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EasyAI “si3n4 결정구조” 관련 자료
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"si3n4 결정구조" 검색결과 1-20 / 4,544건

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    PZN-PNN-PZT계 압전 조성에서 PZN 함량과 Sr Doping이 압전 특성에 미치는 영향 (The Effects of PZT Ratio and Sr Doping on the Piezoelectric Properties in PZN-PNN-PZT)
    size와 결정구조 변화에 연관된 것으로 보인다. In a Pb-included piezoelectric composition, SryPb1-y[(Zn1/3Nb2/3)x-(Ni1 ... 와 Sr doping에 따른 결정구조, 미세구조 및 압전 특성이 비교 평가 되었다. Sr 4 mol% doping 조건에서 PZN 함량 변화에 따른 압전 특성은 0.1 조성에서 가장 ... /3Nb2/3)0.2-(Zr0.46Ti0.54)0.8-x]O3 was selectedin order to attain high piezoelectric properties
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.05 | 수정일 2025.06.09
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  • 판매자 표지 자료 표지
    SK하이닉스 면접 자기소개서와 직무역량입니다.
    절감 등이 가능한 3D NAND가 개발되었습니다.0.MCP란?Multi CHip Package로 여러 종류의 반도체를 하나로 묶어 단일칩으로 만든 반도체입니다.4.CIS(CMOS ... 이 결정된다.NMOS는 채널이 전자로 이루어지며, 게이트 전압은 Positive로 걸어주어야 한다. MOSFET 구조상 threshold voltage 이상의 전압이 게이트에 인가 ... 공급되는 전원이 끊어지면 기억되어 있는 데이터들이 소멸되는 휘발성메모리입니다.3.DRAM,SRAMDRAM은 커패시터에 정보를 저장하므로 처리속도가 느리나 IC직접도가 높아서 가격
    자기소개서 | 73페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.24 | 수정일 2024.04.01
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    HVPE 방법에 의해 r-plane 사파이어 기판 위의 선택성장된 GaN/AlGaN 이종 접합구조의 특성 (Characteristics of selective area growth of GaN/AlGaN double heterostructure grown by hydride vapor phase epitaxy on r-plane sapphire substrate)
    . The I-V measurements show that the turn-on voltage of the SAG-GaN/AlGaN DH is 3.4 V at room ... 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층, GaN 활성층, Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층, Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조 ... 의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적분 석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.18 | 수정일 2025.06.26
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    고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서
    을 사용한 효율적인 n-i-p 모놀리식 페로브스카이트/실리콘 탠덤 태양 전지 연구, MOCVD 준비 CIS 태양 전지의 특성화 연구 등을 하고 싶습니다.저는 OOO 교수님의 OOOOO ... 측정을 이용한 Al2O3/SiOx/Si 구조의 계면 분석 연구, 패시베이션 에미터와 후면 접촉 c-Si 태양전지의 전면 그리드 설계 최적화가 핑거 폭과 종횡비에 미치는 영향 연구 등을 하고 싶습니다. ... 연구계획서저는 고려대학교 일반대학원 신소재공학부 OOO 교수님의 OOOOOO OOOO 랩에 들어가서 리리치 적층 음극재의 레독스 진화 연구, 결정질 실리콘 태양전지용 구리계 전면
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05
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    Type I 결빙방지 단백질 조각 이량체의 결빙방지 활성 (Antifreeze Activity of Dimerized Type I Antifreeze Protein Fragments)
