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"D.D.I. 공정" 검색결과 1-20 / 4,499건

  • 압력용기 제조를 위한 D.D.I. 공정의 팁 클리어런스 설계 (Design of Tip Clearance in the D.D.I. Process to Manufacture Pressure Vessel)
    한국정밀공학회 곽효서, 박건영, 김철
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.15 | 수정일 2025.07.20
  • 판매자 표지 자료 표지
    앰코테크놀로지 프로세스 엔지니어 지원 자소서와 면접
    (예: 2.5D I-Cube, 3D X-Cube) 및 그 장단점공정 최적화 방법론 및 경험 (예: 6시그마, 린 제조)반도체 장비에 대한 지식과 경험포토리소그래피 공정의 주요 문제점 ... 를 담당했습니다.프로젝트 초기, 기존의 2.5D I-Cube 기술을 기반으로 시작했지만, 성능 향상에 한계를 느꼈습니다. 이때 팀원 중 한 명이 최근 발표된 3D X-Cube 기술 ... 에 대해 서술하시오.제가 수강한 '첨단 반도체 패키징 공정' 과목은 Process Engineer 직무와 가장 밀접한 관련이 있었습니다. 이 과목에서는 최신 패키징 기술인 2.5D
    자기소개서 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2025.01.25
  • 판매자 표지 자료 표지
    (삼성전자_SK하이닉스PT면접) 하이브리드 본딩 기술 및 관련 기술에 관하여 PT하시오.
    을 격자(grid)형태로 배치해 붙이는 방식으로, 연산량이 높고 데이터 I/O가 많은 칩에서 활용됩니다.3D IC (Integrated Circuit) 기술:3D IC 기술은 여러 ... 한 공정 단계를 통해 하이브리드 본딩은 두 개의 칩을 직접 접합하며, 이는 칩 간의 3D로 direct 연결하는 구조와 이종 칩들간의 접합이 이뤄지는 칩렛구조를 가능하게 합니다.결 ... 방식은 I/O (입력/출력)를 증가시키기 위해 볼의 크기를 줄이고 더 많이 부착하는 방식을 사용합니다.장 점집적도 향상: 하이브리드 본딩은 칩 간의 연결을 최소화하여 집적도를 향상
    자기소개서 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.10.16
  • 판매자 표지 자료 표지
    2025년상반기 SK하이닉스 대졸신입공채 면접예상문제(총60문제)및해답
    , 성능 향상차이점: 채널이 3차원 구조로 형성되어 게이트가 채널을 더 효과적으로 제어3D NAND Flash 메모리에서 채널 홀(Channel Hole) 식각 공정의 어려움과 해결 ... 패키징, Fan-Out WLP, 칩렛 인터커넥트 등 첨단 패키징 R&D에 집중.10. AI/빅데이터 기반 반도체 제조 혁신의 실제 적용 사례는?해답:AI/빅데이터를 공정 데이터 ... 2025년 상반기 SK하이닉스 대졸 신입 공채면접 예상 문제 (각 20문제) 및 상세 해답SK하이닉스 양산기술 (전공정 중심) 면접 예상문제및 상세 해답 (20문제)포토리소그래피
    자기소개서 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.04.30
  • 도쿄일렉트론코리아(TEL) 경력기술 포트폴리오 PPT
    보유 능력 02 Agenda - INOVA Parts 세정 공정 불량 개선 대표 프로젝트 경험 03Who am I ? 다양한 경험을 바탕으로 도전적 이고 주도적 인 엔지니어 ... TOKYO ELECTRON KOREA Process Engineer-Etching System(Plasma Etching) 지원자 조규만Who am I ? 01 Carrier 및 ... ??? A B 해외인턴 ( 미국 ) 교환학생 ( 일본 ) 금속공학 전공 D C 코미코 QC 팀 A 부경대학교 금속공학 전공 (2013.03~2021.02) B 해외인턴 : 현대글로비스
    자기소개서 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.07.07
  • [부산대 결과보고서] Python를 이용한 화학공정 제어시스템 모사 실험
