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발광 다이오드 light emitting diode 블루LED전압 LED 플랑크상수 led 원리 GAN 관측 led laser 비교 LED IV커브
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"ga1-xalxas" 검색결과 1-20 / 41건

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    ga1-xalxas gaalas superlattices.
    Ga 1-x Al x As superlatticesGa 1-x Al x As Semiconductor material with nearly the same lattice c ... of Al x Ga 1-x As/ GaAs multiquantum wells by means of AES depth profiling and small area XPS – J ... onstant as GaAs , but a larger band-gap. The x in the formula is a number between 0 and 1 - arbitrary
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.22
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    LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 전압에 따른 전류측정
    갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3A 및 5A족인 2원소 또는 3 ... 전자재료 및 실험REPORT8. LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의전압에 따른 전류측정1. 실험제목LED(Red, Yellow, Green ... , Blue, White)의 전압에 따른 전류측정2. 실험목적LED 발광원리를 이해하고, V-I 특성곡선에 대해 안다.3. 이론적 배경◆ LED▶ LED의 구조 발광다이오드(LED)란
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26
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    전압인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정
    - pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1 ... 전자재료 및 실험REPORT6. 전압 인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정1. 실험제목전압 인가시 LED ... 의 화합물에 전류를 흘려 빛을 발산하는 반도체소자로, 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 소수캐리어를 주입하고 이들의 재결합에 의하여 발광시킨다.LED는 컴퓨터 본체에서 하드디스크
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26
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    LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 전압에 따른 전류 측정
    -비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3A 및 5A족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2B, 6B족이나 4A, 4 ... )의 전압에 따른 전류 측정실험목적색별 LED의 발광원리를 이해하고 I-V 특성 곡선에 대해 안다이론적배경3.1) LED (발광다이오드)3.1.1) LED 란?LED(light ... , ②발광효율이 높을 것, ③p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.12.04 | 수정일 2021.12.01
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    LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)와 CdS셀 간의 거리에 따른 저항측정
    효율이 높은 것- pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐 ... -갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3A 및 5A족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체 등◆ 발광기구 유형- 자유 캐리어의 재결합에 의한 것발광파장은 대략 hc/Eg과 같다. 이때 c ... 의 일정한 전압을 인가한다.② 암실 pipe를 1-70cm에 일정한 거리를 두고 DMM을 이용하여 CdS셀의 저항 값을 측정하고 비교한다.6. 실험결과5phi CdS Cell 저항
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26
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    LED 보고서
    , 오렌지색 , 보라색 셀렌화 아연 : ZnSe – 녹색 , 파란색 - 갈륨 - 비소 - 인 : GaAs1-x Px - 갈륨 - 알루미늄 - 비소 : Ga1-xAlxAs - 인화인듐 ... 에 따라 LED 방사스펙트럼은 0.1-0.2nm 장파장 쪽으로 변위하지만 , 인간의 시감도상 색의 변화는 거의 느낄 수 없다 .LED 응용분야 6 조LED 응용분야 6 조LED ... 에 비해 효율 / 수명이 우수하다 . 고해상도 실현이 가능하다 . 소형 , 저전력 , 저가격의 특징을 갖는다 . OLED 의 반응속도는 TFT-LCD 에 비해 1 천재이상 빠르
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.04.12
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    4.전압인가LED
    -알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2B, 6B족 ... 1. 실험제목-전압인가 시 LED 발광시점 측정2. 실험목적-LED의 발광시점을 측정해 보고, 작동원리를 이해한다.3. 실험방법(1)LED와 power supply, 멀티미터 ... 한다.(5)위의 (3), (4)과정을 토대로 LED 동작에 전류, 전압 관계를 알아본다.4. 실험장비 및 소모품- LED, Power supply, 멀티미터5.이론적 배경(1)발광
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.24
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    LED에 관한 전반적인 PPT 발표입니다.
    - 발광재료Ga1-xAlxAs GaAs1-xPx InGAlPGaAs1-xPxAlP GaP InGaNInGaN응 용 분 야SIDE VIEW TYPEPOWER VIEW TYPE-휴대폰 중 ... LED 정의1LED 구성2LED 재료3LED의 발광원리4LED 발광파장영역5LED 응용분야6LED 장단점7LED 제품동향8목 차LED의 정의LED (Light Emitting ... Diode) 화합물반도체의 특성 이용 전기신호 ---- 적외선 or 빛 신호를 보내고 받는데 사용 가전제품, 리모컨, 전광판 등에 사용미래 조명산업에서 LED를 사용하는 이유고휘도
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    | 리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.17
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  • 자료 표지
    STEAM-가정생활1008
    이 가능해야 하는 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 ... Ⅰ. 가정 생활Ⅰ-4. 편리한 생활아름다운 영상을 보여주는 모니터1. 수업 주제 및 주제 선정 이유수업 주제아름다운 영상을 보여주는 모니터주 제선 정이 유TV, 컴퓨터, 핸드폰 ... InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2 B, 6 B 족이나 4 A, 4 B족인 것에 대하
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    | 리포트 | 45페이지 | 7,000원 | 등록일 2012.04.29
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    Semiconductor, 세미컨덕터, 기초전기전자실험, 기초전자전기실험
    이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 ... REPORTSemiconductor과 목소 속학 번이 름분 반1. 관련지식 및 실험 목적? 목 적- 단방향적 특성을 갖는 다이오드의 정류작용 확인.- 다이오드에 전류가 흐르 ... InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있다.발광기구는 자유 캐리어의 재결합에 의한 것과, 불순물 발광중심에서의 재