    넙치에서 분리된 type I AFP (AFP37)는 37 개의 잔기를 가진 α-나선 구조의 펩타이드이다. 본 연구에서는 활성과 수용성이 높은 짧은 AFP 조각을 개발하고자 시도 ... 계로 각각 측정하였다. 합성된 펩타이드 AFP15 AFP21, AFP15N, AFP21N, dAFP15N, dAFP21N의 나선 구조 함량은 대조구인 AFP37의49, 41, 23.8 ... . We designed and synthesized N-terminal 15 and 21 residue-long AFPs, designated AFP15 and 21. Also
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.04 | 수정일 2025.07.10
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  • 자료 표지
    단국대 A+ 고분자 재료설계 고재설 파트1 레포트
    :Contents/section0.xml개요고분자는 화학적인 결합을 통해 monomer가 중합되어 합성된다. 이러한 고분자가 이루는 1차 구조, 2차 구조, 3차 구조, 4차 구조 그리고 ... )^7^8^1.^2.^3.^4.^5.^6.^7.^8.^9.^N..FILE:BinData/image1.bmp..FILE:BinData/image2.png..FILE:BinData ... onformation(입체 형태)에 의해 공간 배치가 결정된다. 3차 구조를 통해서는 결정성과 비결정성이 정해진다. 또한 그 이상의 고차구조는 라멜라, 단결정, 구정과 같은 분자 집합체
    리포트 | 11페이지 | 5,500원 | 등록일 2024.10.21
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    2024지거국 전자공학과 편입 전공면접자료, 면접 후기 (전남대,인천대,충남대,충북대,전북대) 합격
    진성 반도체에 3가 (붕소, 인듐, 갈륨)을 도핑하여 정공의 수를 증가시킨 반도체, p형에 첨가하는 불순물 =억셉터4n형 반도체진성 반도체에 5가 (비소, 인)을 도핑해 전자의 수 ... transistor로 npn의 경우 n형 si사이에 얇은 p형이 끼어있는 형태로 이미터,베이스,콜렉터가 있다.16-1. 동작원리는? : 전류제어 소자로 작은 베이스 전류로 콜렉터 흐르 ... 에 따라 전기저항률이 급격히 변하는 물질로 불순물에 따라 p형,n형으로 나뉜다. 온도 높이면 전도도 증가온도가 일정 수준 높아지면 전자 충돌로 이동도 감소.2진성반도체최외각전자가 4개
    자기소개서 | 13페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.02.24 | 수정일 2024.12.05
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    동국대 대학원 융합에너지신소재공학과 자기소개서 및 연구계획서
    개선 연구, p-i-n-i-p 구성을 가진 유기-무기 하이브리드 페로브스카이트 광검출기에 의해 가능해진 바이어스 변조 다색 식별 연구, Solution-Processed ... 론, 소재제련공정, 물리금속1,2, 재료기계물성, 박막공학, 고분자재료구조물성, 고체물리 등 매우 다양하고 심화된 수업을 많이 수강하였습니다. 저는 대학 학부 성적도 빼어나 ... 도 진학하고 싶었던 동기 중 하나입니다.3. 학문적 지향저는 OO대학교 대학원에서 이온성 액체/수산화코발트 나노하이브리드 쪽 관련 연구를 하였습니다. 대학원 졸업 후 산업
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.03.07
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    기초전자실험_9장_BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스_결과레포트
    390410.59V4.27mA14μA2592N440110.45V3.975mA12μA331.25I _{C} = {V _{R _{C}}} over {R _{C}} = {6.94V ... 저항을 가지는 전압원으로 등 가 변환하는 정리임4. 실험순서1) β 결정a. 트랜지스터 2N3904를 사용하여 그림 9-1의 회로를 구성하라. 저항값들을 측정하고 기록하라.그림 9 ... _{C}를 계산하라. 이때 2N4401 트랜지스터에 대한 β 값을 결정하라.V _{BE}V _{R _{C}}V _{CE}I _{B} = {V _{R _{B}}} over {R _{B
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.16
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    [경희대 A+] 실험 9. BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스 예비결과보고서
    스와 전압분배기 바이어스 BJT 구조의 동작점을 결정합니다.3. 실험 이론* BJT의 동작 특성 및 동작점(Q-point)BJT는 cutoff, saturation, active 이 세 ... 트랜지스터를 Q2N2222 트랜지스터로 교체하라. 교체한 후, 이전 모의실험의 경우처럼 동일한 데이터를 얻어라.=>I _{B} `=`50.73`[nA],I _{C} `=`4 ... 를 계산하라.=> Q2N3904 트랜지스터 사용 :beta `=` {I _{C}} over {I _{B}} `=` {4.198} over {63.70} TIMES 1000
