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르샤틀리에의 원리2024.08.251. 서론 1.1. 르샤틀리에 원리의 개요 르샤틀리에 원리란 평형 상태의 계에 변화가 가해졌을 때, 평형의 위치가 그 변화를 감소시키려는 방향으로 이동한다는 것이다. 이 원리를 통해 농도, 압력, 온도 변화가 미치는 영향을 정성적으로 예측할 수 있다. 예를 들어, N2, H2, NH3이 평형을 이루고 있는 혼합물에 N2를 첨가하면, 계는 N2를 소비하는 방향으로 평형이 이동하게 된다. 이에 따라 암모니아 합성 반응이 일어나 평형이 오른쪽으로 이동하게 된다. 마찬가지로 반응물이나 생성물을 제거할 경우, 제거된 성분이 생성되는 방...2024.08.25
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발열반응 흡열반응 엔탈피2024.08.221. 서론 1.1. 실험의 배경 실험의 배경은 고체 수산화나트륨과 염산의 중화반응을 통해 반응열을 측정하고, 이를 토대로 Hess의 법칙을 확인하는 것이다. 화학반응에 수반하여 방출 또는 흡수되는 열량을 반응열이라 하며, 이는 반응물과 생성물의 에너지 차이를 의미한다. 발열반응은 반응물의 에너지보다 생성물의 에너지가 낮아 열이 방출되고, 흡열반응은 반응물의 에너지보다 생성물의 에너지가 높아 열을 흡수한다. 이러한 열화학적 변화를 통해 엔탈피 개념을 도입할 수 있으며, 계와 주위의 상호작용에 따라 닫힌계와 열린계로 구분된다. 이번 ...2024.08.22
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흡열반응 르 샤틀리에2024.08.221. 서론 1.1. 평형 상태의 이해 평형 상태는 열역학 법칙에 따라 깁스의 자유에너지 변화량이 0이 되는 상태이다. 또한, 온도와 압력이 일정할 때 가역반응에 있어서 정반응의 속도와 역반응의 속도가 같게 된 상태, 즉 동적평형 상태를 의미한다. 평형 상태는 반응물과 생성물의 농도는 일정하게 유지되지만, 반응물이 생성물이 되고, 생성물이 반응물이 되는 반응이 계속해서 일어나고 있다. 또한, 반응속도는 화학종의 입자 충돌 횟수에 비례하며 그 횟수는 입자의 수 즉, 농도에 비례한다. 증발과 응축을 통해 액체 상태의 물과 기체 상태의...2024.08.22
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르샤틀리에 원리 실험2024.08.231. 서론 1.1. 실험 개요 실험 개요는 다음과 같다. 수용액에서 평형 상태에 있는 반응 혼합물에 특정 물질을 첨가하여 평형이 이동되는 것을 관찰하고, 르샤틀리에 원리를 이해하는 것이 실험의 목적이다. 이를 위해 산-염기 지시약 실험, 난용성 염 용해도 실험, 불용성 염 용해도 실험을 수행한다. 산-염base 지시약 실험에서는 메틸 바이올렛을 이용하여 pH 변화에 따른 색 변화를 관찰하며, 난용성 염 용해도 실험에서는 온도 변화에 따른 PbCl2의 용해도 변화를, 불용성 염 용해도 실험에서는 pH 변화에 따른 Zn(OH)2의 용...2024.08.23
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화학반응에서평형상수의 결정2024.10.051. 화학반응에서의 평형상수 결정 1.1. 실험 목적 본 실험의 목적은 가역반응 계에서 주어진 온도 하에 반응물과 생성물의 농도가 변하지 않는 화학 평형 상태에 도달하였을 때, 반응생성물의 농도를 분광광도계 및 혼합용액의 색을 이용하여 측정하고 이를 바탕으로 반응의 평형상수(Kc)를 계산해 보는 것이다."" 1.2. 실험 원리 및 이론 1.2.1. 화학 평형 화학 평형은 반응물과 생성물의 농도가 시간에 따라 변하지 않는 중간 상태를 의미한다. 화학 반응이 진행되면 처음에는 반응물의 농도가 높고 생성물의 농도가 낮지만, 시간이 지...2024.10.05
