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DRAM의 작동원리 HTCC LTCC 초임계 수열합성 c축 배향 반도체 압전소자가격 pzt 분말 구매 고상법과 공침법
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"PLZT 박막" 검색결과 1-14 / 14건

  • 자료 표지
    PLZT(10/y/z) 박막에서 Zr/Ti 농도에 따른 피로와 리텐션 특성 (Fatigue and Retention Characteristics of PLZT(10/y/z) Thin Films with Various Zr/Ti Concentrations Ratio)
    한국정보통신학회 정양희, 강성준
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.25 | 수정일 2025.05.14
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  • 자료 표지
    ITO 기판에 제작된 PLZT 박막의 후열처리 온도에 따른 전기적 특성평가 (The electrical properties of PLZT thin films on ITO coated glass with various post-annealing temperature)
    한국진공학회 차원효, 윤지언, 황동현, 이철수, 이인석, 손영국
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16
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  • 자료 표지
    RF-magnetron Sputtering Process를 이용한 a-축 우선 배향된 PLZT(x/0/100)박막의 제조
    한국재료학회 박명식, 강승국, 노광수, 김동범, 조상
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    Pt 또는 Ir 계열의 상부전극을 갖는 (Pb, La) (Zr, Ti)O3 (PLZT) 박막의 누설전류특성에 미치는 수소 열처리의 효과
    한국재료학회 윤순길
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 판매자 표지 자료 표지
    서울대학교 일반대학원 재료공학부 연구계획서
    ITO 코팅 유리 위의 PLZT 박막의 전기적 특성 연구, 인터페이스 상태 및 강유전체 특성에 대한 산소 분압의 영향 연구 등을 하고 싶습니다.저는 OOO 교수님의 OOOOOOOO ... Glass 전자 재료 문자의 구조 및 특성 분석 연구, SBT(SrBi2Ta2O9) 박막에서 Bi2O3 버퍼층의 다양한 기판 온도 효과 연구, 다양한 post-annealing에 따른 ... 된 FexTiO2 박막의 광학적 및 구조적 특성 분석 연구, 인산아연비스무스 유리의 구조와 특성 분석 연구, 열처리에 따른 SrBi2Ta2O9/ZrO2/Si(MFIS) 구조의 XPS 및 GDS
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.04.02
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  • 자료 표지
    RF Magnetron Sputtering법으로 제작된 (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 박막의 Ar/O2 분압비에 따른 강유전 특성연구 (The Effect of Ar/O2 Partial Pressure Ratio on the Ferroelectric Properties of (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering Method)
    한국진공학회 김상지, 윤지언, 황동현, 이인석, 안정훈, 손영국
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28
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  • 자료 표지
    PLZT에 대해서
    가 응용될 수 있다.○ PLZT 투과도 조절 유리 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, PLZT 박막의 균열을 방지하고, 또한 유리에서 Na+ 이온등의 양이온이 PLZT 박막내부 ... 로 확산되어 박막의 전기광학 특성을 저하시켜서 결국엔 작동 전압 저하 효과를 상쇄시키는 현상을 방지하여, 저전압 작동이 가능하도록 한 것이다.이를 위해, 본 발명은 PLZT와 유리기판 ... 사이에서 두 물질간의 열팽창 계수 차이를 완화 시키고 유리로부터의 이온 확산을 방지하기 위하여 유리기판에 일차적으로 완충막을 코팅하고, 이 완충막에 PLZT 박막을 코팅하여서 된
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.18
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  • 자료 표지
    압전소자의 이해와 시장동향
    및 센서 등 가장 폭넓게 응용 박막 ZnO , Cds , AlN 탄성표면과 필터와 GHz 대역 FBAR Bandpass Filter 재료 등의 응용 고분자 PVDF, P(VDF ... 1950 년대 Pb ( MgNb )O3-PbZrO3-PbTiO3 압전결정소자 개발 . 각종 3 성분계 세라믹스 개발 시작 1960 년대 PLZT 후광성 세라믹스 개발 . ㅡ ZnO ... 박막 자동차용 거리센서 등 센서 거리측정 등 전자기기 오디오용 필터 , 초음파 가습기 , 안정기 (Ballast), Buzzer 등 음파 , 초음파 발생 정밀계측기기 압전 마이크로