    리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.26 | 수정일 2024.01.08
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    2022년도 충북대, 충남대, 한기대 정보통신공학과 편입 면접 + 전공개념 정리(전자, 컴공, 정통)
    의 가우스 법칙은 자기력선은 연속이며, 자석을 아주 작게 잘라도 N극과 S극으로 나누어진다는 것입니다.3. 패러데이 법칙은 시간에 따라 변하는 자기장은 전기장을 생성할 수 있다.4 ... 변환은? : n!/s^n+1입니다.Q : 오일러 공식 설명해보세요A : 오일러 공식은 복소수 z = r(cos θ + i*sin θ)를 지수가 복소수인 함수 r*e^i*θ ... 관련-digital signal process)3. 융합 설계 입문 때 무슨 활동을 했는지 +성공했는지?4. 테일러 급수가 뭔지5. 벡터의 내적 설명6. 전자기학 들었는지?7
    자기소개서 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.11.07 | 수정일 2022.12.12
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    화공생물공학기초실험 A+ 유기할로젠 화합물 친핵성 치환반응 (레포트 만점)
    반응인 ?냥 S _{N}1 반응과 S _{N}2 반응의 반응속도를 측정하고 상대 비교하여, 기질 구조, 친핵체 농도 및 용매가 친핵성 치환반응의 반응속도에 미치는 영향을 조사 ... 3 탄소에 있는 이탈기의 반대쪽에서 공격하여 중간체를 생성하지 않고 한 단계로 일어나는 반응이다. 속도 결정 단계에서 반응 기질과 친핵체 모두 관여하는 이분자성 반응이다. ? S ... (1차) < 2-bromobutane(2차) < 2-bromo-2-methylpropane(3차). 탄소 양이온 차수가 증가하면 S _{N} 1 반응의 반응속도가 빨라지는 이유
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2025.01.19
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    [연세대학교_광전자 공학] 3차 시험 준비 자료
    을 결정2. W와 H가 충분히 작다면 가장 낮은 횡모드 TEM00만이 존재할 것 : single mode operation3. LD의 스펙트럼에 존재하는 실제의 모드는 그 모드가 겪 ... 광전자공학 3차 시험 준비-VB(Valence band)는 결정 속에서 원자 사이의 결합에 대응되는 전자의 파동함수를 나타낸다.-CB(Conduction band)는 결정 속 ... _{no} p _{no} =n _{i}^{2}이다(p형 반도체에서는 반대)-보상도핑(compensation doping):반도체의 특성을 제어하기 위해 도너와 억셉터를 도핑하는 것N
    시험자료 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.09.16
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    전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서
    }} over {N _{A}} ) (4.2)베이스 전류I _{B}를 구하면 식 (4.3), 식 (4.4) 및 식 (4.5)와 같다.I _{B1} = {A _{E} qD _{p} n _{i ... }^{2}} over {N _{D} L _{P}} e ^{V _{BE} /V _{T}} (4.3)I _{B2} = {1} over {2} {A _{E} qWn _{i}^{2 ... }} over {tau _{b} N _{A}} e ^{V _{BE} /V _{T}} (4.4)I _{B} =I _{B1} +I _{B2} =I _{S} LEFT ( {D _{P}} over
    리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09
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    전자회로실험 제11판 예비보고서 실험9(BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스)
    }% TRIANGLE V _{CE}% TRIANGLE I _{B}11.07(%)11.60(%)9.27(%)0.18(%)(3) 전압분배기 바이어스 구조a. 2n3904 트랜지스터를 사용한 결과문제 ... 위해서 바이어스 점 해석을 수행한다.B. 실험을 통해 확인하고자 하는 내용1)beta 결정 과정2) 고정 바이어스 구조3) 전압분배기 바이어스 구조2. 이론BJT 영역BJT ... ) = 0V7. Vce(계산값) = 11.1089Vd. 2N4401에서 동일하게 적용시키자.1.beta `=` {I _{C}} over {I _{B}} =` {3.675mA
    리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19
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  • 자료 표지