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표면장력2024.10.031. 표면장력 측정 실험 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 2가지 방법으로 액체의 표면장력을 측정하여 표면장력의 성질과 이와 관련된 현상들을 이해하는 것이다. 첫 번째 방법은 액적법으로, 측정된 방울의 부피와 무게, 모세관의 반경을 이용하여 표면장력을 구한다. 두 번째 방법은 장력계법으로, 고리의 반지름, 액막이 파괴되기 직전 고리에 걸리는 힘, 그리고 보정계수를 이용하여 표면장력을 계산한다. 이를 통해 표면장력의 정의와 모세관 현상, 모세관 상승법, 고리 방법 등 표면장력과 관련된 이론 및 원리를 이해하고자 한다. 1.2...2024.10.03
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전자회로실험 pspice 실험102024.09.101. BJT의 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 1.1. 실험방법 1.1.1. 이미터 바이어스 구조: beta 결정 BJT의 이미터 바이어스 구조에서 베타를 결정하는 실험 방법은 다음과 같다. 피스파이스 시뮬레이션 결과를 이용하여 트랜지스터를 2N3904와 2N4401로 각각 설정하였다. 트랜지스터의 베이스 저항(R_B), 컬렉터 저항(R_C), 이미터 저항(R_E)을 측정하였다. 또한 베이스-컬렉터 전압(V_BC)과 컬렉터 저항 양단의 전압(V_R_C)을 측정하였다. 이를 토대로 베이스 전류와 컬렉터 전류를 계산하였다. 2...2024.09.10
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중앙대 전기회로설계실습 저항2024.09.111. 서론 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 Digital Multimeter의 기본적인 사용방법을 익히고, 저항, 전류, 전압 값을 직접 측정해보는 것이다. 브레드 보드 위에 원하는 회로를 만들고 값들을 직접 측정함으로써 회로이론의 내용을 파악할 수 있다."" 1.2. 실험 준비물 실험 준비물은 다음과 같다" * Function generator 1대 * DC Power Supply(Regulated DC Power Supply(Max 20V 이상): 1대 * Digital Oscilloscope(Probe 2개 포함): 1...2024.09.11
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열역학 실험 중화열 측정2024.10.011. 중화열 측정 실험 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 강염기 1mol을 강산으로 중화시킬 때 발생되는 열량을 측정하는 데 있다. 즉, 25℃에서 묽은 용액 속에서 강염기 1mol을 강산 1mol로 중화시킬 때 발생하는 57,200 J의 열량을 중화열이라고 하며, 이러한 중화열을 열량계를 이용하여 측정하는 것이 실험의 주요 목적이다. 1.2. 실험 이론 및 원리 1.2.1. 화공열역학 실험 화공열역학 실험은 화학반응에서 발생하는 열 변화를 측정하고 이를 통해 화학 반응의 에너지 변화를 확인하는 실험이다. 화학 반응에서는 반...2024.10.01
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르샤틀리에의 원리2024.09.291. 르샤틀리에 원리 1.1. 정의 르샤틀리에 원리(Le Chatelier's principle)란 평형 상태의 계에 변화가 가해졌을 때, 평형의 위치가 그 변화를 감소시키려는 방향으로 이동한다는 것이다. 즉, 평형에 있는 화학 반응계에 외부에서 변형을 주면 계는 새로운 평형 위치에 도달하려 하기 때문에 그러한 자극을 부분적으로 상쇄하는 방향으로 조절하게 된다는 것이다. 여기서 "변형"이란 농도, 압력, 부피, 온도와 같은 반응 조건의 변화를 의미한다. 이 원리를 통해 이러한 반응 조건의 변화가 평형 상태에 미치는 영향을 예측할 ...2024.09.29
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