024.10.07
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boost converter 제작2024.10.031. 전력전자 설계 실습 결과 1.1. Boost Converter 동작 실험 1.1.1. 실험 목적 Boost 컨버터의 원리 및 구조를 이해하고, 간단한 Boost 컨버터를 제작하여 직류 전압을 승압시킬 수 있음을 실험하는 것이 이번 실험의 목적이다."Boost 컨버터는 입력전압보다 높은 출력전압을 얻을 수 있는 승압형 DC-DC 컨버터의 하나로, 주로 입력전압보다 높은 출력 전압이 필요할 때 사용된다. 이번 실험에서는 Boost 컨버터의 동작 원리를 이해하고 실제로 Boost 컨버터를 제작하여 입력전압을 승압시킬 수 있음을 ...2024.10.03
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서강대학교 고급전자회로실험 레포트2024.10.051. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 1.1. 정전류원 회로 1.1.1. 전류 변화에 따른 바이어스 전압 측정 실험에서는 정전류원 회로에서 전류 변화에 따른 게이트 전압 VbG의 변화를 측정하였다. 정전류원 회로는 MOSFET에 일정한 전류를 공급하는 역할을 하며, 바이어스 회로의 기본 구성요소이다. 실험에서는 MOSFET의 드레인 전압 VX를 6V로 고정하고, 기준 저항 RREF를 50Ω에서 450Ω까지 변화시키면서 기준 전류 IREF를 측정하였다. 그 결과, IREF가 약 20mA가 되는 RREF 값은 200Ω인...2024.10.05
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mosfet2024.09.091. MOSFET 개요 1.1. MOSFET 정의 MOSFET은 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 약자로, 전계 효과를 이용하여 전류를 조절할 수 있는 전자 소자이다. MOSFET은 게이트(Gate), 소스(Source), 드레인(Drain), 그리고 기판(Substrate)의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압에 따라 소스와 드레인 사이의 전류를 조절할 수 있는 특성을 가진다. MOSFET은 다양한 전자 회로에서 증폭기, 스위치...2024.09.09
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전자회로실험 공통소오스 증폭기2024.09.121. 공통 소오스 증폭기 실험 1.1. 실험 목적 및 개요 이 실험의 목적은 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 측정하는 것이다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력 출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 즉, 공통 소오스 증...2024.09.12
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전자회로실험 pspice 실험102024.09.101. BJT의 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 1.1. 실험방법 1.1.1. 이미터 바이어스 구조: beta 결정 BJT의 이미터 바이어스 구조에서 베타를 결정하는 실험 방법은 다음과 같다. 피스파이스 시뮬레이션 결과를 이용하여 트랜지스터를 2N3904와 2N4401로 각각 설정하였다. 트랜지스터의 베이스 저항(R_B), 컬렉터 저항(R_C), 이미터 저항(R_E)을 측정하였다. 또한 베이스-컬렉터 전압(V_BC)과 컬렉터 저항 양단의 전압(V_R_C)을 측정하였다. 이를 토대로 베이스 전류와 컬렉터 전류를 계산하였다. 2...2024.09.10
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mosfet 프로젝트2024.10.021. 서론 1.1. 전자회로 실험 프로젝트 개요 전자회로 실험 프로젝트 개요는 다음과 같다. 이번 프로젝트의 목적은 MOSFET을 활용하여 다단증폭기 회로를 설계하고 분석하는 것이다. 실생활에서 출력이나 통신 장비에는 대부분 앰프가 내장되어 있다. 무선 통신 장비, 스피커 앰프, 센서 등 약해진 입력 신호를 증폭하는 데 앰프가 필수적으로 사용된다. 따라서 이번 프로젝트에서는 MOSFET 다단증폭기를 이용하여 오디오 파워 앰프를 설계하고자 한다. 이를 위해 먼저 MOSFET의 동작 원리와 특성을 이해하고, 다단증폭기 설계 이론...2024.10.02
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mosfet 전류 전압 실험 결과2024.09.231. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 개요 이 실험은 MOSFET이라는 새로운 반도체 소자의 동작 원리를 이해하고, 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것을 목적으로 한다. MOSFET은 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하는 소자이다. 이번 실험에서는 회로를 구성하고 게이트-소스 전압(VGS)과 드레인-소스 전압(VDS)의 값을 조정해 가면서 드레인 전류(ID)를 측정하여 드레인 특성...2024.09.23
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전자회로실험 실험112024.09.151. 공통 소오스 증폭기 1.1. 실험 절차 실험 절차는 다음과 같다. 실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되는 의 값을 결정해야 한다. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인해야 한다. 값을 0V, 값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 그려야 한다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, ...2024.09.15
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