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.20
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  • 자료 표지
    나노구조체 합성 중 sol-gel 공정 과정및 장단점
    에서 이어 받아 행하여졌고, 1960년대에 금속 알콕사이드로부터 SiO2 막이나 TiO2-SiO2 박막을 판유리 위에 만드는 연구가 널리 행해졌다.이에 반하여 현재의 졸-겔 공정 ... 하는 경우보다도 약 300℃ 낮은 저온에서 BaTiO3 나 투명한 PLZT(PbO-La2O3-ZrO2-TiO2) 소결 다결정체를 충분히 치밀하게 소결할 수 있다는 것을 보여주었다. 이 ... 의 증가, monolith의 단점을 보완할 수 있는 박막의 제조 등의 경향을 보이고 있다. 상업적인 응용 측면에서도 초기에는 순순한 oxide system 이 주로 이용되었으나 최근
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11
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  • 자료 표지
    수동소자집적화및 기술동향
    는 PLZT 조성의 소재를 박막으로 제조하는 경우에 많이 이용되는데, 미국의 AVX사는 유전상수1000, 두께 1um의 정전용량 1~5 nF을 가진 PZT박막 커패시터를 졸-겔 방법 ... 와 유전체스퍼터를 이용한 박막 제조 방법은 유전체 박막을 경제적으로 만들 수 있는 방법중의 하나로, 일본의 후지쯔는 이 방법으로 유전상수 Er이 145인 Ba(Zr.Ti)O3 박막 ... 을 제조하였다고 보고하였고, 미국의 일렉트로닉스 사는 정전용량 5~50 nF/cm2를 가진 알루미나 막을 상용화 하였다. RF 플라즈마를 이용한 CVD 박막 제조방법과 MOCVD 방법
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24
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  • 자료 표지
    [전자공학] 박막형성법과 박막특성
    ..PAGE:1박막형성법소속 :학번 :성명:..PAGE:2목 차박막 형성법 개요물리적 방법중 스퍼터법스퍼터법의 종류화학적인 방법중 CVD 방법박막의 특성PLZT 박막의 광학 ... 를 이루며, 이러한 정팔면체들이 cubic 구조로 배열하게 된다박막 특성..PAGE:18PLZT 박막의 X선 회절도PLZT박막은 기판온도를 650[℃] 로 MgO(100), Pt ... 과 같이 C축으로 강하게 배향되고 있다. 또 La치환량을 증가시키므로 정방향에서 입방향으로 가까워지고 표면상태도 평활하게 된다. (d)의 Pt/SiO2/Si 기판상의 PLZT박막은 PZT와 같이 비교적(111)방향으로 배향되고 있다.
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18
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  • 자료 표지
    [반도체(DRAM)]High-Permittivity Materials for DRAMs
    전물 물질로 대체되고 있다.?Pb1-xLaxZr1-yTiyO3 (PLZT)고유전율 박막을 축전기의 유전체로 사용하여 공정의 난이도, 구조의 복잡성 소자의 신뢰도 감소 등의 단점 ... 에 의해 제조할 수 있다. 특히 화학 기상 증착법에 의한 박막 제조는 선택적 증착(selective deposition)이나 단계적 피복 (step coverage)과 같은 특성 ... 이 일반적인 다른 증착법에 비해 보다 우수하기 때문에 셀면적이 좁아지는 차세대 반도체 소자의 제조공정에 사용할 수 있는 가장 적절한 박막 형성 방법이다.?(Pb,Sr)TiO3
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10
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  • 자료 표지
    분체의 합성(공침법)
    BaTiO3,SrTiO3,ZrO2,α-Fe2O3,Fe2O3, PZT고상합성법열분해법, 고상반응법, 환원법BaTiO3,SiC,PLZT이중에서 몇 가지 제조공정에 대해 알아보도록 하자 ... 어준다Pb는 휘발성이 크고 박막에서는 더욱 더 휘발성이 강하기 때문에 원래 장입계산의 양의 10% 만큼 더 넣어주어야 한다.원래 양보다 0.948g 추가하여 10.429g을 넣는다.2다.
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.06.15
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  • 자료 표지
    파인세라믹스
    을 화되었다. 이것은 GGG(Gd, Ga Garnet, Gd3Ga5O12)의 단결정판 위에 자기 가네트 박막을 성장시킨 디바이스용 기판(Epitaxial Wafer)이다.③ 유전 ... 을 걸음으로써 빛을 변조시키는 기능이 있으며 광메모리와 광 변조 소자로서의 용도가 개척되고 있다. 동일한 효과를 발현시키는 시도가 PLZT를 첨가한 Pb(Zr,Ti)O₃)로 성공
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 38페이지 | 1,500원 | 등록일 2001.06.20
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2026년 01월 07일 수요일
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