    다문화 가정의 여가소비지출 패턴 및 결정 요인 분석과 여가 활성화 방안 (Analysis of Patterns and Determinants of Leisure Consumption Expenditure and Policy Suggestions to Encourage Leisure Participation of Multi-Cultural Households)
    , 세 번째 군집은 인쇄, 매체 활용 및 강습료 소비 군집으로 나타났다. 세 군집의 경우 개인의 제약(F=4.190, p ... more than men. In terms of age, 33.3% (n=50) of those in their 30s-40s had the most. In terms of ... academic background, 55.3% (n=83) of vocational college graduates and 33.3% (n=50) of college graduates
    논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.11
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    물체의 관성모멘트와 관성량 사출기법
    Figure 3 과 같은 주기 운동을 한다고 할 때 각속도는 다음 식 (7)과 같다.omega = {2 pi } over {T} = sqrt {{mgl} over {I _{o ... ...............................................................................................................................6Figure 4I _{xx`} 측정 방법 ... 에 대해서 어떻게 분포하는가에 따라 결정된다. 같은 질량이라도 축에서 멀리 떨어져 있는 쪽이 관성모멘트가 더 크다. 여기서 질량과 관성모멘트가 바로 관성량이다.3) 관성모멘트관성모멘트
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.01.18
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  • 판매자 표지 자료 표지
    전자공학실험 20장 차동 증폭기 기초 실험 A+ 예비보고서
    } LEQ v _{id} LEQ sqrt {2} V _{OV} (20.4)V _{OV}는 식 (20.3)의 설명에서 명시한 것처럼 포화 상태인 MOSFETM _{1}에 I/2의 전류 ... 가 흐를 때의 게이트 오버드라이브 전압을 의미하여,sqrt {I/k' _{n} (W/L)}의 식과 동일하다.좀더 일반적으로v _{id}는 MOSFETM _{1}과M _{2}의 게이트 ... }, I,V _{OV} 등의 파라미터들로 전류를 나타낼 수 있다.i _{D1} = {I} over {2} + sqrt {k' _{n} {W} over {L} I} LEFT ( {v
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.13 | 수정일 2024.11.15
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  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체에 대해서
    12.bmp..FILE:BinData/image13.bmp..FILE:Contents/section0.xml반도체에 대해서1. 개요2. 도체와 반도체의 구분 기준3. n형 반도체4 ... 가 증가하지만, 전하 운반자의 수수식입니다.(n)가 증가함에 따라 비저항 값수식입니다.( rho )은 점차 감소한다. 그러므로 실리콘수식입니다.(S`i)의 경우, 비저항 온도계수 ... 한다. 일반적인 실리콘 원자는수식입니다.1s ^{2} `2s ^{2} `2p ^{6} `3s ^{2} `3p ^{2}으로 배열되는 전자들의 버금껍질 구조를 갖는다.순수 실리콘
    리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.12.03
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    [R & E 활동 대회] 다중 연결 리스트(Multi-Linked List)를 이용한 자연어 처리 방법론 연구
    라, (sizeof(char*) * width);if(data == NULL){printf("메모리 할당 실패\n");exit(1);}for(int i = 0; i < width; i ... ++){data[i] = (char*)malloc(sizeof(char) * length);if(data[i] == NULL){printf("메모리 할당 실패\n");exit(1 ... +){data[i] = (int*)malloc(sizeof(int) * length);if(data[i] == NULL){printf("메모리 할당 실패\n");exit(1
    리포트 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.07.31
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2025년 08월 03일 일요일
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