와 같이, memory 기술 개발 역시 물질의 개발, 공정의 개발, 소자의 개발이 순환적으로 이루어진다. CTF flash memory 소자 개발은 MBC(multibit cell ... 되었다.Flash Memory는 다른 memory와 같이 cell의 배열로 이루어져 있으며, flash memory cell에는 비트 저장을 위한 Floating Gate(FG)라는 ... Charge Storage Node가 존재한다. 0, 1의 비트 정보는 각 cell의 Tunnel Oxide양단에 고전계를 인가하여 FG로 전자를 주입시키거나(Program), 전자