    결과 본 실험에서는 python software을 활용해 화학공정 제어시스템을 모사하고, 제어 파라이터 P, I. D 값을 변경하며 각 제어의 특성을 비교했다. PID제어기는 P ... ,0) P제어 그래프는 I, D를 0으로 고정하고 P를 1, 10, 100, 1000으로 설정하여 얻었다. P제어는 제어량과 목표값의 차이(편차)에 비례하는 제어동작을 나타내 ... ) (10,10,0) (100,10,0) (1000,10,0) P가 변수인 PI제어 그래프는 I, D를 10, 0으로 고정하고 P를 1, 10, 100, 1000으로 설정하여 얻
    리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.09.24 | 수정일 2025.08.06
  • 전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)
    다.이 둘을 연립하면I _{D}와V _{GS} 를 구할 수 있다.DC 바이어스 전류I _{D}가 공정, 전압, 온도 등에 의해서 설계치보다 증가하려고 하면,R _{D}를 통한 전압 ... 회로는 소스 단자에 저항R _{S} 를 추가함으로써,R _{G1}과R _{G2}의 변화에 따른V _{GS}전압과I _{D} 전류의 변화를 줄일 수 있다.회로의 각 노드의 전압과 전류 ... 를 구하면 식 다음과 같다.R _{G1}과R _{G2}의 변화에 따라V _{G} 전압이 증가되면, 게이트 전압이 증가하였으므로I _{D}전류도 증가하려고 한다. 하지만I _{D
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
  • 판매자 표지 자료 표지
    LG화학_합격 자기소개서 (전지사업본부/LG에너지솔루션))
    본부/ 생산기술/ 충청북도 청주시(오창)/대전광역시2지망전지사업본부/ 품질/ 충청북도 청주시(오창)/대전광역시연구분야용액공정기반 비정질 산화물 박막트렌지스터글자수 1455 ... / 1500자*연구경력1. 용액공정기반 비정질 산화물 박막트렌지스터 연구 학위논문- 기존에 사용되는 IGZO TFT 대비 우수한 TFT 개발- 여러 물질을 도핑하여 소자에 미치는 전기 ... 의 interface에 존재하는 dangling bond 등의 defect 개선- HPA를 통한 신뢰성 개선 : NBTI 개선3. 저온공정 Flexible LTPS TFT의 신뢰
    자기소개서 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.01.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    [삼성전자2025상반기반도체공정설계PT면접예상문제총정리]_대졸신입 3급공채 면접(23페이지)
    와 신소재 도입이 필수적입니다.셋째, 신뢰성 확보와 저전력화, 그리고 제조 공정의 변동성 관리도 중요한 과제입니다.이러한 과제의 해결을 위해,신소재 도입(예: 고유전체, 2D 소재 ... )으로 전기적 특성을 개선하고,3D 적층 구조 확대와 회로 설계 최적화로 집적도를 높이며,공정 제어 자동화(AI/머신러닝 활용)로 공정 변동성을 최소화할 수 있습니다.예를 들어, 3D ... 처럼 IT 기반의 표준화된 프로세스가 설계-제조 간 협업의 핵심 도구로 자리 잡고 있습니다.3D 적층(3D NAND 등) 공정설계 시 차별화 포인트서론:3D 적층 기술은 메모리 집적도
    자기소개서 | 23페이지 | 6,000원 | 등록일 2025.05.12
  • 다음 정보를 활용하여 프로젝트의 네트워크 차트를 작성하고 프로젝트의 주공정(Critical Path)를 구하시오. 또한 프로젝트 전체 소요시간의 기댓값과 분산을 구하고 이를 바탕으로 프로젝트가 270일 이내
    활동ESEFA09B916C931D1638E1628F3170G3164H3890I70109J90114K109151L114162M162189N189242O242275A 작업: 시작 작업 ... - mi(A) = 9 - 9 = 0여유시간이 0인 경로 (주공정 경로, LS-ES = 0)주경로 : B, D, H, J, L, M, N, O주공정 경로 ES, EF, LS, LF 정리 ... 작업ESEFLSLF여유시간A097167B9169160C93116387D163816380E1628263810F3170428111G3164488117H389038900I
    방송통신대 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.07.09
  • A프로젝트의 활동 및 공정 시간 추정치가 다음과 같이 주어졌을 때 기대시간과 분산, 주 경로를 구하세요. 그리고 모든 활동이 35일 내에 이 프로젝트를 완료될 확률을 계산하시오.