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.22
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    DIY LED
    이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP ... , 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2 B, 6 B족이나 4 A, 4 B족인 것에 대하여도 연구가 진행되고 있다. ... DIY LED1) LED 란?반도체에 전압을 가할때 생기는 파장이 가시영역에 속할때 이를 활용하여 발광 효과를 내도록 하는 장치로써 비소화 갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.16
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    효과적인 LED 냉각 시스템
    -n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs ... 효과적인 LED 냉각 시스템내 용담당교수분 반학번/ 이름핸드폰 / e-mail제출일자목 차제1장 서 론 ………………………………………………………………………… 11.1 설정배경 ... , 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2B, 6B족이나 4A, 4B족인 것에 대하여도 연구
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    | 리포트 | 41페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.12.09
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    광전소자 예비 레포트
    갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3 ... 여 보자.1) LEDs(발광다이오드)반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 것으로 위의 그림과 같 ... 며, 반전분포)가 발생하여 간섭성 빛을 생기게 할 수 있다.1-2) LED배열LED 배열은 숫자, 문자 및 다른 기호를 나타내는 LED의 집단이다. 가장 일반적인 LED 배열은 7
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    | 리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.03.11
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    발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향
    GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있 ... 특성8)LED Application3. 결론1)기술동향2)향후 동향3)제품 동향4)시장&업계 동향LED (Light Emitting Diode)1.서론반도체의 p-n 접합구조를 이용 ... 1.서론1)LED의 원리2)LED란 무엇이며 역사는 어떻게 되는가?3)LED 특징4)LED 발광색5)LED 동작 원리6)LED의 특성에 관한 용어 상식7)LED의 모습2. 본론1
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    | 리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26
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    발광 다이오드와 제너 다이오드[Light-Emitting and Zener Diodes][예비레포트]
    [nm] = 1.24 / E [eV] × 103GaAs는 금지대폭 Eg가 1.42 eV이기때문에 적외발광에 적합한 결정이다. 또 Ga1-xAlxAs의 x치를 변화시켜 Eg가 GaAs ... 화에서 흔히 사용되는 포토 커플러 (photocoupler)에 응용이 되고 있다.1. 특징발광다이오드는 다음의 특징을 가지고있다- 발광효율이 높고 저전류에서 고출력을 얻을수 있다 ... Light-Emitting and Zener Diodes△ 제 목 : 발광 다이오드와 제너 다이오드△ 실험목적 : 발광다이오드와 제너다이오드의 특성을 이해한다.△ 실험재료
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.01
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    LED와 Laser Diode의 특성평가
    의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소인 GaAs1-xPx,갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ... 화되기에 이르렀다.발광다이오드에 적합한 재료로는 1) 발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, 2)발광효율이 높을 것, 3) p-n접합의 제작이 가능할 것 등 ... ln1-xGax P 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2 B, 6 B족이나 4 A, 4 B족인 것에 대하여도 연구가 진행되고 있다.발광
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.01
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    Light-Emitting-Diodes
    -알루미늄-비소(Ga1-xAlxAs), 인화인듐(InP), 인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있다.▷ 발광기구 ... 하는 것② 발광효율이 높은 것③ p-n접합의 제작이 가능한 것등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인(GaAs1-x Px), 갈륨 ... 4 색띠검정색(흑)00100(×1Ω)-?? 갈색(갈)11101(×10Ω)±1%빨강색(적)22102(×100Ω)±2%주황색(등)33103(×1KΩ)-노랑색(황)44104(×10KΩ)
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.25
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    광학적 특성 및 LED 특성 평가 실험
    갈륨(GaAs),인화갈륨(GaP),갈륨-비소-인(GaAs1-xPx),갈륨-알루미늄-비소 (Ga1-xAlxAs),인화인듐(InP),인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3족 및 5 ... . LED의 수명- 실험 내용- 실험 방법ㄱ. 광학적 특성ㄴ. LED 특성평가 IV Curve 관찰Ⅲ. 결론- 결과 및 고찰ㄱ. 광학적 특성 그래프ㄴ. 문제 및 그래프 모양1. 실험 ... 광학적 특성 및 LED 특성 평가 실험목차Ⅰ. 서론- 실험 목적Ⅱ. 본론- 이론적 배경ㄱ. LED의 정의ㄴ. P-N 접합ㄷ. I-V curveㄹ. GaN(갈륨 나이트 라이드)ㅁ
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.18
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    Light Emitting Diode (LED) 발광다이오드
    GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B, 5B족인 2원소 또는 3원소 화합 ... 의 발광 관측에서 비롯되는데, 1923년에 비소화갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대 말에는 이들이 실용화되기에 이르렀다 ... 다.LED는 발광효율이 높고, 응답속도가 빠르며, 수명도 반영구적인 고체광원이기 때문에 궁극의 광원이라고 불리 운다.LED는 기존에 쓰이고 있는 전구와 비교하였을 때 전력 소비량이 1
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.20
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  • 자료 표지
    클리핑회로,클램핑회로, 발광, 제너 다이오드 PSPICE 시뮬레이션 까지 포함된 보고서
    Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2B ... 에 존재할 것, ②발광효율이 높을 것, ③p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x ... )다이오드 : Si(1개) Ge(1개) Si 소신호용(1개) 실리콘(1개) LED(1개) Zener(10-V)(1개)커패시터 : 1(1개)(4) 공급기1.5-V D cell과 홀더
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.22
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2026년 01월 07일 수요일
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