총 60개
-
전자공학과 독후감2024.09.231. 소개 책 [청소년을 위한 공학이야기]은 우리나라의 경제 발전과 공학 기술의 발달이 어떠한 관계가 있었는지를 소개하고 있다. 첫째, 책은 우리나라가 가장 가난했던 시기에 시작하여 오늘날이 되기까지 새롭게 나타난 기술들을 소개하고, 그 기술이 우리나라에 정착하여 미친 영향들을 보여주고 있다. 특히 "황금알을 낳는 거위, 미래를 걷는 전자 산업"에서 소개한 사건이 우리나라에 가장 큰 역할을 했다고 설명하고 있다. 1947년 12월 23일 미국의 벨연구소에서 트랜지스터가 탄생되었고, 이를 통해 진공관보다 속도가 빠르고 에너지 소모...2024.09.23
-
교류및전자회로실험 실험1 결과보고서2024.09.201. 트랜지스터 특성실험 1.1. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터의 동작 원리는 다음과 같다. 트랜지스터는 반도체 소자의 일종으로, 전기적 신호를 증폭하거나 스위칭하는 기능을 수행한다. 트랜지스터는 크게 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)와 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)로 분류된다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector) 세 개의 단자로 구성되어 있다. 에미터와 베이스,...2024.09.20
-
인천대 신소재2024.08.151. 서론 1.1. 반도체 소자의 중요성 반도체 소자는 현대 전자 기술의 근간을 이루는 핵심 부품이다. 반도체 소자의 중요성은 다음과 같다. 첫째, 반도체 소자는 전자 기기의 핵심 부품으로 활용되고 있다. 다이오드와 트랜지스터와 같은 반도체 소자는 전자 회로의 기본 구성 요소로, 전자 기기의 작동과 제어에 필수적인 역할을 한다. 이를 통해 반도체 소자는 현대 정보통신 기술의 발전을 이끌어왔다. 둘째, 반도체 소자의 소형화와 집적화 기술 발전으로 전자 기기의 소형화와 고성능화가 가능해졌다. 과거 진공관으로 구성된 전자 기기는 부...2024.08.15
-
전자공학부 면접2024.09.141. 반도체 및 전자소자 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 전기전도도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체(P형 반도체 or N형 반도체)로 나뉘어진다. 진성 반도체는 도체와 부도체 사이의 중간적 성질을 갖는 물질로서 최외각에 4개의 가전자를 갖는 4가 원소들이다. 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)과 같은 순도가 매우 높은 반도체를 진성 반도체라 한다. 진성 반도체는 평상시에...2024.09.14
-
광전자공학 실험 전자회로 레포트2024.10.131. 침입자 경보기 1.1. 실험 개요 1.1.1. 실험 목적 침입자 경보기의 실험 목적은 "간단한 회로를 활용하여 침입자 경보기를 제작하고 사용된 부품들의 원리와 동작을 이해하는 것이다."라고 할 수 있다. 이 실험을 통해 트랜지스터의 작동 원리와 특성, 전압 및 전류의 흐름 등을 이해할 수 있다. 특히 NPN 트랜지스터의 동작 모드(평형, 활성, 차단, 포화) 및 베이스 전류와 콜렉터 전류의 관계를 학습할 수 있다. 또한 부저의 원리와 극성 등을 확인할 수 있다. 이러한 기본적인 전자 부품의 동작 원리를 이해하고 간단한...2024.10.13
-
반도체공정2024.09.281. 반도체 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 자른 원판이다. 이 중에서도 실리콘(Si)을 주로 사용하는데, 그 이유는 실리콘이 자연계에서 흔하고 경제적이며 인체에 무해하기 때문이다. 실리콘 웨이퍼를 제조하는 과정은 다음과 같다. 먼저 폴리실리콘(Poly Silicon)이라는 실리콘 원료를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만든다. 이를 초크랄스키(Czochralski, CZ) 방식으로 단결정 기둥인 잉곳(Ingot)...2024.09.28
-
pt면접2024.09.271. 반도체 기초 1.1. 반도체의 정의 및 특성 반도체는 전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그 전기저항률이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물의 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 구분된다. 진성 반도체는 순도가 매우 높은 4족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 진성 반도체는 평상시에는 부도체와 같이 전자의 이동이 어려우나, 전기, 빛, 열 등의 자극을 받으면 공유결합을 하고 있던 소수의 전자가 튀어나와 자유전자가 되어 전류를 흐르게 한...2024.09.27
-
이학전자실험2024.09.281. 트랜지스터의 동작 원리와 특성 1.1. 트랜지스터의 기본 구조 트랜지스터의 기본 구조는 다음과 같다. 트랜지스터는 크게 npn 트랜지스터와 pnp 트랜지스터의 두 종류가 있다. npn 트랜지스터는 n형 반도체, p형 반도체, n형 반도체가 차례로 접합된 구조이고, pnp 트랜지스터는 p형 반도체, n형 반도체, p형 반도체가 차례로 접합된 구조이다. 트랜지스터는 3개의 단자로 구성되어 있는데, 베이스(base), 컬렉터(collector), 이미터(emitter)가 그것이다. npn 트랜지스터에서 p형 반도체가 베이스 단...2024.09.28
-
캐스코드2024.09.131. 실험 개요 1.1. 실험 목적 '1.1. 실험 목적'은 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로의 직류와 교류 전압을 계산하고 측정하는 것이다. 이 실험을 통해 달링턴 BJT의 전류이득과 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 확인할 수 있다.달링턴 BJT는 하나의 BJT의 입력저항보다 더 큰 입력저항을 가지고 전류이득이 크기 때문에 많이 사용된다. 달링턴 회로의 전체 전류이득은 두 BJT의 개별 전류이득의 곱으로 나타낼 수 있다. 캐스코드 증폭기는 공통 소스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 ...2024.09.13
-
예비보고서2024.09.101. 반도체의 기본 개념 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)보다는 낮고 애자, 유리 같은 부도체보다는 높은 물질이다. 반도체는 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 따라 전도도가 변화하는 특성을 가지고 있다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 첨가하여 만든다. 반도체는 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 제작하는데 사용된다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하지만, 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체와 도체와는 다른 특성을 가지고...2024.09.10