    ? B - (C) - (D) - (H) - (G) - (I)3. 35일 내에 프로젝트를 완료할 확률 : (0)%, 소수점 이하 버림4. 계산 및 정답 도출 방법1)공정별 기대시간 ... 는 C를 반드시 선행조건 10.H는 D를 반드시 선행조건 11. I는 G를 반드시 선행조건 12. I는 H를 반드시 선행조건 13. J는 F를 반드시 선행조건 14. J는 I ... 를 반드시 선행이 조건에 만족하는 경로 중 가장 짧은 경로를 주경로로 결정하였습니다.3)주경로 : A ? B - (C) - (D) - (H) - (G) - (I)sum _{} ^{} s
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.11.11
  • LG이노텍 생산기술 합격자소서
    겠다는 자신이 들어 지원하게 되었습니다.① SMT 칩외주 공정 감독반도체 팹리스 회사에서 근무하며 SMT 칩외주 공정 감독을 진행한 경험이 있습니다. 이를 통해 양산 안정화와 수율개선 ... 을 해본 경험이 있습니다. 이를 통해 품질 이슈를 분석하고 해결하는 역량을 쌓았습니다.② I.E경진대회 출품을 통해 학습한 제조관리 지식전자 H/W 제작작품인 PCB 판과 제어보드 ... 않고, 끊임없이 노력하고 도전하여 3D Sensing Module의 분석 및 개선을 통해 광학솔루션의 혁신적인 향상을 이뤄내겠습니다.2. 지원 분야를 위해 '노력한 내용(전공
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.12.16
  • 판매자 표지 자료 표지
    (삼성전자_SK하이닉스PT면접) HBM이 삼성전자와 SK의 향후 전략에 어떠한 영향을 미칠 수 있는지 PT하시오.
    Bandwidth Memory) 이라는 고대역폭 메모리가 요즘 메모리 반도체 업계의 가장 뜨거운 키워드입니다. HBM은 D램을 쌓아 만든 제품입니다. 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 ... D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올렸습니다.HBM은 삼성전자, AMD, 하이닉스의 3D 스택 방식의 DRAM을 위한 고성능 RAM 인터페이스입니다. 이는 고성능 ... 도 HBM 시장에 참여하고 있습니다.HBM의 기술 동향HBM4의 스펙 확정HBM4는 HBM3보다 더 많은 I/O 수와 대역폭을 가질 것으로 예상됩니다. I/O 수는 1,024개에서 2
    자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    2025상반기_SK하이닉스_7개분야별_예상면접주제(문제_해답)
    2025년 상반기 SK하이닉스 7개 분야면접 출제 예상 주제아래는 2025년 상반기 SK하이닉스 7개 분야(R&D/공정, 소자, 양산기술, PKG 개발, IT, 기반기술 ... 합격 후기를 반영했습니다.)1. R&D/공정(연구개발/설계)“SK하이닉스 R&D 직무에 지원한 이유와, 본인이 준비한 과정에 대해 말씀해 주세요.”네, 반도체가 미래 산업의 핵심 ... 이라는 점에 매력을 느껴 R&D를 목표로 삼았습니다. 대학에서 전자재료를 전공하며, DRAM 셀 구조 개선 연구실 인턴을 하면서 미세공정에서 발생하는 누설전류 문제를 직접 실험
    자기소개서 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.05.12
  • 전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)
    _{D}와V _{GS} 를 구할 수 있다.DC 바이어스 전류I _{D}가 공정, 전압, 온도 등에 의해서 설계치보다 증가하려고 하면,R _{D}를 통한 전압 강하가 증가하고V ... 에 저항R _{S} 를 추가함으로써,R _{G1}과R _{G2}의 변화에 따른V _{GS}전압과I _{D} 전류의 변화를 줄일 수 있다.회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 식 다음 ... 과 같다.R _{G1}과R _{G2}의 변화에 따라V _{G} 전압이 증가되면, 게이트 전압이 증가하였으므로I _{D}전류도 증가하려고 한다. 하지만I _{D} 전류가 증가되면 소스
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
  • [화학공학실험(2)] 공정제어 다단액위제어(Cascade 제어) A+
    그리고 k(공정 이득),tau (시상수),theta (시간지연)의 값을 튜닝공식을 이용하여 PID 제어기의 파라미터k _{c},tau _{i} 와tau _{d} 값을 정확 ... . 실험 이론1) 기본적인 공정제어(Process Control)의 개념Ⅰ. 공정제어(Process Conrtrol)공정제어는 공정의 제어변수(CV)를 외란(D) 하에서 조작변수(MV ... }} over {tau _{i}} int _{0} ^{t} {(y _{s} (t)-y(t))dt}> Derivative (D, 미분) part :u _{D} (t)`=`k _{c} tau
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.01.04
  • 판매자 표지 자료 표지
    현직 삼성전자 엔지니어의 대기업 및 외국계기업 합격자소서 모음
    의 희망지원 분야로 R&D 장비기술 혹은 공정통합을 정한 이유입니다. R&D 및 제조공정을 원활히 유지 및 개선할 수 있게 컨트롤하고 서포트하고 싶습니다다. 비록 짧았을 지언정 계측 ... 에 흥미를 갖게 되었고, 연구실 생활을 거치면서 매틀랩을 활용하여 다양한 최적화 알고리즘을 구현 및 경험해 보았습니다.3. R&D직무경력(Post-Doc, 타사R&D직군)이 있 ... 하십시오.- 제가 속한 조직에서, 해당 조직의 시스템이 원활하게 돌아갈수 있도록 서포트하며 전체적인 공정을 컨트롤 할 수 있기를 원합니다. 관리 업무의 소중함을 짧은 사회경험 및
    자기소개서 | 20페이지 | 3,500원 | 등록일 2023.11.21 | 수정일 2023.11.24
  • 판매자 표지 자료 표지
    [A+]공정제어-다단액위제어 예비레포트
    에서는 외란에 대응해서 곡선이 형성되 고, 이러한 곡선은K_{ C}(비례이득)와τ_{ i}(적분시간),τ_{ d}(미분시간)을 계산하는데 사용된다. 공정 응답곡선법은 control ... 는 overshoot이 발생한다는 단점 역시 존재한다. 참고로 I 제어의 경우τ_{ i}(적분시간)를 parameter로 가지는 제어기이다.마지막으로 D 제어기(미분 제어기)에 대해 ... 알아보자. D 제어에서는 조작량을 민첩하게 반 응시켜 이러한 I 제어에서 발생하는 시간 지연을 다소 감소시켜 주고, 빠르게 결괏값 = 설 정값이 될 수 있도록 도와주는 제어방식이
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.07
  • [강력추천] 2025년도 화학과 대학원 면접 기출질문 / 모범답안 100선
    ≫3차이며, 극성 비양성자성 용매가 친핵체를 벌거벗겨 반응성을 높인다; 친핵체는 강염기·부피 큰 음이온이면 E2로 샐 위험이 있고, 할라이드의 친핵성 서열은 용매에 따라 I?>Br ... ?>Cl?(양성자성) 또는 반전될 수 있으며, 좋은 이탈기(p-TsO, MsO, I) 도입은 두 반응 모두를 가속하므로 반응 경로 제어에는 염기성/친핵성 분리, 온도 조절, 용매 ... 가 공정의 관건이다.Q16. 비대칭 촉매 반응에서 에난티오선택성이 결정되는 요인은 무엇인가?키랄 촉매는 전이상태에서 두 거울상 경로의 자유에너지 차이를 키워 ee를 제공하며, 유기촉매
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 28페이지 | 6,000원 | 등록일 2025.10.16
  • 판매자 표지 자료 표지
    공정제어(다단액위제어)예비레포트
    } {(y _{s} (t)-y(t))dt} +k _{c} tau _{d} {d(y _{s} (t)-y(t))} over {dt}여기서k _{c},tau _{i},tau _{d ... 는 제어에러(y _{s} (t)-y(t))의 비례 값, 적분 값, 미분 값들을 선형 조합한 값을 제어 출력으로 내어주는 제어기이다.k _{c},tau _{i},tau _{d ... _{d} 값을 적절하게 설정해주는 것은 고성능 제어를 위해 필수적인 일이다. 튜닝을 잘하기 위해서는 공정의 동특성을 규명하는 공정모델을 먼저 구해야 한다. 공정 모델을 구하는 것
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.12
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2025년 12월 03일 수요일
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